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高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
溢漏预防控制和...
虽然石油管理需要制定 SPCC 计划，但该设施无需制定 40 CFR 112.20 中定义的设施响应计划。非运输相关的陆上设施需要制定设施响应计划，这些设施由于其位置，可能合理地预期会通过将石油排放到可航行水域或毗邻海岸线而对环境造成重大损害。鉴于该设施不会通过水将石油输送到船只或从船只输送石油（基于美国环保署标准）并且总石油储存容量不超过 100 万加仑，因此无需制定和提交设施响应计划，除非美国环保署区域管理员将来酌情要求这样做。根据 40 CFR 112 附录 3 第 3.0 节，提供了不适用重大损害标准的证明。此证明作为附录 2 提供。
AML 步进电机的漏磁场
在操作过程中，磁场由步进频率的交变场调制。由于多种原因，这通常不如稳定场那么重要。步进频率场的幅度随着步进频率的增加而减小，并且仅在几百赫兹以下与稳定场相当。在低步进速率下，出于机械原因，使用微步进是正常的，微步进会产生正弦磁通波形。在几百赫兹以上，使用全步进驱动是正常的，全步进驱动试图产生矩形磁通波形。然而，绕组电感的滤波作用逐渐降低了几百赫兹以上场的所有频率分量的幅度，因此，步进频率下的漏磁场的交变分量在所有实际用途中都可以被视为正弦波。大多数现代步进电机驱动器通过开关动作实现绕组中的电流调节，这也会调节磁漏场。与场的稳定和步进频率分量相比，漏磁场的幅度通常非常小，通常小于 10%。在大多数情况下，切换在每步之后的前几毫秒内被禁用，因此在步进速率高于 500 Hz 时根本不存在切换。步进电机在 500 Hz 和 1 kHz 步进速率之间实现其最大机电效率，并且设计电动真空机构以在这些速率下旋转是标准做法，以尽量减少总能量输入，从而减少排气。幸运的是，这还可以减少漏磁通的交变分量。
场效应晶体管第 I1 部分 - CMOS
图 1 显示了 n 沟道结型 FET 的原理图结构。如果在沟道上施加电压，使漏极相对于源极为正，如图 lb 所示，电子会通过沟道从源极流到漏极，从而产生漏极电流。漏极电流的大小由沟道的电导率和漏极-源极电压决定。当在栅极上施加负电压时，栅极将反向偏置。在栅极和沟道之间的 pn 结周围会形成耗尽层，如图 IC 所示。因此，在漏极-源极电压恒定的情况下，漏极电流可由栅极-源极电压改变。如果栅极电压足够负，耗尽层将延伸至整个通道，漏极电流变得非常小；然后通道被称为“夹断”。因此，JFET 被称为耗尽或“常开”器件。
场效应晶体管第 11 部分 - CMOS - Pearl HiFi
图 1 显示了 n 沟道结型场效应晶体管 (FET) 的原理图结构。如果在沟道上施加电压，使漏极相对于源极为正，如图 Ib 所示，电子会通过沟道从源极流向漏极，从而产生漏极电流。漏极电流的大小由沟道的电导率和漏极-源极电压决定。当在栅极上施加负电压时，栅极将反向偏置。栅极和沟道之间的 pn 结周围会形成耗尽层，如图 1c 所示。因此，如果漏极-源极电压为恒定值，则漏极电流会因栅极-源极电压而变化。如果栅极电压足够负，则耗尽层将延伸到整个沟道，漏极电流会变得非常小；然后沟道被称为“夹断”。因此，JFET 被称为耗尽或“常开”器件。
4. SPICE LEVEL 1 MOSFET 模型 - dvdtang.nl
RS- 源极电阻（ Ω ） RSH- 漏极/源极扩散的薄层电阻（ Ω / ） CBD- 零偏置漏极-体结电容（F） CBS- 零偏置源极-体结电容（F） MJ- 体结渐变系数（无量纲） PB- 体结的内置电位（V） • 使用 CBD、CBS、MJ 和 PB，SPICE 可计算漏极-体和源极-体电容的电压依赖性：