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从大型 MOSFET 阵列中提取统计栅极氧化层参数
摘要 — 在现代 MOS 技术中，晶体管几何形状的不断缩小导致名义上相同的器件之间的差异性增加。为了研究此类器件的差异性和可靠性，需要测试具有统计意义的大量样本。在这项工作中，我们对导致 BTI 和 RTN 的缺陷进行了特性研究，该研究是在由数千个纳米级器件组成的定制阵列上进行的。在这种纳米级器件中，差异性和可靠性问题通常针对单个缺陷进行分析。然而，提取具有统计意义的结果需要大量的测量，这使得这种方法不可行。为了分析大量的测量数据，我们采用了由捕获和发射电荷的缺陷引起的阈值电压偏移的统计分布。这使我们能够使用以缺陷为中心的方法提取缺陷统计数据。针对各种栅极、漏极和体偏置以及两种几何形状对缺陷分布进行了表征，以验证方法并获得适合 TCAD 建模和寿命估计的统计数据。使用 TCAD 模型，我们可以推断出观察到的器件退化。最后，我们研究了体和漏极应力偏差对缺陷的影响，并观察到体偏压对器件性能下降的影响与栅极偏压相似。相比之下，对于所研究的技术，漏极偏压高达 − 0.45 V 时漏极应力似乎可以忽略不计。我们的测量结果还清楚地表明，整体 BTI 性能下降严重依赖于栅极体应力偏差，而提取的 RTN 缺陷数量似乎与应力无关。
双极交叉参考
2SC3420 TIP41B 2SC3421 TIP47 2SC3657 BU508A 2SC3783 BU508A 2SC3795 BUL138 2SC3832 BUL128 2SC3868 BULT118 2SC3886 BUH1015HI 2SC3886A BUH1015HI 2SC3892 THD200FI 或 THD215HI 2SC3892A THD200FI 或 THD215HI 2SC3970A BULT118 2SC3996 BUH1215 2SC3997 BUH1215 2SC4051 BUL128 2SC4053 BUL138 2SC4054 BUL138 2SC4055 BUL57 2SC4106 BUL128 2SC4107 BUL57 2SC4123 BUH615D 2SC4229A BUH1215 2SC4233 BUL216 2SC4235 2N6059 2SC4236 2N6059 2SC4242 BUL138 2SC4288A BUH1215 2SC4290A BUH1215 2SC4533 BULT118 2SC4744 BUH615D 2SC4747 BUH1215 2SC4757 THD219HI 2SC4759 BUH1015HI 2SC4762 BUH615D 2SC4769 BUH615D 2SC4770 THD200FI 或THD215HI 2SC4774 BUH1015HI 2SC4916 THD218DHI 2SC4923 BUH1015HI 2SC4924 BUH1015HI 2SC4927 THD200FI 或 THD215HI 2SC4977 BUL57 2SC5002 THD200FI 或 THD215HI 2SC5021 BUL128 2SC5022 BUH2M20AP 2SC5023 BUL138
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
CMOS 数字逻辑电路简介
图 14.1 (a) NMOS 和 (b) PMOS 晶体管作为开/关开关的操作。栅极电压控制晶体管开关的操作，电压 V DD 表示逻辑 1，0 V 表示逻辑 0。请注意，漏极和源极端子的连接未显示。
3 公司/公司 - 极 avenia
45-8 ENERGY 是一家法国公司，致力于勘探和生产对生态和能源转型至关重要的战略工业气体，例如氦气和天然氢。其方法侧重于短供应链，从而实现针对就近消费的人类规模的本地项目。这在欧洲是独一无二的！该行业的兴起得益于开创性的创新地质方法，该方法得到了与学术和工业合作伙伴合作进行的强大技术创新的支持。45-8 ENERGY 的活动最近得到了法国生态转型部的认可，该部将第一个项目命名为“绿色技术创新”，从而证明了这种方法对生态转型挑战的积极影响。它的几个研发项目也被 MATERALIA 和 AVENIA 竞争集群标记，证明了它们的技术相关性。
在λ-Polytopes的极端点和经典...
我们研究了最近定义的凸线结构的λ-聚型，并应用于通过采样的魔术状态对量子计算的经典模拟。对于每个数字n数字n，都有一个这样的多层。我们建立了{λN，n∈N}族的两个属性，即（i）所有n> m的极端点（顶点）Aα∈λM可用于在λN中构造顶点。（ii）对于通过此映射获得的顶点，具有魔术状态的量子计算的经典模拟可以根据i映射Aα有效地降低为经典模拟。此外，我们描述了λ2中的一个新的顶点，该顶点在已知的分类之外。虽然经典模拟的硬度对于λN的大多数极端点仍然是一个空的问题，但上述结果将量子计算的有效经典模拟扩展到了当前已知的范围之外。
