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World File Search System激光器
可扩展的单粒子混合III-V/SI激光器，用于新兴的狭窄线宽应用
摘要：与大规模硅制造兼容的硅光子学是一个破坏性的光子平台，表明对行业和研究领域（例如量子，神经形态计算，LIDAR）具有重要意义。尖端应用，例如高容量相干的光学通信和杂差激元，已升级对集成窄线宽激光源的需求。为此，这项工作旨在通过开发高性能混合III-V/硅激光来满足这一要求。开发的集成激光器利用单个微孔谐振器（MRR），演示了超过45 dB的侧模式抑制比（SMSR）的单模操作，激光输出功率高达16.4 mW。远离需要多个复杂控制的当前混合/异质激光体系结构，开发的激光体系结构仅需要两个控制参数。重要的是，这是通过降低表征这些激光器的复杂性来简化工业采用的。通过简洁的结构和控制框架，实现了2.79 kHz的狭窄激光线宽，低相对强度噪声（RIN）达到-135 dB/hz。此外，在测量10 dB的信噪比（SNR）的情况下，证明了12.5 GB/s的光学数据传输。
与免费电子激光器和高功率IR-THZ的科学...
[2] M. Narayanan等。，“通过钒掺杂：生长，光学和terahertz表征的半绝缘β-GA2O3单晶”，J。Cryst。增长，第1卷。637–638，p。 127719，7月2024。
填充的空心芯光纤激光器
未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。此预印本的版权持有人（该版本发布于2024年4月2日。; https：//doi.org/10.1101/2024.04.04.04.04.04.04.04.02.587715 doi：Biorxiv Preprint
在ER掺杂的磷酸盐玻璃中的浓度猝灭，用于紧凑的光激光器和放大器
在ER掺杂的磷酸盐玻璃中淬灭，用于紧凑的光激光器和放大器 / Pugliese，迭戈； Boetti，Nadia Giovanna； Lousteau，J。； Ceci Ginistrelli，Edoardo； Bertone，Elisa； Geobaldo，Francesco；米兰，丹尼尔。- 在：合金和化合物杂志。- ISSN 0925-8388。-657：（2016），pp。678-683。[10.1016/j.jallcom.2015.10.126]
超快纤维激光器中不连贯的耗散孤子
不连贯的激光脉冲的自我形成似乎是自相矛盾的，既涉及强大的不稳定性和时间定位过程。不一致的脉冲状态在超快激光动力学中均经常出现。在本文中，我们通过实时录制不同的腔体分散液体下的不一致的脉冲动力学来带来决定性的实验数据。我们的测量值强调了发挥作用的不同主导机制。虽然孤子脉冲塑形有助于在异常分散体中创建一堆混乱的脉冲，而正常分散体状态下的不一致的脉冲遵循强烈的湍流耗散动力学。数值模拟在定性上很好地重现了观察到的动力学的最终堆积阶段。通过显示共同的动力学特征和差异，这些结果支持了不一致的耗散孤子的一般概念的发展。
单片集成在锗上的量子级联激光器
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
用于 LiDAR 应用的盖革和线性模式的微芯片激光器和雪崩光电二极管面包板
1 里斯本大学理学院天体物理和引力中心 (CENTRA)，坎普大区，里斯本 1749-016，葡萄牙； ana.sousa@synopsisplanet.com （广告）; pintografael@gmail.com （RP）; bac@sim.ul.pt （BC）; bnarribas@gmail.com（印度）； hugo.onderwater@synopsisplanet.com （HO）; prgordo@fc.ul.pt (PG) 2 Synopsis Planet，Advance Engineering Unipessoal LDA，2810-174 Almada，葡萄牙 3 里斯本大学科学学院天体物理和空间科学研究所，Campo Grande，1749-016 Lisbon，葡萄牙； maabreu@fc.ul.pt 4 里斯本大学高等技术学院（IDMEC），Av. Rovisco Pais 1, 1049-001 里斯本，葡萄牙 5 蔚蓝海岸大学，蔚蓝海岸天文台，法国国家科研中心，拉格朗日实验室，06304 尼斯，法国； patrick.michel@oca.eu * 通信地址：ruimelicio@gmail.com;电话：+351-218-417-351
低点量子点激光器直接生长在硅上，在高温下表现出低阈值电流和高输出功率。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂，在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是，III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍，从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战，证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的，其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量，并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流，高温操作达到165°C。在80°C，对于数据中心应用至关重要，它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外，使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制，这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。
垂直腔体发射激光器具有改善的宽温度依赖性
垂直腔体发射激光器（VCSEL）是高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中高速和功率短得分光学互连（OIS）的首选光源。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络和光网络中，需要在温度范围更大的温度范围内运行，例如从 - 40到125°C。VCSEL是OI温度最敏感的组件，并且成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作需要降低温度依赖性的VCSEL，在温度范围更大的情况下运行。VCSER性能的温度依赖性源于光谱和共振波长偏移之间的光学增益和不匹配的变化。减轻这些效果的方法包括使用具有适当增益式失调的VCSEL和增益工程，以扩大光学增益频谱。本文研究了在大温度范围内优化运行的850 nm VCSEL。关键研究包括阈值 - 旧电流与性能参数（纸张A）的相关性和chire QW VCSels的设计，以稳定跨温度（Pa-per）。洞察设计为极端环境设计强大的VCSEL。
高功率激光器增强反舰巡航导弹能力
马里兰州国家港口——海军水面作战中心达尔格伦分部激光武器杀伤力杰出科学家克里斯托弗·劳埃德周三表示，海军在部署高能激光系统方面取得了重大进展，该系统可以满足海军作战部长迈克尔·吉尔迪上将的2021年导航计划对定向能系统的需求，该系统能够击败反舰巡航导弹。