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World File Search System激光干扰
卫星量子密钥分发易受地面激光干扰
摘要：卫星介导的量子密钥分发 (QKD) 将成为长距离量子安全通信的关键技术。虽然卫星 QKD 无法被有效窃听，但我们表明，它可以通过相对简单且随时可用的设备进行破坏（或“干扰”）。我们开发了一个大气衰减和卫星光散射模型，以估计离轴激光器可以注入卫星 QKD 通道的过量噪声光子的速率，并计算出这种增加的噪声对量子比特误码率的影响。我们表明，由于地面上的 QKD 接收器检测到从卫星散射的光子，1 kW 级的地面激光器可以严重破坏现代卫星 QKD 系统。这类激光器可以商业购买，这意味着这种破坏方法可能对未来通过卫星 QKD 有效保护高价值通信构成严重威胁。我们还讨论了这些结果与卫星介导 QKD 系统未来可能的发展的关系，以及可以采取的针对此类破坏和相关方法的对策。
MOF薄膜的可逆和不可逆的激光干扰模式
摘要：薄膜上和晶体内部的激光干扰图案是今天创建用于光学数据处理所需模式的功能强大的工具。在这里，我们分别通过水解吸和热分解过程在金属有机框架（MOF）薄膜上表现出可逆和不可逆的激光干扰。已经实现了不可逆的干扰模式，其带有高达5 µm的条带的不可逆转的干扰模式已经实现，并且使用共焦拉曼和反射光谱以及原子力显微镜表征了其形态。我们透露，将干扰最大值之间的距离从10.5降低到MOF的5 µm记录，使不可逆模式的表面粗糙度增加了10倍。另一方面，可逆的激光模式提供了可变光学对比度的完全无损的效果。获得的实验结果为使用MOF晶体作为光敏材料的模板图中所需模式的模板图中的光敏材料开放了前景。
通过超短脉冲直接激光干扰图案靶向表面功能化提高Cu表面的抗菌效率
生物污染。[1]世界卫生组织（WHO）的当前估计表明，如果目前的趋势持续下去，到2050年，由抗多药物的细菌造成的死亡人数可能每年增加到一千万。[2]通过使用积极的抗菌材料（如铜（CU）和非基于phar-Maceutical抗体的抗微生物材料），通过使用积极的抗微生物材料来降低细菌对技术和经常接触的接触表面的生存能力，是降低细菌在技术上和经常接触的接触表面上的生存能力的一种方法。在这里，CU显示出更广泛的应用的巨大潜力，[3,4]回顾了反复重新发现其无菌性抗性的多千年历史[5]，而它也作为人类代谢中心过程的痕量元素也参与了痕量元素。[6]相反，Ag在低量的情况下表现出毒性，[7]必须在抗菌施用的情况下精确调整给药，以避免否定性免疫反应。[8]由于释放的铜离子的毒性作用，细菌[9,10]以及病毒[11]在粘附在干燥和潮湿的环境中，粘附在粘液表面时迅速被杀死。Cu的抗菌特性与遭受攻击的微生物释放和吸收的离子量密切相关，在使用CU作为抗菌剂时，必须考虑特定效果：1）
基于尖锐的纳米制动尖端的高分辨率光子力显微镜
图1：提示制造和光学设置。a）微加工过程。圆柱颗粒是通过激光干扰光刻产生的，蚀刻了一个石英底物，其中沉积了800 nm厚的SIO 2层。HF的调谐酸变薄会在SIO 2层中产生锋利的尖端。然后将粒子机械地裂解底物。b）切割颗粒的扫描电子显微镜图像，其中一个尖端的对比度已得到增强，以清晰度。尖端的曲率半径为35 nm。c）光学陷阱的示意图，固定粒子并用锋利的尖端扫描样品表面。d）示意性光学设置。L/2: half-wave plate, PBS: polarizer, AOM: acousto-optical modulator, NPBS: non-polarizing beam splitter, Exp: beam expander, T1:1 : one to one telescope, Obj: Objective, Cond: Condenser, PD: photodiode (to acquire S z ), PSD: position sensitive detector (to acquire S x,y ), IRCCD: infra red CCD camera, VISCCD：可见的CCD相机。）
纳米结构的gaas-on-s-on-si基板上的Ingaas量子点的线性阵列
在SI中集成的高质量量子点（QD）的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此，了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里，我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si（001）底物的分子束，由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用，表明，当QDS的生长选择性，横向顺序和尺寸均匀性的提高时，QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外，x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si（001）底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从（111）迁移到（111）到（001）纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素，它们的形态和结构与GAAS（001）和Si（001）平面表面上的形态和结构不同。