暴露于超短脉冲激光器(UPL)的聚合物(UPL)经历了一系列物理和化学变化,这些变化在从材料加工到高级光子学和生物医学的应用中起着关键作用。为了阐明UPL与聚合物材料的相互作用,假设聚碳酸酯(PC)是暴露于中等能量的激光脉冲的测试材料,则研究了超快现象,例如载体动力学,重组和松弛。为介电材料开发的理论模型被扩展,以描述PC的未开发的激发和载体动力学,而femtsecond瞬时吸收光谱用于阐明材料的响应和超快动力学的演变。使用理论模型来解释实验测量结果表明,能量水平的存在促进了自我捕获的激子在传导和价带之间的自我转移的形成(低于传导带的2.4-2.8 eV)。它还可以预测电子播寿命(约110-150 fs),重组时间(约34 ps)和由于kerr效应而折射率的非线性部分(𝑛2值范围为1.1-1.5×10 -16 cm 2 /w)。此外,还强调了多光子辅助电离的主要特征,而还计算出光学崩溃阈值并发现等于2.55×10 12 W/cm 2。结果预计将支持旨在阐明强烈超短激光脉冲与聚合物材料相互作用的未来努力,这对于优化这些材料的制造过程至关重要。
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来,为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束,这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸,我们可以获得半导体内部的优化条件,从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术,我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似,但我们表明,重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变,从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此,这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平,并且是一种新颖的冲击写入模式,可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构,而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化,通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门,而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
在许多领域学习材料的能力至关重要。随着技术的进步,现在可以详细研究原子化。本文在检查不同的反应时研究了两个因素,包括带宽和选择性。具体来说,它探讨了激光脉冲的持续时间如何影响研究过渡时能量和选择性的宽度。这是使用由Morlet小波建模的FEMTO-和ATTSOND脉冲的模拟完成的。然后将这些脉冲转换为傅立叶,以根据海森伯格的不确定性原理来分析该脉冲中所含能量的宽度。费米的黄金法则和电子结合能的表用于定性评估选择性。结果表明,1 FS脉冲对应于FWHM能量中的约1 eV,而A为脉冲对应于FWHM能量中约1000 eV。选择性在多个跃迁耦合时随着带宽的增加而,但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时,会改善。 状态的密度也会影响选择性;较高的密度降低了选择性,而较低的密度可以增强它。,但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时,会改善。状态的密度也会影响选择性;较高的密度降低了选择性,而较低的密度可以增强它。
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来,为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束,这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸,我们可以获得半导体内部的优化条件,从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术,我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似,但我们表明,重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变,从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此,这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平,并且是一种新颖的冲击写入模式,可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构,而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化,通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门,而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
半导体的飞秒激光处理已演变为成熟的高精度制造技术,从而实现了广泛的应用。最初大多数研究都采用了近乎红外波长的脉冲,但由于不同的激发条件,由于较短的光学渗透深度,因此使用紫外线激光脉冲的兴趣正在不断增加,从而导致分辨率提高。在这种情况下,为了理解和最终控制复杂的相变途径,需要对这种脉冲触发的相变的时间动力学进行基础研究。在这里,我们报告了一项详细的时间分辨研究,以使用单个400 nm,100 fs激光脉冲在中等和高激发方向进行辐照后,晶体硅和锗的相变动力学。为此,我们采用了FS分辨的光学显微镜,探头波长为800 nm,以研究辐照表面的反射率演变,范围从100 fs到20 ns,范围为100 fs。在中等激发的情况下,数据揭示了激光诱导的过程的整个序列,从产生自由电子等离子体,非热融化,消融和半透明消融层的膨胀层的扩展。在峰值流体的激发时超过30倍消融阈值,观察到异常的瞬态高反射率态,这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。 此外,在中度的辐射后,两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。超过30倍消融阈值,观察到异常的瞬态高反射率态,这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。此外,在中度的辐射后,两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。总体而言,我们的结果提供了有关FS-Pulse激发在近绿色波长范围内两种材料的最终状态的相关信息。
文献中,较小的间距可预期较高的剪切强度。事实上,在之前关于飞秒激光粘合两层 PMMA 层的研究 [20] 中发现,每次激光通过产生的缺陷和空隙都会被下一条激光线产生的熔融材料填充。因此,增加连续激光线之间的重叠可提高焊接强度。相反,在我们的案例中,当激光束经过之前产生的激光修改线时,即当 h/w < 1 时,可以注意到剪切强度的降低。该结果可以归因于 PMMA 和硅之间的锚定“断裂”,这是由于激光在已经加工好的线上扫描造成的。另一方面,增加间距对剪切应力有负面但不太明显的影响。这可能
● 农业生产、水产养殖、城市化、工业化、旅游相关发展和人口增长导致对水的需求不断增长。 ● 农村地区城市、工业、水产养殖和农用化学品和化肥径流产生的废水导致水污染加剧。 ● 沿海地区因气候变化导致盐度入侵加剧,农作物产量受损。 ● 省级当局在自然资源管理中有效推广和实施循环经济,以促进废水回收利用行为的改变。 ● 由于现行法律法规不明确,各机构之间存在差距、重叠和协调挑战。这阻碍并限制了循环经济实践的应用。 ● 越南尚未出现成功案例,展示向循环经济过渡的好处,以鼓励行业在其运营中应用循环经济政策和实践。 ● 供水和水处理设施基础设施薄弱,社区对水处理和再利用的认识不足,用户对废水再利用的安全和卫生问题未得到解决。
摘要通过极端超紫罗兰(XUV)attosecond激光脉冲对原子或分子的光电离,需要仔细考虑来自光电离过程导致的离子 +光电子纠缠程度。在这里,我们考虑通过the骨的attosent激光脉冲对中性H 2的光电离心引起的相干H 2 +振动动力学。我们表明,chi脚的激光脉冲导致离子 +光电子纠缠以及从纯状态到混合状态的过渡。这种过渡的特征是评估纯度,对于转换限制的attosent激光脉冲而言,它接近统一性,并降低到由在光电离过程中填充的振动态数确定的值,以增加chirp参数的值。在计算中,通过用短的超紫色(UV)激光脉冲计算H 2 +阳离子的时间延迟解离来探测振动动力学。独立于chirp的大小,可以通过记录XUV-UV延迟依赖性动能与随附的光电子的动能,从而恢复相干的振动动力学。
此外,通过利用现场发射透射电子显微镜(Fetem,Jeol Model JEM-2100F)来分析样品。为此,将制备的PDSE 2 -IPA上清液在约1:3的体积比下稀释,然后将稀释的溶液滴在Cupper网格上,并在真空干燥机中在60°C下干燥24小时。在图3(a)中,显示了随机选择的薄片的TEM图像,其中所选薄片的侧向尺寸分别在短轴中约为103 nm,在长轴中分别为207 nm。这些结果与AFM测量的观察非常匹配。此外,如图3(b)所示,以高分辨率的TEM量表进行了样品,以高分辨率的TEM量表进行了研究,该量表列出了一些PDSE 2的晶体晶格平面。晶格平面分别确定为(102),(112)和(212),这些晶格平面分别与0.35 nm,0.30 nm和0.22 nm的d间距相对表[62]。此外,如图3(c)所示,从所选区域电子衍射(SAED)模式中检测到了几个代表PDSE 2的晶格平面的多态环。这些数据表明PDSE 2样品具有高结晶度和多晶特征。我们的数据也与先前证明的结果相当一致[62]。在图3(d)中,