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World File Search System激活能
通过阻抗测量值对Algan/GAN自切换二极管中陷阱状态的分析
在过去的几年中，基于Algan/GAN异质结构的设备因其物质特性而受到了极大的关注，包括宽带，高电子迁移率和二维电子气体（2DEG）的高密度，使其成为高功率和高频应用的最佳选择之一。然而，在散装或表面上存在几个不同性质的陷阱，阻碍了这些设备的性能，其行为的不良变化并限制了其可靠性[1]。捕获gan设备中的效果是显着的，这是两个有趣的原因。首先，它们可以通过捕获电子来耗尽2DEG，从而减少电流。第二，它们的缓慢性质会导致频率分散，从而限制了它们的动态性。最近，已经使用了多种技术来研究捕获机制的行为[2-4]，这是由阻抗测量组成的最流行方法之一，允许查找电荷陷阱的激活能（E A）。晶体管中的表面和散装陷阱通常与经典的小信号等效电路并行或串联为RC电路建模，从而捕获设备输出阻抗的频率分散体。为了确定陷阱的参数，必须以广泛的温度（首先进行）进行AC表征，因为陷阱机制的影响在降低温度时会增加，其次，因为人们可以观察到电荷释放的热激活。
将CO2吸收到碳酸钾溶液中的动力学分析 利用数据驱动的光伏能力预测的气象预测 管电压对旋转X射线阳极侵蚀的影响 双眼摄像机应用程序：视障的导航系统 Agrivoltaic建模：扇区概述 使用分子建模方法探索碳水化合物构象和连接 算法交易的机器学习主题 激光诱导的生物质石墨烯的技术经济评估
co 2气液吸收是具有碳捕获和存储（BECC）的生物能源最相关的技术之一。目前建议在压力/温度旋转过程中碳酸钾作为最可行的BECC过程，在该过程中，它缓冲了CO 2与羟基离子的吸收反应。在整个过程中，溶剂加载在进入吸收器之前将吸收器进入高度之前从低点变化。对于工艺设备的尺寸，在任何情况下都必须知道吸收动力学。为了研究动力学参数，开发了测量设置，并在50至75°C之间测量了溶剂载荷为0.3至0.7的CO 2吸收液的溶剂溶液。通过将CO 2吸收到纯水中来测量传质系数。反应速率常数K OH的获得值显示在增加溶剂载荷时激活能的减少。通常，溶剂加载的增加会导致K OH的值增加。但是，由于较高的负载下pH值较低，可观察到的吸收率降低。一种克服碳酸钾的动力学限制的方法是吸收启动子的利用。在吸收过程中合成并测试了模仿化合物锌（II）循环的碳赤铁蛋白酶。在研究条件下，未发现Zn（II） - 循环的促进作用。
[Z77'.,7' 777 - S3VI
- 威布尔形状参数 TCR - 电阻温度系数 C - 电容值 THS - 热点温度 CR - 循环速率 V - 电压 D - 缺陷密度 VA - 施加的最大电压 D056 - 空军维护数据库 VR - 额定电压 DIP - 双列直插式封装 X - 电介质厚度 DPDT - 双刀双掷 AT - 温度变化 Ea - 阿伦尼乌斯关系中使用的激活能 EMP - 电磁脉冲 ESD - 静电放电 F - 故障 FLHP - 全马力 FSN - 联邦库存编号 I 电流 IC - 集成电路 IPB - 图解零件故障 K - 玻尔兹曼常数 L - 电感 S - 故障率 LC - 生命周期 MCTF - 平均故障周期数 MLB - 多层板 MTTF - 平均故障时间 NOC - 未分类 P - 电源 PC - 印刷电路 PCB - 印刷电路板 PGA - 引脚栅格阵列 PPM - 百万分率 PWB -印刷线路板 0 - 热阻 QPL - 合格产品列表 R - 电阻（单位：欧姆） RF - 射频 RIW - 可靠性改进保证 S - 应力比 SIP - 单列直插式封装 SMC - 表面贴装元件 SMT - 表面贴装技术 SPC - 统计过程控制 SPST - 单刀单掷 SR 串联电阻 SSR 固态继电器 T - 温度 TA - 环境温度
反应动力学
Reaction Kinetics Dr Claire Vallance First year, Hilary term Suggested Reading Physical Chemistry , P. W. Atkins Reaction Kinetics , M. J. Pilling and P. W. Seakins Chemical Kinetics , K. J. Laidler Modern Liquid Phase Kinetics , B. G. Cox Course synopsis 1.简介2。反应速率3。费率法律4。速率常数的单位5。综合费率法律6。半寿命7。从实验数据中确定速率定律（i）隔离方法（ii）差分方法（iii）积分方法（iv）半寿命8。实验技术（I）混合反应物和启动反应（II）技术的技术（II）技术，以监测浓度作为时间（III）温度控制和测量的函数9.复杂反应10。连续反应11。均衡性12。稳态近似13。“单分子”反应 - Lindemann-hinshelwood机制14。三阶反应15。酶反应 - Michaelis-Menten机制16。链反应17。线性链反应氢 - 溴反应 - 氢 - 氯反应氢 - 碘反应的氢反应比较18.爆炸和分支链反应氢 - 氧反应19。反应速率的温度依赖性Arrhenius方程和激活能量复杂反应的总体激活能催化20。简单碰撞理论
关于硝酸盐盐和普罗尼克离子液体混合物的物理特性
我们报告了一项系统的研究，该系统研究盐浓度及其阳离子价对模型的混合物的多种等分和转运性能，其混合物具有单价（Lino 3）的硝酸盐（lino 3），二价（mg（no 3）2和Ca（no 3）2和Ca（no 3）2）和（no 3）3）salts。由适当的实验技术确定的这些特性包括密度，声速，折射率，表面张力，电导率和粘度。单粒子动力学和径向分布函数也通过分子动力学模拟进行了分析。在Vogel-Fulcher-Tammann框架中研究了电导率的温度依赖性，我们获得了有效的激活能量，脆弱性指数和Vogel温度。此外，我们进行了高温Arrhenius分析，并计算了电导率和粘度的激活能。最后，获得了不同混合物的分数Walden规则的指数，并分析了系统的离子和脆弱性，证明所有混合物都是亚离子和脆弱的。在其第一个溶剂化壳中建立的由添加盐的阳离子和硝酸盐阴离子组成的长寿命阴离子聚集体的氢键网络的变形以及长寿命的阴离子聚集体的形成是对分析特性产生的深影响。细节分析了盐阳离子的表面电荷密度对溶液的结构和运输特性的作用，并与离子液体极性纳米孔（纳米结构溶剂化）中盐物质的溶剂化有关。2022作者。由Elsevier B.V.这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
甲烷基微生物环境中温度依赖性的复杂性
几乎没有不依赖温度的环境过程。这包括导致CH 4（重要温室气体）产生的微生物过程。微生物CH 4的产生是许多不同微生物和微生物过程的组合的结果，它们共同实现了有机物的矿化对CO 2和CH 4的矿化。温度依赖性适用于每个单独的步骤和每个微生物。本综述将讨论温度依赖性的不同方面，包括影响各种微生物过程的动力学和热力学的温度，影响有机物降解和CH 4产生的途径，并影响所涉及的微生物社区的组成。例如，发现升高的温度会导致甲烷途径的变化，从主要乙酸盐的贡献增加到主要是H 2 /CO 2作为直接CH 4前体，并通过替代乙酸乙酸乙酸苯乙酸酸性的呼吸幼稚的甲基化甲基化甲基甲基化的甲基化甲基元素。这种转移与反应能量学是一致的，但不是必须的，因为存在高温环境，在该环境中，嗜热乙酸古细菌消耗了乙酸。许多研究表明，CH 4的生产率随温度显示最佳温度和特征明显激活能（E A）而增加。因此，最终而不是最初的步骤控制有机物的甲烷作降解，显然很少处于稳定状态。有趣的是，CH 4从定义的微生物培养物，环境样品和湿地田地释放，均显示出相似的E a值，这表明CH 4的生产率受到甲烷古细菌的限制，而不是受到有机物的水解的限制。
表面处理对通量可调的transmon Qubits
在本研究文章中，讨论了抛物线表面上的2D非牛顿Sutterby纳米流体流动的行为。在表面浮力驱动流动的边界区域发生，这是由于反应发生的相当大的温度差异发生在Sutterby Nanofluid和表面的催化剂之间。在抛物线表面上很容易看到的自由对流是通过在催化剂表面上的反应引发的，该反应模拟了一阶激活能。抛物线表面的应用是子弹，汽车帽子和空气工艺品的上部盖。在讨论流下进行数学建模，通过实施微生物的浓度，动量，质量和热量来建模。系统的管理方程是非线性PDE的形式。通过使用相似性变换，理事PDE的转换为非二维颂歌。通过内置函数MATLAB软件包（称为“ BVP4C”）在数值上求解了非尺寸ode的最终系统。图形表示显示了系统浓度，速度，微生物和系统的温度曲线的影响。在温度曲线中，我们检查了嗜热系数NT（0.1、0.5、1.0），prandtl Number pr（2.0、3.0、4.0）和Brownian运动变量NB的影响（0.1、0.3、0.5）。速度轮廓取决于非二维参数，即（Deborah Number de＆Hartmann Number ha），发现这些数字（de，ha）会导致个人资料倒塌。此外，还计算出传质，皮肤摩擦和传热速率。该研究的目的是列举抛物线表面对热和质量通过生物相关的Sutterby Nanofluid流动的重要性。
肖特基轻掺杂 P-中的捕获效应研究……
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应，并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时，平带电压的变化可以忽略不计，这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异，这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外，提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法，除了传统常开型高电子迁移率晶体管（HEMT）中发现的浅陷阱态[陷阱激活能（ET）约为0.334–0.338 eV]之外，在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态（ET约为0.467–0.485 eV）。观察到随着辐照剂量的增加，浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外，深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低，但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌，该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
竹材Al(Cu)合金的电迁移行为及可靠性...
具有竹节粒结构、顶部覆盖 Al 3 Ti 层并以 W 柱终止的 Al(Cu) 细线是 Si 集成电路中越来越常见的一类互连线。这些线易受跨晶电迁移引起的故障影响。电迁移引起的应力演变可以用一维扩散-漂移方程建模，该方程的解需要了解传输参数。通过开发和执行使用在氧化 Si 基板上制造的单晶 Al 互连线的实验，明确地确定了 Al 中 Al 和 Cu 的跨晶扩散和电迁移特性。在顶部覆盖多晶 Al 3 Ti 覆盖层的钝化 Al 单晶线（2.0 μm 宽，0.4 μm 厚）上进行了加速电迁移寿命测试。覆盖层由 Al 与 Ti 覆盖层的反应形成。电迁移引起失效的激活能确定为 0.94±0.05 eV。以前对没有 Al 3 Ti 覆盖层的 Al 单晶的研究得出的激活能为 0.98±0.2 eV，寿命相似。结论是，Al 3 Ti 覆盖层不会影响跨晶电迁移的动力学和机制。此外，这些结果表明，单晶 Al 互连线电迁移引起失效的限速机制不是扩散，或者令人惊讶的是，Al 沿 Al/Al 3 Ti 界面的扩散率大约等于或低于 Al 沿 Al/AlO 界面的扩散率。还通过实验研究了 Cu 在单晶 Al 线中的扩散和电迁移特性。测试结构由平行线（5.0 μm 宽，0.4 μm 厚）组成，交替线终止于共用接触垫。铜被局部添加到所有线的相同区域，并通过分析 Cu 的浓度分布来表征温度和电流密度的影响
推荐引用推荐引用A. D. Stanfield等，“直接电流ZRB2的最终阶段致密动力学”，《
烧结（DC）和两者使用原位反应的变体已成为产生相对密度以上相对密度的相纯UHTC的偏爱烧结方法。15–19对于IV组的烧结（0.65 <ρ相对<0.90）的中间阶段，据报道，据报道的激活能量范围为140至695 kJ/mol的Zrb 2，56至774 kJ/mol的TIB 2，以及96 kJ/mol的HFB 2。5,20–23总体而言，研究得出的结论是，尽管激活能的值应仅取决于致密化的机械性，但更细的初始粒径和增加的压力降低了激活能量。对于烧结的中间阶段，Lonergan报道说，晶界扩散是在2000℃低于2000℃的反应热的Zrb 2中的主要机制，其激活能为241 kj/mol，但晶状体扩散成为2000°C的主要机制，其激活能量为695 kJ/mol。21 Kalish研究了HFB 2的极端压力（800 MPa）下的致密性最后阶段的动力学，并报告了激活能为96 kJ/mol。kalish建议该机制可能是脱位流，因为激活能量足够低，但没有提供其他机械的证据。kalish最终得出结论，在HFB 2的致密阶段，HF的B或晶界扩散是HF的晶界扩散是主要机制。5从那时起，几项研究报告了硼化物中的脱位运动。Koval'Chenko得出结论，脱位运动受到金属sublattice中金属物种的自扩散的限制。2424–29 Koval'Chenko螺柱的钼和钨硼的致密动力学，并报道激活能量是压力的独立性，这表明脱位滑行过程。28 bhakhri估计了使用压痕实验的154±96 kJ/mol中ZRB 2中脱位运动的活化能，并假设汉堡矢量沿着<1 0 0 0 0>方向。