2 泰国微电子中心(TMEC)、国家电子和计算机技术中心、国家科学技术发展局、Chachoengsao 24000,泰国电子邮件:a s6209091960016@email.kmutnb.ac.th,b,* ekachai.j@tggs.kmutnb.ac.th(通讯作者),c hwanjit.rattanasonti@nectec.or.th,d putapon.pengpad@nectec.or.th,e karoon.saejok@nectec.or.th,f chana.leepattarapongpan@nectec.or.th,g ekalak.chaowicharat@nectec.or.th,h wutthinan.jeamsaksiri@nectec.or.th 摘要。本文针对低压工作范围提出了一种改进的微机电系统 (MEMS) 压阻式压力传感器设计,该传感器由花瓣边缘、横梁、半岛、三个横梁和一个中心凸台组合而成,以提高传感器性能,即灵敏度和线性度。利用有限元法 (FEM) 预测 MEMS 压阻式压力传感器在 1-5 kPa 施加压力下的应力和挠度。利用幂律制定纵向应力、横向应力和挠度的函数形式,然后将其用于优化所提设计的几何形状。仿真结果表明,所提设计能够产生高达 34 mV/kPa 的高灵敏度,同时具有 0.11% 满量程 (FSS) 的低非线性。半岛、三个横梁和中心凸台的设计降低了非线性误差。通过增加花瓣边缘宽度可以提高灵敏度。还将所提设计的传感器性能与文献中先前的设计进行了比较。比较结果表明,所提设计的性能优于先前的设计。关键词:MEMS、压阻式压力传感器、有限元法、灵敏度、线性度。
正如在太阳能电池制备中大热的铅基钙钛矿一样,铋基钙钛矿在直接X射线检测中也表现出了优异的性能,尤其是Cs 3 Bi 2 I 9 单晶(SC)。但与铅卤化物钙钛矿相比,Cs 3 Bi 2 I 9 SC在X射线检测应用方面的一个挑战是难以制备大尺寸和高质量的SC。因此,如何获得大面积高质量的晶片也与Cs 3 Bi 2 I 9 生长方法研究一样重要。这里,使用不同的反溶剂制备多晶粉末,采用反溶剂沉淀法(A),作为对照,还采用高能球磨法(B)制备多晶粉末。制备的两种Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的微应变为1.21 × 10 −3 ,电阻率为5.13 × 10 8 Ω·cm ,微应变为1.21 × 10 −3 ,电阻率为2.21 × 10 9 Ω·cm 。基于高质量Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的X射线探测器具有良好的剂量率线性度,灵敏度为588 µC∙Gy air s −1 ∙cm −2 ,检测限(LoD)为76 nGy air ∙s −1 。
abtract。量子电路复杂性 - 实施给定统一转换所需的最小门的量度 - 是量子计算中的基本概念,其广泛应用程序从确定量子算法的运行时间到了解黑洞的物理学。在这项工作中,我们使用灵敏度,平均灵敏度(也称为界限),魔术和连贯性研究量子回路的复杂性。我们以消失的灵敏度来表征一组单位,并表明它与对照门家族一致。由于匹配机是可拖动的量子电路,因此我们证明了量子加速的灵敏度是必需的。作为魔术是量化量子优势的另一种措施,了解魔术与灵敏度之间的关系很有趣。我们通过引入傅立叶熵 - 影响关系的量子版本来做到这一点。我们的结果对于理解灵敏度,魔术和连贯性在量子计算中的作用至关重要。
在本技术说明中,Sciex 7500系统上的技术创新被利用以提高许多具有挑战性的法医工作流程的灵敏度和总体量化性能。通过比较Sciex 7500系统和上一代仪器QTRAP 6500+系统上观察到的信号来研究这些灵敏度增长的影响。结果显示了检测下限(LLOD)和定量(LLOQ)的改进,这些限制提供了常规,鲁棒检测从具有挑战性的生物矩阵中提取的超低分析物的能力。这种提高的灵敏度还可以使较小的样品和注射体积可显着最大程度地减少矩阵干扰,因此提供了更一致的电离。结果还表明,可以利用增加的灵敏度来简化样本准备程序,从而提高了常规分析的生产率。能够分析这些化合物而无需艰苦且耗时的样本准备程序,提高了整体运营效率和吞吐量,从而使法医测试实验室能够超过其当前的生产率水平。
为目标的材料合成实验并寻找新材料。显示了每个项目获得的直接结果的摘要。 [1] AT 4 我们根据结果研究了合成新物质的可能性。在此过程中,我们关注的是 A 3 T 4 Al 12,它是一种外围材料,尽管它与方钴矿结构不同。例如,在Gd 3 Ru 4 Al 12 中,电子自旋表现出螺旋磁序,有人指出它可能与传导电子结合而表现出拓扑量子磁性[1-2]。以此报告为参考进行进一步研究后,我们预计Os取代产物可能会表现出更明显的拓扑量子磁性,因此我们继续反复试验以确定是否可以合成它。 2002年报道了这种材料的合成[3],但尚未获得单晶,预期的拓扑量子磁性也是未知的。 通常,提拉法和浮区法等提取方法用于生长金属间化合物晶体,但由于使用剧毒原料(本实验中使用Os),因此无法使用这些方法。 。替代助焊剂和化学品运输方法已尝试了一年多,但没有成功。最终,我们设计了独特的高压反应容器,并利用高压自熔法成功生长了Gd 3 Os 4 Al 12 晶体(图1)。 使用Ta胶囊(外径5.9mm×高7.0mm×厚度0.2mm,Sunric制造)作为高压容器,并且使用BN内胆以避免与样品粉末直接接触。 BN内层是通过切割BN成型品(圆棒、直径5.4mm×长度100mm、Denka N-1)而制作的。 BN内衣预先在真空中1500℃和氮气中1900℃下进行热处理以去除杂质。将原料粉末填充Ta胶囊并密封的工作均在手套箱中进行,以防止Os粉末氧化。
1.委托工作目的(1)研究课题的最终目标本研究的目的是实现一种具有高抗磁场能力和磁场灵敏度的高温超导SQUID磁传感器,主要针对磁场偏差型(梯度仪)传感器配置方法和制造技术进行基础研究。为此,在三年的工作中,我们对采用高性能约瑟夫森结技术的交叉布线和氧化物薄膜堆叠技术等制造技术进行了研究,这些技术是在波动磁场下稳定工作和高灵敏度的关键。首先,优化包括接合阻挡材料在内的制造条件。在这些优化的制造条件下,我们将制造和评估磁场偏差型传感器,并建立一种构建高平衡和高灵敏度磁场偏差型传感器的方法。此外,以实现高温超导SQUID磁传感器在密闭容器中长期稳定运行为目标,我们还将开展传感器冷却和安装方法的基础研究。我们主要研究了液氮和小型冰箱相结合的冷却方法,研究了最大限度减少外部热量流入的实施方法、冰箱的排气热处理方法和降噪方法,目的是获得有关冷却和安装方法的知识。使传感器长期稳定运行。 作为本研究最终目标的高温超导SQUID磁传感器的性能如下。 ・磁场调制电压宽度:平均 60 µV 以上(在磁屏蔽室中测量) ・磁场偏差型传感器的不平衡:1/10 4 以下(在磁屏蔽室中测量) ・磁场偏差灵敏度(@ 1 kHz):1 pT/(Hz) 1/2 m 或以上(传感器噪声在磁屏蔽室内测量,磁通-电压转换系数在磁屏蔽室外测量)关于冷却和安装技术,以下是最终目标。 ・将在常压室温环境和地球磁场中对内置于密封容器中的高温超导SQUID磁传感器进行连续运行测试,并确认三天或更长时间的稳定运行。 (2) 为了实现最终目标必须克服或澄清的基本问题 为了实现最终目标必须克服的基本问题如下。 ①耐高磁场高温超导SQUID磁传感器配置方法的建立①-1 SQUID基本性能的提高SQUID磁传感器是一种宽带矢量传感器,以超高灵敏度检测与检测线圈交联的磁场,与其他磁性传感器类似,它具有其他磁性传感器所没有的功能。当使用SQUID作为磁传感器时,形成包括磁通锁定环电路(以下称为“FLL电路”)的反馈环路以使输出线性化,并且如果磁场波动较大,则工作点被固定(锁定)。随着时间的推移,反馈将无法跟随它,并且工作点会波动(失锁),从而无法进行连续测量。因此,当使用SQUID磁传感器,特别是使用一个检测线圈的磁力计传感器(磁力计)时,在地磁准静止条件下,例如在没有较大姿态变化的海底,或者当在电磁场施加磁力时使用对于勘探或无损检测领域来说,对磁场波动的跟踪能力(能够保持锁定状态的磁场随时间变化的最大dB/dt,以下简称“间距”)非常重要。有必要提高成卷率。对于稍后将讨论的磁场偏差型传感器,这也是提高对磁场不平衡分量的时间波动和意外电磁噪声的抵抗力的重要问题。转换速率取决于FLL电路的带宽,但它与磁场调制电压宽度(V)成正比,这是SQUID的基本性能。另一方面,V是SQUID基本规则
我非常感谢 Jaan Praks 在整个项目中的指导以及许多富有启发性的讨论。我还要向 Andris Slavinskis 表示最诚挚的谢意,感谢他帮助我制定了最初的项目提案,以及 Pasi Yl¨a-Oijala 为本报告提供源源不断的评论和反馈。我还要感谢阿尔托大学空间技术小组的每个人,他们在需要时提供帮助和建议,以及许多有趣的对话。我要特别感谢 David Fischer 分享他的专业知识并帮助指导这个项目。他一直很乐意提供帮助,他的反馈和建议对将这个项目的工作提升到更高的水平非常有价值,我学到了很多东西。此外,我还要感谢所有帮助过我的朋友,让过去两年多的时间,无论是在基律纳还是赫尔辛基,都是一次精彩而难忘的经历。这里要提到的人太多了,无法一一列举,但我要感谢 Antonio、Johan、Flavia、Anne、Cornelis、Ric、Jonathan 和 Bj¨orn 在撰写本报告期间的陪伴和帮助。最后,但并非最不重要的是,我要感谢我的家人一直支持和鼓励我。我可以肯定地说,如果没有他们,我不会取得今天的成就。
基于 CRISPR 的功能基因组学筛选是识别合成致死癌症药物靶点的有力工具。目前分析汇集的 CRISPR 筛选的策略通常依赖于来自在两种实验条件下具有不同相对丰度的单个向导 RNA (sgRNA) 的信号。然而,传统方法通常容易受到由异常细胞克隆驱动的假阳性和假阴性的影响,因为 sgRNA 丰度不能解释由相同 sgRNA 的不同编辑结果导致的异质表型。为了克服这个问题,我们在每个 sgRNA 中添加了 DNA 条形码,以创建 CRISPR 文库的唯一分子标识符 (UMI),并开发了一个配套的分析平台,以实现强大的工业规模 CRISPR 筛选。在这里,我们介绍了 UMIBB,一种用于分析 UMI-CRISPR 数据的新型非参数贝叶斯方法。与每个 sgRNA 的对照实验条件相比,具有标准化计数消耗或富集的 UMI 数量由 beta-二项分布建模。基因水平统计数据是通过将 sgRNA 水平后验概率的 z 分数与每个 sgRNA 中 UMI 的数量加权而得出的。这种方法最大限度地减少了异常细胞克隆对统计数据的影响,并优先考虑每个基因中多个 UMI 之间计数差异一致的基因。为了评估 UMIBB 的功效,我们在低覆盖率(200X)基因组规模负选择筛选上对其进行了基准测试,并与高覆盖率(1000X)筛选的结果进行了比较。这些筛选是在用曲美替尼或载体对照处理的 KRAS 突变癌细胞(A549)上进行的。尽管在较低覆盖率筛选中通常会观察到高噪音水平,但我们的方法能够发现 >85% 的曲美替尼已验证的致敏基因,并且与传统方法相比实现了最高的灵敏度。此外,我们将 UMIBB 应用于基因组规模的正向选择筛选,并成功确定了新基因(RAD18 和 UBE2K)是 BRCA1/2 突变细胞系中 USP1 依赖性的关键介质。我们的研究表明,UMIBB 对克隆异质性导致的假阳性具有很高的稳健性,并且更有可能识别真正的遗传相互作用。
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要,它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性,GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的,并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实,所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。
目前,体温传感技术已发展用于医疗诊断、伤口愈合、监测皮肤水分和血流。[1–5] 目前已开展了广泛的体温监测研究,研究方法多种多样,[6–15] 但对于病毒感染者、儿童和老人等高危人群,无法进行超高精度和连续监测。例如,当前的 2019 年冠状病毒病 (COVID-19) 大流行表明,通过监测体温来追踪病毒感染的风险因素非常重要。[16] 使用红外 (IR) 摄像机进行传统的间接温度传感是温度测量最广泛的方法。红外摄像机可以精确测量温度,但会严重受到人体运动的影响。