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World File Search System热压缩
确定性制造的量子点单光子源在电信o波段中发出难以区分的光子
在这项工作中，我们基于电信O波段中发出的Ingaas量子点（QD）开发和研究单光子源。量子设备是使用原位电子束光刻制造的，结合了热压缩键合，以实现背面金镜。我们的结构基于INGAAS/GAAS异质结构，其中QD发射通过减少应变层在1.3 L m处向电信O带红移。QD通过阴极发光映射预选的QD嵌入带有背面金镜的台面结构中，以提高光子萃取效率。在脉冲非共振润湿层激发下进行的光子自动相关测量在高达40 K的温度下进行，显示纯单光子发射，这使得设备使用Stirling Croimoolers兼容独立操作。使用脉冲P-shell激发，我们实现了单光子的发射，高光子抑制G（2）（0）¼0.0276 0.005，是（12 6 4）％（12 6 4）％（12 6 4）％的AS测量的（96 6 6 10）％和（96 6 10）％和相关的连接时间（212 6 25）的可见性（12 6 4）％。此外，结构显示出5％的提取效率，这与该光子结构的数值模拟所期望的值相当。我们设备的进一步改进将通过光纤维实现量子通信。
解决3-D集成的大模具，超级螺距互连
摘要 - 半导体行业中紧密耦合，高度整体的电路的要求催生了替代的替代媒介创新，例如2.5-D/3-D集成。这种替代方案的令人难以置信的潜力带有巨大的challenges，其中最重要的是包装互连球的前所未有的减少。市场接受新的细节微电源产品在很大程度上取决于与传统的摩尔般的较高绩效期望相吻合而没有成本罚款的传统组装过程的发展。这样一个过程是将通量应用于互连表面以实现有效连接。不足的通量数量或通量活性会阻碍固体，可靠的关节的形成，而过量或活动可能会导致焊接桥梁或下游操作（例如残留物清洁或底部填料）的困难。这种精致的平衡已经对传统芯片连接而言已经很复杂了，这进一步挑战了俯仰小型化所施加的几何和空间减少，尤其是在大型死亡（超过100,000个互连）的情况下。本文提供了一种总体开发方案，可以将通量浸入操作发展为大型模具（8×11×0.780 mm）的生产级热压缩组件，并具有11,343 Ultrafine Pitch（62μm）铜支柱柱互连。在审查了通量技术的最新技术状态并详细介绍了特定的技术问题后，我们介绍并捍卫所选的助剂应用方法及其相应的感兴趣参数。的物理和化学表征对选定的通量材料候选物的结果与分析有关其性质与通量DIP施加参数的相关性的分析。作为这一基本理解的一部分，我们研究并报告了倒入浸入行为以及与其他工业浸入涂料应用的比较。最后，对生产类型环境中的过程组装实验的结果进行了审查，并讨论了先前的特征。这些实验涵盖了下游组装过程兼容性（即清洁和下填充）以及产品可靠性。
3D包装技术受益于经过验证的底填层保护，以确保长期可靠性和绩效
移动和计算技术在过去十年中以加速的速度提高，并通过各种互连解决方案的开发和集成使创新速度。从历史上看，改进形式和功能的最普遍的方法是晶体管缩放，尽管新的性能要求使这项技术变得越来越具有挑战性和昂贵。除了晶体管缩放并达到更高的成本和性能效率外，许多设备设计人员还考虑了新的高级包装技术，以满足提高功能和成本效益的持续需求。现代包装设计包括增加I/O，包装系统，chiplets和更高的互连密度等。随着较新的包装变得越来越薄，更小，具有更大的I/O，以提高功能，从而确保设计的可靠性对于长期性能至关重要。应力管理和结构性凹凸保护是关键因素，因为芯片在较低的硅节点和超低介电层的情况下越来越脆弱。在给定的模具大小上实现较高的功能驱动了几种方法的开发，其中一种是铜（CU）支柱技术。该技术使Cu支柱凸起更高密度，从而增加I/O并利用晶圆功能。但是，与其他具有挑战性的设计一样，CU支柱凸起的音高小于50 µm，狭窄的40 µm键合条间隙使常规的凸起保护方法越来越有问题。传统的毛细血管下填充（CUF），在紧密的尺寸内和周围的流动困难。由于在狭窄空间下清洁的通量清洁也很有挑战性，因此与磁通残基的兼容性兼容是一个日益关注的问题。对于稀薄的晶片，并与硅VIA（TSV）一起死亡，以适应3D堆叠，处理和扭曲控制更具挑战性。借助这种新的技术景观，以及有效保护精致的互连，非导导的糊（NCP）和非导导膜（NCF）（也称为Wafer-papplied underfill（WAUF）） - 材料已成为CU Pillar Pillar pillar pillar和TSV包装的最可靠的底部填充解决方案。NCP和NCF材料都通过热压缩键合提供了出色的凸起垫对齐精度，如下图所示，该图比较了毛细管，糊和膜处理步骤。