XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System热导率
热导率
稳定地制作书目，数据汇编，而不是进行NES，测量自己，面对和建议，实验性测量 - 如果他的蚂蚁向自己保证自己和其他产出。他找到了所有相关结果的一系列卷。这些备注构成的常规范围更频繁，而不是其中之一，在一个或i %%之后，搜索数据停止。这些卷是一个结果，或者在搜索者认为他在Theiseles中取得巨大成就之后。ie-已经花费了足够的时间。现在\ thcir生产的Quiring the the kno壁架的结合外观，科学家或工程师以及数十个专门专家的技能。\ ho需要这样的数据可以认为自己的属性属性很幸运，他有一个sir-e soturce to t t t t t t t t;为每个科学家和工程师的感激之情将节省数千个小时的搜索时间，他们使用THCST编制的数据。无数的测量重复是避免的单个非技术公民，而美国的数十亿美元投资也受到了危险，因为在研究方面也保留了很多。有助于他的ho \％的科学技术。该任务并未以属性为依赖于这些数据的使用结束。的确，这些体积的影响。仍然需要数据表明对这一重要性的广泛认识的批判性评估。可以报告的烟气值？为什么差异结果仅仅是不同实验者获得的财务赞助商列表的领导？什么是热物理性能研究中心； DTCTECT的系统错误来源可能会影响[IE美国或ESEN所有测量的技术行业的某些领导者吗？\ aluc可以是dcriscd，联邦政府的机构是各种代表的“推荐”数字。这些问题在实验中进行的实验测量很难回答，要求最简单的人具有许多潜在的应用。他们可能会表明该领域专家的判断。虽然使用一个CB“ CK”理论，或者帮助本系列中的卷数确实包含化学制造厂，或者是为了批量生产和推荐的数据，这些数据使这些热交换器的特征仍然是在少数群体中仍然是弧形中的热交换器的特征。现在的数据是Beine核电厂。由TPRC的工作人员所支持的科学进步和更多I | Etenskelo的技术要求，他在国家标准开放文献的不可或缺的一部分中发表了他发表的一部分，以便其他人可以使用它们。for-参考数据系统（NSRDS）。整理进步的任务，任何一个国家标准参考数据系统中的有用数据都不是在整个组织中散布在整个组织中，并运行了一项全面的计划，向整个WSORLD的批判性评估数据的准备编辑中发表的技术期刊的沙子。在MIO中，字段，50％的物质特性。NSRDS的工作不超过三十或四十多名，由国家标准局任命，但在TPRC的情况下，其领域在联邦科学委员会的指令下
协同改善热导率...
通过控制 SiC 纳米粒子的选择性定位和表面改性实现聚苯乙烯/聚偏氟乙烯共混物的导电性和阻燃性，ACS Appl. Mater. Interfaces 5 (2013) 6915–6924。11. QH Weng、XB Wang、X. Wang、Y. Bando、D. Golberg，功能化六方硼
基于厌氧微生物的热导率的在线监测
图2 Anaramos测量原理的示意图，具有示例性压力，氢和二氧化碳数据。（a）基于反复阶段的气体传递速率测量原理。虚线和罗马数字（I - III）代表相变。（I阶段）带有闭合阀的测量阶段，导致天空的气体积累和浓度增加。（II阶段）高流动相，特异性培养气体通过顶空气体的增加，以快速平衡气相。（第三阶段）低流相，并用特定的培养气体积极清除烧瓶顶空。黑匣子中的方程式简化了总气体转移速率（TGTR），氢转移速率（HTR）和二氧化碳转移速率（CTR）的计算。用于转移速率计算的部分压力DP的斜率在（a）中表示为绿色三角形。（b）压力，（c）氢和（d）二氧化碳传感器的生物重复材料的示例性传感器原始数据。Anaramos，厌氧呼吸活动监测系统。
真空中的接触热导率
真空中的热接触导率 Rob van Gils 1、Ruud Olieslagers 1、Mo Mirsadeghi 1、Joris Oosterhuis 1 1 飞利浦工程解决方案、机电一体化、热能、流动和控制 Rob.van.Gils@philips.com；Joris.Oosterhuis@philips.com；摘要 本研究调查了不同种类和材料的金属表面之间的宏观热接触导率。分析的目的是找到表面之间的有效传热系数，以帮助对此类接触进行热建模。创建了一个装置，其中两个金属样品可以在 0.2 – 25 MPa 的接触压力下以 50 mm 2 的接触尺寸压在一起。虽然结果与文献有较好的重合度，但在某些测试设置下，与一些常用模型（如 Yovanovic [1,2] 和 Garimella [5] 的模型）的匹配度也较差（偏差可能高达 600%）。这表明，需要正确理解这些模型的有效范围以及真空接触传热现象，而不是应用现有的模型。此外，在某些情况下，观察到高达 100% 的重新接触不可重复性（与文献来源一致），在分析具有主要热接触阻的模型时应考虑到这一点。热接触导率、测量、真空、建模、
接近平衡分子动力学的热导率
纳米尺度对热传输的影响有望在先进半导体架构的散热中发挥重要作用，并提高新型热电材料的效率。热传输测量通常在宏观尺度上进行，并给出多材料结构（包括各种界面和材料）的整体响应。纳米级材料和界面中热传输的原子计算机模拟有助于分析实验，了解尺寸和时间尺度的限制效应，并评估相关的宏观模型。1 到目前为止，通过分子动力学 (MD) 模拟对原子尺度上的热传输进行建模主要遵循两种方法。第一种方法称为平衡 MD，2 基于在给定温度下平衡的系统中热流波动的量化。最终使用 Green-Kubo 或爱因斯坦涨落关系来提取块体材料的热导率。第二种方法称为非平衡 MD 或直接法 3，其基础是在热源和热沉之间建立稳态热流，并从温度梯度的斜率或不连续性中分别提取热体积电导率或界面电导率。在目前的研究中，我们开发了一种不同的方法，称为 AEMD，即“接近平衡” MD。通过划定一个与其他部分温度不同的加热部分，最初将系统设置为非平衡状态。然后监测接近平衡的情况，即两部分之间的温差随时间的变化。可以证明，对于大多数实际关注情况，温度衰减呈指数增长。通常在几十分之一到几百皮秒内达到平衡，因此，与平衡MD中自相关函数的计算和非平衡MD中稳态热流的建立相比，计算成本大大降低。此外，AEMD方法基于平均
晶体缺陷对单层晶格热导率的影响
100 247.2 217.9 205.9 38.5 224.5 199.8 260 76.5 48.6 46.5 10.3 49.7 45.3 110 215.4 178.6 169.1 32.8 183.7 164.3 270 73.6 46.5 44.5 9.9 47.6 43.4 120 190.7 150.8 143.1 28.6 155.0 139.1 280 70.9 44.6 42.6 9.5 45.6 41.6 130 171.1 130.4 124 25.3 133.9 120.6 290 68.4 42.8 40.9 9.1 43.8 39.9 140 155.4 114.9 109.4 22.7 117.9 106.4 300 66.1 41.2 39.4 8.8 42.1 38.4 150 142.3 102.7 97.9 20.6 105.3 95.2 310 63.9 39.7 38 8.5 40.5 37 160 131.5 92.9 88.7 18.8 95.3 86.2 320 61.9 38.3 36.6 8.2 39.1 35.7 170 122.2 82.9 81.1 17.4 87.0 78.9 330 60.1 37 35.4 7.9 37.8 34.5 180 114.3 78.2 74.7 16.1 80.1 72.7 340 58.3 35.8 34.3 7.7 36.5 33.4 190 107.4 72.5 69.4 15.1 74.3 67.5 350 56.7 34.6 33.2 7.4 35.4 32.3 200 101.4 67.7 64.4 14.1 69.3 63 360 55.1 33.6 32.2 7.2 34.3 31.3 210 96.1 63.4 60.4 13.3 64.9 59.1 370 53.6 32.6 31.3 7.0 33.3 30.4 220 91.3 59.8 57 12.6 61.2 55.6 380 52.3 31.7 30.4 6.8 32.4 29.6 230 87 56.5 53.9 11.9 57.8 52.6 390 51 30.8 29.5 6.6 31.5 28.7 240 83.2 53.6 51.1 11.3 54.8 49.9 400 49.7 30 28.8 6.4 30.6 28 250 79.7 51 48.7 10.8 52.2 47.5
GeSn 合金的室温晶格热导率
摘要：在片上操作和体温特有的温度下，用于高效能量收集器的 CMOS 兼容材料是可持续绿色计算和超低功耗物联网应用的关键因素。在此背景下，研究了新的 IV 族半导体，即 Ge 1 − x Sn x 合金的晶格热导率 (κ)。通过最先进的化学气相沉积在 Ge 缓冲 Si 晶片上外延生长 Sn 含量高达 14 at.% 的层。通过差分 3 ω 方法电测量晶格热导率 (κ) 从 Ge 的 55 W/(m · K) 急剧下降到 Ge 0.88 Sn 0.12 合金的 4 W/(m · K)。经验证，对于应变松弛合金，热导率与层厚度无关，并证实了先前通过光学方法观察到的 Sn 依赖性。实验 κ 值与电荷传输特性的数值估计相结合，能够捕捉这种准直接带隙材料系统的复杂物理特性，用于评估 n 型和 p 型 GeSn 外延层的热电性能系数 ZT。结果突出了单晶 GeSn 合金具有很高的潜力，可以实现与 SiGe 合金中已经存在的能量收集能力，但在 20°C - 100°C 温度范围内，没有与 Si 兼容的半导体。这为在 CMOS 平台上实现单片集成热电提供了可能性。关键词：热电材料、晶格热导率、GeSn 合金、CMOS、绿色计算、能量收集 ■ 简介