XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System热漂移
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
TMCS1123 精密 250kHz 霍尔效应电流传感器，具有增强隔离工作电压、过流检测和环境场抑制功能 数据表 (Rev. C)
• 高连续电流能力：80A RMS • 坚固的增强隔离 • 高精度 – 灵敏度误差：±0.1% – 灵敏度热漂移：±20ppm/°C – 灵敏度寿命漂移：±0.2% – 失调误差：±0.2mV – 失调热漂移：±2μV/°C – 失调寿命漂移：±0.2mV – 非线性：±0.1% • 高外部磁场免疫力 • 精密零电流参考输出 • 快速响应 – 信号带宽：250kHz – 响应时间：1µs – 传播延迟：110ns – 过流检测响应：100ns • 过流检测 MASK (TMCS1123D71) • 工作电源范围：3V 至 5.5V • 双向和单向电流感应 • 多种灵敏度选项： – 范围从 25mV/A 到 150mV/A • 安全相关认证（计划中） – UL 1577 元件识别程序 – IEC/CB 62368-1
APS升级助推器调试
长时间关闭后，最近重新委托APS升级（APS-U）项目重新委托高级光子源（APS）助推器同步器。助推器的APS-U要求比旧的APS要求更高：比电荷更高，梁发射率降低，并提高了超过5％投篮效果的充电稳定性。以1 Hz REP速率，增强器将1-12 NC的电子束从425 MeV加速到6 GEV。虽然增强环硬件在很大程度上保持不变，但现在它在单独的RF源上运行，这对于将助推器与存储环同步是由于后者的尺寸减小和RF频率增加所必需的。光子诊断最近已升级以减少热漂移。本文将报告助推器重新委托过程，包括各种系统的结帐，新的RF源测试以及调整以提高性能。
TMCS1127-Q1 AEC-Q100，250KHz Hall-hall效果电流传感器，具有加强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
• AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to 125°C, T A • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • High continuous current capability: 80A RMS • Robust reinforced isolation • High accuracy – Sensitivity error: ±0.4% – Sensitivity thermal drift: ±40ppm/°C – Sensitivity lifetime drift: ±0.2％ - 偏移误差：±0.7MV - 偏移热漂移：±10μV/°C - 偏移寿命漂移：±12mA - 非线性：±0.2％•±0.2％•对外部磁场的高度免疫力•快速响应•信号宽度 - 信号带宽 - 信号带宽 - 250kHz - 250kHz - 响应时间：1μs - 供应范围：110范围••BB•BIR•BIR•BID•BID•BID•BID•3VIR：3V•3 vir•3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v。单向电流传感•多种灵敏度选项： - 从25mv/a到200mv/a•安全相关认证（计划） - UL 1577组件识别计划 - IEC/CB 62368-1
ROCAM 2024的程序
s1 -pp1：Marius Husanu； “ Al掺杂的SRTIO 3光催化剂，其性能提高”。s1 -pp2：mihaela botea; “批量分级（BA，SR）TIO 3结构具有增强的热稳定性”。s1 -pp3：liviu nedelcu; “ BA 1-X SR X TiO 3 /聚乙烯复合材料中的热漂移通过宽带介电光谱研究”。s1 -pp4：Oji Babatunde和Emmanuel Imoru； “使用稻壳灰的合成无形二氧化硅开发的基于mullite的陶瓷的形态和相检查”。s1 -pp5：Marius Cristian Cioangher； “用于成骨的应用的SR和GA掺杂的钛酸钡压电法”。s1 -pp6：mihaela bojan＆cristian udrea; “用于土壤中重金属检测的Terahertz时域光谱”。S1 -PP7：Cristina Stefania Florica； “基于聚二苯胺和多壁碳纳米管的复合材料与羧酸基团在能量储存中的应用官能化”。 s1 -pp8：teodora burlanescu; “在过滤过程中使用的SERS支持和膜，含有用于应用的聚（乙烯基氯化物）的复合材料”。 S2 -pp1：Lucian Dragos Filip； “在多层异质结构中对绝缘体层在极化方向稳定性中的作用的研究”。 S2 -PP2：Liliana Marinela Balescu; “异质结构中铁电成分的Wurtzite III-V材料”。S1 -PP7：Cristina Stefania Florica； “基于聚二苯胺和多壁碳纳米管的复合材料与羧酸基团在能量储存中的应用官能化”。s1 -pp8：teodora burlanescu; “在过滤过程中使用的SERS支持和膜，含有用于应用的聚（乙烯基氯化物）的复合材料”。S2 -pp1：Lucian Dragos Filip； “在多层异质结构中对绝缘体层在极化方向稳定性中的作用的研究”。S2 -PP2：Liliana Marinela Balescu; “异质结构中铁电成分的Wurtzite III-V材料”。
TCEM 路线图：SI 基础、基本测试和...
TCEM 路线图：SI 的基础、基本测试和量子测量 EMPIR 支柱：开发和服务于与计量相关的基础科学 触发因素：未来量子技术的发展和基础科学的开发需要新的（基于量子的）计量学。新科学将为计量学创造新的机会。当今的纳米技术可以访问量子效应控制设备功能的维度。这一发展创造了利用量子效应开发技术并实现新功能范式的机会，例如信息和通信技术中的量子密钥分发。与此同时，新的量子现象正在以越来越快的速度被发现，这拓宽了量子技术的基础。由于任何成功的工程工作都依赖于可靠的测量，因此需要新的基于量子的计量学来推进量子技术并利用基础科学的成果。计量学本身应基于不受时间和空间影响的通用标准。为此，SI 基本单位应与自然界的基本常数相联系。这种联系通过量子效应实现，可提供前所未有的准确性。为了进一步提高测量的灵敏度和准确性，基础科学将提供克服噪声限制和降低测量侵入性的策略。目标 1.根据 CIPM 建议实际实现 SI 单位的新定义 该目标侧重于实际实现千克、开尔文和安培的新定义，它们将分别与普朗克常数、玻尔兹曼常数和基本电荷相联系 1 。瓦特天平允许将质量追溯到普朗克常数。测量包括两个步骤。在称重阶段，质量上的重力与磁场中载流线圈上的磁力相平衡。在移动阶段，当同一线圈穿过磁场时，测量线圈中感应的电压。使用约瑟夫森和量子霍尔效应确定电压和电流。在理想情况下，磁场在两个阶段保持稳定，运动得到完美控制，设备的任何热漂移都可以忽略不计。改进的瓦特平衡实验将以更准确的方式解释与理想情况的任何偏差。然而，此外，更实用的设计将定期生成将质量与普朗克常数联系起来的数据。脉冲驱动的约瑟夫森电压标准提供基于量子的可编程电压瞬变，带宽为数十 kHz。它们可用于生成量子噪声测温的噪声信号，以实现基于玻尔兹曼常数的新定义的开尔文。安培与基于量子的单位系统中的基本电荷相关。一个概念上简单的实际实现是单电子电流源，它在固定驱动频率的每个周期产生整数个基本电荷。基于半导体和超导体技术，有前景的设备概念已经得到展示。
DS2000 用户手册 (rev.C) - Moog, Inc.
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器，其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器，其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能： • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块，避免因过大的相电流流动（特别是在低频或锁定转子时）而过热。当保护激活时，可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后，陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高，有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题，在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能：该算法可估计电阻器温度的增长，并根据制造商数据（标称功率、最大功率和峰值功率时间）防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件（正弦电流相移）来提高高速电机性能，该组件从速度值开始，最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区（以零交叉为中心，两个方向对称），幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时，此功能会自动激活，并重复计算，直到驱动器关闭。当驱动器启用时，最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时，此功能将激活并补偿可能的热漂移。
DS2000 用户手册 (rev.C) - Moog, Inc.
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器，其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器，其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能： • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块，避免因过大的相电流流动（特别是在低频或锁定转子时）而过热。当保护激活时，可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后，陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高，有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题，在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能：该算法可估计电阻器温度的增长，并根据制造商数据（标称功率、最大功率和峰值功率时间）防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件（正弦电流相移）来提高高速电机性能，该组件从速度值开始，最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区（以零交叉为中心，两个方向对称），幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时，此功能会自动激活，并重复计算，直到驱动器关闭。当驱动器启用时，最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时，此功能将激活并补偿可能的热漂移。
CIS 堆叠技术
灵敏度 - 数字成像 - 像素 - 量子效率 - 复位 - 正向偏置 - 区域板 - 通道电位 - 全帧成像器 - PPD - 采样频率 - 光子散粒噪声 - VGA - 产量 - 暗固定模式噪声 - 反向偏置二极管 - 收集效率 - 逐行扫描 - 动态范围 - 薄膜干涉 - 固定光电二极管 - 光谱灵敏度 - 饱和电压 - 双线性成像器 - 光子传输曲线 - 行间传输图像传感器 - 电荷耦合器件 - 微透镜 - 暗电流散粒噪声 - E SD - 条纹滤波器 - 数码相机 - 拼接 - 高斯分布 - 硅 - 热噪声 - 传感器结构 - 亮度 - 浮动扩散放大器 - 转换因子 - 闪烁 - MOS 电容 - 辐射单位 - 移位寄存器 - 带隙 - 黄色 - 补色 - 光电门 - 列放大器 - 纹波时钟 - 反转层 - CMOS 成像器 - 对数响应 - 普朗克常数 - 电荷泵 - 阈值电压 - 埋通道 CCD - 暗电流 - 噪声等效曝光 - MSB - 转换因子 -缺陷像素校正 - 边缘场 - 分辨率 - 双相传输 - 正透镜 - 角响应 - PRNU - 波长 - 帧传输成像器 - 电荷注入装置 - 测试 - 通道定义 - 摄像机 - 光晕 - 隔行扫描 - 彩色滤光片 - 自动白平衡 - 虚拟相位 - 拖尾 - 单斜率 ADC - 表面电位 - 耗尽层 - 垂直防光晕 - 多相钉扎 - 电子快门 - PAL - 埃普西隆 - 相关双采样 - 蓝色 - CIF - 洋红色 - 填充因子 - 延迟线 - 线性响应 - 规格 - 结深 - 复位噪声 - 线性图像传感器 - 光学低通滤波器 - 二氧化硅 - 光电二极管 - 勒克斯 - 闪光 ADC - 定时抖动 - 拥有成本 - 封装 - 光刻 - 有源像素传感器 - DSP - 积分时间 - 三相传输 - 光子通量 - 晶圆级封装 - 电荷泵 - 滤光轮 - 有效线时间 - 吸收深度 - 玻尔兹曼常数 - 弱反转 - LSB - 水平消隐 - 光栅滤波器 - 帧抓取器 - 原色 - 拜耳模式- 缩放 - 功耗 - 单色仪 - 模拟数字转换 - 光固定模式噪声 - 无源像素传感器 - 彩色棱镜 - SGA - 氮化硅 - 温度依赖性 - 负透镜 - sigma delta ADC - 混叠 - 插值 - 传输效率 - F 数 - 红色 - 动态像素管理 - 栅极氧化物 - 热漂移 - 热噪声 - 扩散 MTF - 有源像素传感器 - 泄漏器 - 1/f 噪声 - 青色 - 信噪比 - 孔径比 - 奈奎斯特频率 - 非隔行扫描 - 像素内存储器 - 四相传输 - 技术 - kTC 噪声 - 辐射损伤 - 离子注入 - MOS 晶体管 - 内透镜 - 光度单位 - 表面通道 CCD - 延时和集成成像器 - 宽高比 - 绿色 - NTSC - 单芯片相机 -可见光谱 - 调制传递函数 - 同步快门 - 马赛克滤光片 - 背面照明 - 色彩串扰 - 量化噪声 - 逐次逼近 ADC - 压缩 - 漏极 - 多晶硅 - 堆叠 - 光子转换 - 飞行时间 - 吸收系数 - DIL - 收集体积 - 孔 - 四线性成像器 - 单相传输 - 填充和溢出 - 收集效率 - 垂直消隐 - 源极跟随器 - 雪崩倍增 - 辐射 - 横向防晕 - 晶圆上测试 - 自感场 - 自动曝光 - 泊松分布 - 电荷复位 - 伽马