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World File Search System烯碳
基于石墨烯的机电热开关
摘要 热管理是现代电子、航空电子、汽车和储能系统中面临的重要挑战。虽然通常使用被动热解决方案（如散热器或散热器），但主动调节热流（例如通过热开关或二极管）将提供对热瞬变管理和系统可靠性的额外控制程度。本文我们报告了第一个基于柔性、可折叠石墨烯膜的热开关，其工作电压低（约 2 V），热开关比高达约 1.3。我们还采用主动模式扫描热显微镜来实时测量设备行为和开关。针对基于双夹悬浮膜的热开关的一般情况，开发了一个紧凑的分析热模型，突出了热设计和电气设计挑战。系统级建模展示了调节温度波动和平均温度作为开关比的函数之间的热权衡。这些基于石墨烯的热开关为在密集集成系统中主动控制快速（甚至纳秒）热瞬变提供了新的机会。
石墨烯，纳米技术作为材料...
科学技术的发展鼓励在各个领域，尤其是通过学术创新。在2010年，安德烈·吉姆（Andre K.使用胶带和石墨。石墨，称为纳米技术；卓越具有导电性，强大和弹性的特性，这些出色的特性使石墨机成为具有巨大使用构建活动的材料，例如桥梁的钢丝绳。NASA计划使用石墨烯升至太空；因为他的力量。这项研究分析了来自Google Scholar，Dimension和ResearchGate等各种来源的出版物，探索了石墨烯及其衍生物的属性，以改善复合水泥和未来建设的特性。具有与石墨烯相同的基本特性，氧化石墨烯（GO）也能够提高混凝土的压缩，拉伸和延性强度，减少裂纹，提供电导率，增加耐腐蚀性并提高混合物混合物的可工具性。尽管其在施工中的使用具有克服未来建筑问题的巨大潜力。但是，要能够在建筑活动中使用石墨烯，它仍然需要大量的开发和研究。
石墨烯储能moudule
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螺旋三层石墨烯
Z. Zhu和al。PRB（2020）N。Nakatsuji和Al。 PRX（2023）T。Devacul和Al。 SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：PRB（2020）N。Nakatsuji和Al。PRX（2023）T。Devacul和Al。 SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：PRX（2023）T。Devacul和Al。SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：SCI。adv。（2023）L.Q.Xia和Al。 arx2310,12204原子：Xia和Al。arx2310,12204原子：
从樟脑制造石墨烯
由于其缩放限制，一大批新兴材料和设备正在广泛地进行替代硅。锗已被硅替代大约半个世纪前，通过在周期桌子的第四组上移动一个街区。有趣的是，我们又向上移动一个块，我们到达碳，由于其令人印象深刻的晶体结构或同素体性，该碳被广泛用作下一代电子产品的替代品。随着我们在摩尔定律结束时采用基于硅技术的技术，在碳同素异形物中，石墨烯有可能成为未来技术的下一项候选材料，并有助于将电子设备超越摩尔的定律。发现石墨烯是一个碳薄片的单个原子层，2004年促使其研究了其出色的电子，光子和机械性能，研究其在开发未来电子和光子设备方面的潜力。制造石墨烯的各种方法仍处于早期阶段，工程师需要设计用于大规模生产纯净的单牌石墨烯片的大量生产方法。超快速发展的技术的开发主要依赖于对具有独特属性的新型2D材料以及具有更多样化和更好功能的设备架构设计的基本理解。
缩放 - 全球 - 碳 - 碳碳市座-Away-for-for-the-...
在本文中，我们与伦敦市和英国碳市场论坛合作，在Sharm El-Sheikh在Sharm El-Sheikh进行了COP27之后发表的论文，标题为“在巴黎协议的背景下启用自愿碳市场”（“ 2022年论文”）。在我们2022年的论文中，我们考虑了第6.2条和第6.4条的当时新兴市场机制，以及这些机制与VCM之间的相互作用，以及VCM在帮助提供气候行动方面的作用。值得注意的是，我们认识到，在巴黎机制正在运营时，VCM为立即采取气候行动提供了机会。但是，我们还认识到，某些问题有阻止VCM意识到其全部能力的风险，包括对诚信，缺乏透明度和某些法律不确定性的担忧。我们提出了旨在解决这些问题并释放巴黎机制和VCM的真正潜力的建议。
液态铜上扭曲双层石墨烯的组装生长
自从石墨烯 (tBLG) 被发现以来，各种新奇的物理现象被揭示出来，例如独特的电子特性。 [3] 特别是，根据扭曲角度 (θ)，具有低θ（1.1至5°）的tBLG表现出不同的物理特性，例如莫特绝缘，超导和异常导电行为，这些特性引起了更多的关注。 [4] 此外，tBLG还被发现在电化学，手性和慢等离子体中发挥着重要作用。 [5] tBLG已成为探索物理性质和寻找新应用的有力模型。 因此，可控制备θ范围为0至30°的高质量tBLG是一项艰巨的挑战。 目前，tBLG的制备主要依赖于人工堆叠的方法，例如堆叠单层石墨烯和折叠单层石墨烯。 [6] 但多次转移过程形成的污染和褶皱不可避免地影响tBLG的耦合质量,降低其固有的物理性能。此外,在超高真空条件下,通过热Si升华在氢刻蚀的6H-SiC(000-1)衬底上制备了tBLG。[7] 但这种方法成本不高,并且需要复杂的石墨烯转移程序。化学气相沉积(CVD)被认为是一种制备高质量石墨烯的简便、可扩展的方法[8],其中Cu和Ni被广泛用作直接生长石墨烯的基底。然而,由于Cu中碳含量低,除非采用复杂的工艺,否则很难以Cu为催化剂制备多层石墨烯。[9] 此外,虽然已经利用Cu-Ni合金作为基底来控制石墨烯层的生长,但是很难打破AB堆叠石墨烯的对称性来形成扭曲石墨烯。[10] 最近,Sun等人[11] 在石墨烯层转移过程中,引入了碳和碳键,从而实现了石墨烯的转移。报道了一种在低压 CVD 系统下引入气流扰动的异位成核策略，用于在 Cu 箔上生长石墨烯畴。[11] 因此，迫切需要找到一种简单的方法来制备具有大扭曲角度范围窗口的高质量石墨烯畴，这对于探索石墨烯畴的独特性能非常关键和必要。在本文中，我们开发了一种在环境压力下在液态 Cu 基底上制备石墨烯畴的简便方法。在高于固态 Cu 熔点（1083 ° C）的生长温度下，在液态 Cu 表面生长的石墨烯畴保持对齐取向。通过调节生长温度，对齐状态被打破，在液态 Cu 上生长的石墨烯畴在表面下移动和旋转