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低碳钢中重叠和振荡策略的电弧直接能量沉积的对称性分析
摘要：近几十年来，增材制造领域人气飙升，尤其是作为传统金属零件生产的可行替代方案。定向能量沉积 (DED) 是最有前途的增材技术之一，其特点是沉积速率高，其中电弧增材制造 (WAAM) 就是一个突出的例子。尽管 DED 具有诸多优势，但众所周知，其生产的零件表面质量和几何精度不佳，这一直是其广泛应用的主要障碍。这在一定程度上是由于对增材层产生的复杂几何形状缺乏了解。为了应对这一挑战，研究人员专注于表征增材层的几何形状，特别是焊珠的外部。本文通过比较两种不同的技术：振荡策略和重叠焊珠，专门研究了产生的壁的几何特征和对称性。
AN5558：空间应用中 RTG4™ 和 RT PolarFire® FPGA 的热管理和安装方法（早期 AC486）
结到外壳 (Θjc) 热阻设置：在封装顶部安装一个充当边界条件的冷板。较热结和冷板之间的温差迫使热量从芯片表面流到封装顶部。根据 CG/CGG1657 和 CG1509 封装的结构，由于结到外壳的热阻较低，因此可以通过 Kovar 盖散热（图 1 和表 1-1）。但是，绑在 Kovar 盖顶部的散热器会增加 CG/CGG1657 和 CG1509 封装的质量。航天器发射期间封装所经受的冲击和振动可能会使封装的焊柱引脚承受巨大的应力，从而对焊柱引脚和焊点造成潜在损坏。此外，用于将盖子粘合到硅芯片背面的热界面材料 (TIM) 可能会损坏。
无焊接压缩连接器技术
cin ::apse®无焊，高密度，自定义互连用于板板，IC登机，弯曲，登机和组件以登机。cin ::APSE®是业内最广泛实施的压接和焊接，高速，互连。简单的2件式专利保护设计可实现50多个Gbps，并从0.020英寸（0.5mm）到1.0英寸（25mm）范围。cin ::APSE®触点可在0.020英寸（0.5mm）和0.039英寸（1.0mm）的直径为0.039英寸（1.0mm）或更大的直径。联系人的数量不受限制，迄今为止实施的最大连接器包含7,396 I/OS。通过压缩来实现无焊端，独特的接触设计可确保每个I/O的多个接触点。CIN ::APSE®互连在最极端的机械冲击和振动下已证明可靠性。
Voodoo 4 4500 PCI，DVI扩展-1.0
推荐工具： - 立体声工作显微镜或该死的好放大镜 - 预热设备 - 具有非常快速控制和仓库焊接的焊接站 - 高质量通量 - 高质量SMD焊料 - 高质量的SMD Tweezers -PCB AIDS
凸块尺寸对倒装芯片焊点电流密度和温度分布的影响
采用三维热电分析模拟了共晶SnAg焊料凸点在收缩凸点尺寸时的电流密度和温度分布。研究发现，对于较小的焊点，焊料中的电流拥挤效应显著降低。减少焊料时，热点温度和热梯度增大。由于焦耳热效应，凸点高度为144.7 lm的焊点最高温度为103.15℃，仅比基板温度高3.15℃。然而，当凸点高度降低到28.9 lm时，焊料中的最高温度升高到181.26℃。焊点收缩时会出现严重的焦耳热效应。较小焊点中焦耳热效应较强可能归因于两个原因，首先是Al走线的电阻增加，它是主要的热源。其次，较小凸块中的平均电流密度和局部电流密度增加，导致较小焊料凸块的温度升高。2009 年由 Elsevier Ltd. 出版。
将超薄芯片嵌入高柔韧性、感光性阻焊剂中
摘要：本文介绍了一种将超薄硅芯片嵌入机械柔性阻焊层中并通过喷墨打印实现电接触的方法。将感光阻焊层通过保形喷涂涂覆到具有菊花链布局的环氧粘合超薄芯片上。使用紫外线直接曝光的光刻技术打开接触垫。实现了直径为 90 µ m 和边长为 130 µ m 的圆形和矩形开口。喷墨打印含有纳米银和金的商用油墨，以在菊花链结构之间形成导电轨道。应用了不同数量的油墨层。通过针探测来表征轨道电阻。银油墨仅在多层和 90 µ m 开口时才显示低电阻，而金油墨在至少两层印刷层时表现出个位数 Ω 范围内的低电阻。
FireMaster® FastWrap® XLS 油脂管道安装和...
• 现场制造的检修门 - 每个检修门组件都有四根直径为 0.25 英寸 (6 毫米) 、长度为 5 英寸 (127 毫米) 的螺纹杆，门开口的每个角落都焊接有一根。长度为 4.5 英寸 (114 毫米) 的空心钢管安装在检修盖板外侧和螺纹杆上方。四个 12 号 (3 毫米) 和 5 英寸 (127 毫米) 长的钢绝缘销焊接在检修盖板角落，以便安装三层 FireMaster FastWrap XLS。将一层 FireMaster FastWrap XLS 切割成与检修面板大致相同的尺寸，并将其刺穿在面板上的绝缘销上。切割第二层 FireMaster FastWrap XLS，使其每侧与第一层重叠至少 1.5 英寸 (38 毫米)。第一层和第二层必须紧密贴合
与污染物相关的化学机械平坦化
化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料，包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而，在 CMP 工艺之后，晶圆表面上会观察到各种污染物，并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响，因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物，例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等，(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染，(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。
合同编号：4400010896
标题文本本合同涵盖任何金额的焊接和锡焊、气动工具、电动工具、手动工具和物料搬运的采购。以下类别的物品只能在小额投标门槛以下购买：暖通空调、空气过滤器、管道、电机及配件、油漆及配件