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2019 年奖项提名
本文公开的创新是添加剂的形式，该添加剂由含有环氧树脂、极性稀释剂、腐蚀抑制剂和粘合促进剂的微胶囊化修复剂组成。微胶囊可以配制成水性和溶剂型液体环氧涂料、富锌底漆、粉末涂料和熔接环氧涂料。一旦完全固化，这些涂层的损坏会使微胶囊破裂，从而将修复剂释放到损坏部位，在那里聚合、密封损坏边缘、延迟底切并促进涂层粘合性的维护。改进的粘合性维护使涂层的使用时间更长，从而最大限度地减少了重新涂装和维护所需的程度以及由于资产使用寿命内的停机而导致的生产力损失。下面提供了说明与在腐蚀环境中使用的涂层的寿命延长相关的成本节省的示意图：
2019 年奖项提名
本文公开的创新是添加剂的形式，该添加剂由含有环氧树脂、极性稀释剂、腐蚀抑制剂和粘合促进剂的微胶囊化修复剂组成。微胶囊可以配制成水性和溶剂型液体环氧涂料、富锌底漆、粉末涂料和熔接环氧涂料。一旦完全固化，这些涂层的损坏会使微胶囊破裂，从而将修复剂释放到损坏部位，在那里聚合、密封损坏边缘、延迟底切并促进涂层粘合性的维护。改进的粘合性维护使涂层的使用时间更长，从而最大限度地减少了重新涂装和维护所需的程度以及由于资产使用寿命内的停机而导致的生产力损失。下面提供了说明与在腐蚀环境中使用的涂层的寿命延长相关的成本节省的示意图：
2019 年奖项提名
本文公开的创新是添加剂的形式，该添加剂由含有环氧树脂、极性稀释剂、腐蚀抑制剂和粘合促进剂的微胶囊化修复剂组成。微胶囊可以配制成水性和溶剂型液体环氧涂料、富锌底漆、粉末涂料和熔接环氧涂料。一旦完全固化，这些涂层的损坏会使微胶囊破裂，从而将修复剂释放到损坏部位，在那里聚合、密封损坏边缘、延迟底切并促进涂层粘合性的维护。改进的粘合性维护使涂层的使用时间更长，从而最大限度地减少了重新涂装和维护所需的程度以及由于资产使用寿命内的停机而导致的生产力损失。下面提供了说明与在腐蚀环境中使用的涂层的寿命延长相关的成本节省的示意图：
2019 年奖项提名
本文公开的创新是添加剂的形式，该添加剂由含有环氧树脂、极性稀释剂、腐蚀抑制剂和粘合促进剂的微胶囊化修复剂组成。微胶囊可以配制成水性和溶剂型液体环氧涂料、富锌底漆、粉末涂料和熔接环氧涂料。一旦完全固化，这些涂层的损坏会使微胶囊破裂，从而将修复剂释放到损坏部位，在那里聚合、密封损坏边缘、延迟底切并促进涂层粘合性的维护。改进的粘合性维护使涂层的使用时间更长，从而最大限度地减少了重新涂装和维护所需的程度以及由于资产使用寿命内的停机而导致的生产力损失。下面提供了说明与在腐蚀环境中使用的涂层的寿命延长相关的成本节省的示意图：
投票草案 # 6448 金属添加剂资格认定... - NET
3.1.1 验收数 验收数是允许验收批次的样品中缺陷或缺陷单元的最大数量。 3.1.2 粘合剂 在粘合剂喷射过程中用于将金属颗粒粘合在一起的液体粘合剂或胶水。 3.1.3 括号内资格 请参见 ASME BPVC，第 IX 节 - 焊接、钎焊和熔接资格 3.1.4 构建 请参见 ISO/ASTM 52900 中的“构建周期”。 3.1.5 协议 由制造商和购买者商定。 3.1.6 合格证书 包含添加剂制造商声明的文件，证明组件符合本标准的要求。 3.1.7 清洁剂 在粘合剂喷射过程中使用的液体清洁剂，以保持打印头喷射的质量（去除多余的粘合剂）。 3.1.8 组件构建文件 定义将由一台打印设备构建的组件、测试样本和支撑结构（如适用）的几何形状和排列的文件。该文件将被转换为构建说明。3.1.9 最终条件
继电器术语定义 - RS Components
AC继电器的动作电源基本都是商用频率（50Hz或60Hz），标准电压有AC6、12、24、48、115、240V。因此，当电压为标准电压以外时，产品为特殊订货品，价格、交货、特性稳定性等因素可能会带来不便。尽可能选择标准电压。另外，AC型有屏蔽线圈电阻损耗、磁路涡流损耗、磁滞损耗，线圈效率较低，因此温升比DC型高是正常的。另外，由于在吸合电压（最低动作电压）以下会产生嗡嗡声，因此需要注意电源电压的变动。例如，在马达启动时，若电源电压下降，继电器嗡嗡作响时，若恢复到恢复状态，触点会烧坏、熔接，发生误动作自保持状态。交流型在动作时有冲击电流（电枢分离时阻抗低，流过额定电流以上的电流；电枢粘着时阻抗高，流过额定值的电流），因此，并联使用多个继电器时
最终程序_v20241130_1
日期 时间 开始时间 结束时间 轨道 会议室 会议主席 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A1. 混合和熔融键合 1 Veranda I Yong-Fen Hsieh 博士，MA-Tek 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A2. 晶圆处理和特性 Veranda II Suresh Singaram 博士，Evactec 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A3. 新兴技术 Veranda III Kanaya Haruichi 教授，九州大学 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A4. 先进封装 1 RiverFront I Wang Yu-Po 博士，硅品精密工业有限公司 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 TSV 和晶圆级封装 1 RiverFront II Albert Lan，应用材料公司 12/05/2024 09:00 AM 10:30 AM A6。热管理和表征 1 RiverFront III Fusinobu Kazuyoshi 教授，东京工业大学 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B1.混合和熔接 2 Veranda I James Papanu 博士，Tokyo Electron Limited 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B2.互连技术 1 Veranda II 杨成博士，JCET 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B3.热界面材料 Veranda III Senthil Kumar，贺利氏 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B4。先进封装 2 RiverFront I Torseten Wipiejewski 博士，华为 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B5. 装配和制造技术 1 RiverFront II Jing-En Luan，意法半导体新加坡 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B6. 热管理和特性 2 RiverFront III Hardik Kabaria，Vinci4D 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C1. 电气模拟和特性 1 Veranda I Masahiro Aoyagi 教授，熊本大学 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C2. 无线和天线封装设计 Veranda II Chia Chu Lai，矽品精密工业有限公司 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM材料与加工 1 Veranda III Takenori Fujiwara，东丽 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C4. 机械模拟与特性 1 RiverFront I Che Faxing 博士，美光 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C5. TSV 和晶圆级封装 2 RiverFront II Chew Soon Aik，imec 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C6. 热管理和特性 3 RiverFront III Winston Zhang 博士，Novark Technologies 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D1. 电气模拟与特性 2 Veranda I Mihai Dragos Rotaru，IME 新加坡 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D2.互连技术 2 Veranda II Seungbae Park 教授，宾汉姆顿大学 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D3. 材料与加工 2 Veranda III SS Kang，贺利氏新加坡 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D4. 机械模拟与特性 2 RiverFront I Chiang Kuo Ning 教授，国立清华大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E1. 装配与制造技术 2 Veranda I Mark Shaw，意法半导体 意大利 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E2. 晶圆处理与特性 2 Veranda II Toh Chin Hock 博士，苹果 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM材料与加工 3 Veranda III 金成东教授，首尔国立科技大学 2024 年 12 月 6 日上午 9:00 上午 10:20 E4。机械仿真和特性 3 RiverFront I Sasi Kumar Tippabhotla，IME，新加坡 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E5. 质量、可靠性和故障分析 1 RiverFront II Jeff Suhling 教授，奥本大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E6. 硅中介层和加工 RiverFront III Prayudi Lianto 博士，应用材料公司 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F1. 汽车和功率器件封装 Veranda I Tang Gongyue 博士，IME 新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F2.质量、可靠性和故障分析 2 Veranda II Xue Ming，英飞凌 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F3. 材料与加工 4 Veranda III Alvin Lee 博士，Brewer Science 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F4. 先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟与特性 3 RiverFront II Bruce Kim 教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6.热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2. 晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料和加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4.智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，应用材料 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G5. TSV 和晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G6. 嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Dr Masahisa Fujino，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H3.材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片与封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H6. 基板上的倒装芯片与扇出 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真和特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research