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第 10 届澳大利亚酸与...研讨会
宾汉姆峡谷矿周围被 60 多亿吨（54 亿吨）废石所包围，这些废石是 1903 年至今露天采矿过程中产生的，废石面积约为 2,000 公顷。废石堆从顶部到底部厚度超过 300 米。1930 年至 2000 年，废石堆的选定部分使用基于硫酸铁的浸出剂主动浸出以提取铜，而其他部分仅接受流星浸出。从 2011 年至今，力拓肯尼科特公司研究了宾汉姆峡谷矿废石堆水质的演变及其地球化学控制因素。在此项目中，通过现场测井和 13 个成对的钻孔仪器对废石堆进行了详细描述；在 13 个地点中的 12 个，钻孔穿透了垃圾场的整个深度，穿过了采矿前的土壤接触面，进入了基岩。钻孔深度接近地表以下 275 米，使用旋转声波钻孔方法，以便 (1) 回收岩心和 (2) 测量近现场特性。钻孔的现场记录包括统一土壤分类系统描述、碎屑岩性、相对氧化、糊状物 pH 值和地球物理方法（陀螺仪、温度、中子和伽马）。对钻孔岩心的岩土特性（密度、粒度分布、含水量、塑性指数和极限、直接和块体剪切）进行了分析，通过扫描电子显微镜 (QEMSCAN) 对矿物进行了定量评估，改进了酸碱核算 (ABA)，改进了合成沉淀浸出程序 (SPLP)，通过 Corescan 进行了高光谱分析，并采集了水样（如果遇到）。钻孔内安装的仪器包括渗水仪、热敏电阻节点、直接温度传感 (DTS) 光纤电缆、时域反射 (TDR) 剪切电缆、气体（氧气、二氧化碳）测量管和振线压力计 (VWP)。此外，每个钻孔点都对当地废石表层的氧气消耗进行了多次测量。从钻孔中获取的数据与广泛钻探、矿物学和岩石地球化学评估、水力和示踪剂测试以及 20 年的渗流和水质数据的历史信息（超过 50 年）相关联，以开发一个描述废石堆的水力、地球化学和物理行为的概念模型。废石堆中的黄铁矿和其他硫化矿物因空气的扩散和对流进入而氧化，产生酸性、高总溶解固体的废水，以及在废石中形成的黄钾铁矾，作为储存额外酸性的次生相。主要的空气进入机制是对流，占废石堆中硫化物氧化的 90% 以上。根据废石堆的温度分布和水平衡，地球化学反应造成的水分损失占水预算的很大一部分。1.0 简介力拓肯尼科特宾汉峡谷矿场现有的废石堆占地约 2,000 公顷，包含超过 60 亿吨（5.4 亿吨）的材料。从 1930 年左右开始，人们一直在对废石堆进行浸出以回收铜，直到 2000 年停止浸出。
姓氏和名字 CALARCO RAFFAELLA 语言
专业经历 - 意大利国家研究委员会 (CNR) 研究主任，罗马微电子与微系统研究所 (IMM)，2018 年 11 月至今 - 休假时间：2018 年 12 月 1 日至 2019 年 8 月 31 日 - 德国柏林 Paul-Drude 固体电子研究所高级科学家，2010 年 8 月至 2019 年 8 月 31 日 - 德国 Jülich GmbH 研究中心研究员，2001 年 11 月至 2010 年 8 月 - 德国亚琛工业大学博士后小组，2000 年 2 月至 2001 年 10 月 - 美国马里兰州巴尔的摩市约翰霍普金斯大学暑期学生小组，1998 年 7 月至 1998 年 8 月 教育经历 - 获得国立科学技术学院正教授资格，Fis03 - 02/B1 MIUR 教授资格，2016 年 - 2023 年2012 – 2019 年 - 任教资格（获得独立大学教学资格） 1. 柏林洪堡大学 德国 2012 年 5 月 30 日 2. 亚琛工业大学 德国 2010 年 2 月 4 日 - 罗马第一大学材料科学博士学位 2001 年 1 月 28 日 - 罗马第二大学物理学学士学位 1996 年 5 月 24 日 研究活动 她的研究集中在自旋电子学、纳米电子学、光电子学和存储器方面。 1996-2000 年：在攻读博士学位期间，她研究了外延 Ge/Si(100) 异质结构，以获得集成在 Si 上的 1.55 µ m 电信波长的光电探测器，为此她将光电探测器效率与结构缺陷相关联。 2000-2001：制备了具有可重复特性和室温磁阻相关变化的磁隧道结。生长了具有高自旋极化和光滑表面/平面界面的铁磁层（Co/AlOx/Co）。 2001-2005：制备了稀磁半导体（注入Mn、Cr或V离子的n型和p型GaN层）并实现了混合铁磁体/半导体结构，即在纤锌矿GaN（0001）上外延生长的bcc Fe（110）薄膜。 2004-2010：专注于III族氮化物NW的生长与表征，深入研究了生长机制和电子特性。由于NW的表面积与体积比很大，表面对NW的物理行为和器件性能有很大的影响。特别针对存在积累层和耗尽层的窄带隙（InN）和宽带隙（GaN）材料中的表面空间电荷层效应。对 GaN NW 电学性质的研究表明，带间光电效应随 NW 直径的变化而变化几个数量级。R. Calarco 通过模拟纳米线侧壁表面电子耗尽区的影响来解释这种不寻常的行为。这些研究结果的发表得到了 NW 界的高度认可，本文被广泛引用。2008-2013：参与两个关于实现单光子发射器的德国国家项目。致力于制造 pin 结、布拉格反射器和三元合金（In、Ga)N 纳米线结构，旨在实现可见光范围内的发光二极管 (LED)。纳米线可以生长为单个纳米晶体，结构缺陷比平面薄膜少；因此，它们能够提高器件质量。对于实际的器件应用，纳米线需要定位，为此，R. Calarco 开发了一种非常具有挑战性的生长程序，可以在没有任何金属帮助的情况下在预定位置选择性地生长纳米线（完整的半导体布局，与生产要求兼容）。2012 年，她介绍了一项关于并联运行的单纳米线 LED 的研究。2010-2018：平面氮化物研究。她研究了 In 2 O 3 上 InN 的生长。In 2 O 3 和 InN 之间可以实现重合晶格，并将失配降低到 < 1%。这使得 bcc-In 2 O 3 成为 InN 的有趣替代衬底。她进一步研究了 (In,Ga)N/GaN 短周期中的 In 含量