特殊讲座Tokuron 2024.4-2025.3标题:对老化说:氧化还原药理学和精密医学教学人员:Chang Chen;日期和时间:2月27日,星期四,REIWA 5:45-17:15时间和日期:15:45-17:15,2月27日(THU.),2025年:医学研究大楼3楼,医学研究大楼3(3F)语言:英语摘要:人口老化已成为世界各地的重要问题抗氧化剂已被尝试用作抗衰老干预措施但是,临床结果仍然令人失望我们最近提出了精确氧化还原的概念,“ 5R”原理是抗氧化剂药理学的关键,即正确的物种,正确的位置,正确的时间,正确的水平和正确的目标作为氧化还原医学的指南我们的最新结果进一步验证了上述概念我们发现Ca 2+ /钙调蛋白依赖性蛋白激酶IIαs-硝化作用(SNO-CAMKIIα)在学习和记忆任务过程中会增加,而在自然衰老过程中则显着降低在主要的CAMKIIαS-硝基化位点(C280/289V)处于突变的小鼠暴露的认知障碍并减弱了长期增强(LTP)缺乏SNO-CAMKIIα会增加突触I(Syni)磷酸化,从而导致过度突触前释放概率,从而导致学习和记忆反应减少,而不仅在C280/289V小鼠中发生,而且在阿尔茨海默氏病(AD)小鼠和自然衰老的小鼠中也会发生根据“ 5R”原理,我们设计了一个胶分子,该胶分子精确地增加了SNO-CAMKIIα并成功挽救了小鼠的学习和记忆障碍。我们的发现表明,SNO-CAMKIIα的下调是一种新的机制,介导了与衰老有关的学习和记忆下降,并为氧化还原药理学和精密医学提供了新的灯光。有关发言人的信息:Chang Chen教授目前是中国科学院生物物理学研究所(CAS),CAS教授和CAS大学教授和Biomacromolecules国家实验室副主任(2012-20223)的首席研究员。她的主要研究兴趣是一氧化氮和s-硝酸(YL)ation和其他氧信号转导中的其他硫醇修饰。老化和相关疾病中的氧化还原调节;中药的机制。* *生体反応病理学
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用,基于GAN的高电子迁移式晶体管(HEMTS)在过去的二十年中引起了很多关注,并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能,尤其是在高压,高级材料和设备制造过程中,提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中,由于其独特的优质材料特性,基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中,结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作,我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析,我们讨论了提出的脉冲(表面反应增强)金属有机化学蒸气沉积(MOCVD)的优势和成就,用于INALN/GAN异质结构的外交。