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低功率高速CMOS电流比较器在0.18 µm和0.13 µm技术中，Sunil N. limbachiya 1，priyesh.gandhi 2 1-pg_student，s_nil14@ya
Low Power High Speed CMOS current Comparator in 0.18 µ m and 0.13 µ m Technology Sunil N. Limbachiya 1 , Priyesh.Gandhi 2 1-PG_Student, s_nil14@yahoo.com,LCIT-Bhandu, Gujarat (INDIA) 2-Assistant Professor, priyesh.gandhi@lcit.org,LCIT- Bhandu,古吉拉特邦（印度）摘要 - 本文以低功率和高速性能显示了CMOS当前比较器设计。使用电流镜设计设计的CMOS电流比较器。该电路在180nm和130nm CMOS工艺技术中进行模拟。模拟结果显示，比较器电路在180nm技术中具有412PS延迟，而130nm技术的370PS延迟。还可以进行比较器设计的工作，而低功率耗散。关键字：当前比较器，当前镜像，功率耗散，延迟，导师图形，Eldo Spice I简介
ITU-R P.452-10 建议书 - 评估地球表面频率高于约 0.7 GHz 的站间微波干扰的预测程序*
干扰预测的一个基本问题（实际上所有对流层预测程序都存在这个问题）是难以提供一套统一的、一致的实用方法，涵盖广泛的距离和时间百分比；即对于真实大气，随着气象和/或路径条件的变化，一种机制的主导统计数据逐渐融入另一种机制。特别是在这些过渡区域，给定的信号水平可能会出现在总时间百分比中，该百分比是不同机制的总和。本程序中的方法是刻意将干扰水平的预测与不同的传播机制分开，直到它们可以组合成路径的整体预测。