采用单晶体管堆叠栅极单元结构,通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成(见图 1)。顶栅连接到行解码器,而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化(参见图 2)。在初始状态下,单元具有低阈值(VTH1),这将使晶体管在选择单元时(通过顶部选择栅)导通。编程将阈值移至更高水平(VTHO),从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值(VTHS)下的状态来确定单元的状态(即是否已编程),如图 2 中的虚线所示。
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要,它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性,GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的,并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实,所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。
摘要:3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者,因其高计算效率而备受关注,其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中,急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文,我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压(CV)存储窗口为6.6 V,是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外,在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压(GV)峰,进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外,采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ,表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后,存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下,编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器,为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
目标和产品 本指南文件介绍了在高可靠性应用中使用先进塑料球栅阵列 (BGA) 和芯片尺寸 BGA (DSBGA) — 商用现货 (COTS) — 封装技术和组件的建议。最先进和高密度的 BGA 采用倒装芯片球栅阵列 (FCBGA) 配置,输入/输出 (I/O) 超过 2000 个,间距为 1 毫米。间距小于 1 毫米(低至 0.3 毫米)的 DSBGA 通常最多有几百个 I/O。由于更大芯片的产量挑战和节点缩小的高成本,业界已转向实施系统级封装 (SiP)。先进的 SiP 集成芯片技术(称为 Chiplet)是电子封装技术的下一个范式转变。本指南简要讨论了先进的 COTS 封装技术趋势,并提供了两个测试评估示例;一个针对 BGA,另一个针对 DSBGA。对于这两个类别,测试结果涵盖了关键工艺问题、质量指标和质量保证 (QA) 控制参数,随后提供了全面的测试数据以解决热循环可靠性和局限性。最后,报告摘要中包括了从这些评估中吸取的经验教训得出的关键建议。针对低风险灌注航天应用,给出了 COTS BGA/DSBGA 封装技术的具体建议,同时考虑了任务、环境、应用和寿命 (MEAL) 要求。
1 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029;liyongliang@ime.ac.cn(YL);zhouna@ime.ac.cn(NZ);xiongwenjuan@ime.ac.cn(WX);zhangqingzhu@ime.ac.cn(QZ);duanyan@ime.ac.cn(AD);gaojianfeng@ime.ac.cn(JG);kongzhenzhen@ime.ac.cn(ZK);linhongxiao@ime.ac.cn(HL);xiangjinjuan@ime.ac.cn(JX);lichen2017@ime.ac.cn(CL);yinxiaogen@ime.ac.cn(XY);wangxiaolei@ime.ac.cn(XW);yanghong@ime.ac.cn(HY);maxueli@ime.ac.cn(XM); hanjianghao@ime.ac.cn (JH); tyang@ime.ac.cn (TY); lijunfeng@ime.ac.cn (JL); yinhuaxiang@ime.ac.cn (HY); zhuhuilong@ime.ac.cn (HZ); luojun@ime.ac.cn (JL); rad@ime.ac.cn (HHR) 2 中国科学院大学微电子研究所,北京 100049 3 北京有色金属研究总院智能传感新材料国家重点实验室,北京 100088 4 北方工业大学电子信息工程学院,北京 100144;zhangj@ncut.edu.cn (JZ); tairanhu1@gmail.com (TH); chrisaigakki@gmail.com (ZC) 5 中瑞典大学电子设计系,Holmgatan 10, 85170 Sundsvall,瑞典 * 通讯地址:lijunjie@ime.ac.cn (JL);wangguilei@ime.ac.cn (GW);wangwenwu@ime.ac.cn (WW);电话:+ 86-010-8299-5508 (WW)
根据2021年国际器件与系统路线图(IRDS),环栅晶体管(GAA)将从3nm技术节点开始取代FinFET,并应用于1nm技术节点。下一步,尺寸缩小的目标不仅是降低漏电,更重要的是降低功率,而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律,不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度,还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力,因此具有更好的功率缩放性能,是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
RWT 的压力环 1 的安装方式与 LSWT 类似,即它们位于收缩段的前后。这些压力环从未校准过,因此迄今为止未在任何测试中使用过。RWT 测试段的横截面形状在几何上与 LSWT 相似,并且两个风洞具有相同的收缩率。因此,对 RWT 压力环进行了与 [2] 和 [3] 类似的校准技术。然而,[2] 和 [3] 发现校准因子不会随着测试段内的流向位置而发生显著变化。此外,RWT 通常不用于高保真度测试,并且模型通常不会跨越测试段的长度。因此,RWT 内的校准因子仅在一个中心线站获得,适用于两种情况:
摘要:本文描述了暴露于紫外线辐射和/或冷凝下的 IM7/997 碳纤维增强环氧树脂的降解情况。根据对物理和化学降解的观察,已确定这些环境以协同方式起作用,导致环氧树脂基质大量侵蚀,从而导致机械性能下降。基质主导性能受到的影响最大,在仅经过 1000 小时的紫外线辐射和冷凝循环暴露后,横向拉伸强度就下降了 29%。虽然在研究的暴露时间内纵向纤维主导性能不受影响,但已注意到,大量的基质侵蚀最终会限制有效载荷传递到增强纤维,并导致甚至沿纤维主导材料方向的机械性能下降。
图1。(a)人类SEH(PDB ID:3ANS)的X射线结构的亚基A,具有非共价外消旋的4-氰基N-(Trans-2-苯基甲基丙烷基)苯甲酰胺抑制剂CPCB。(b)非共价相互作用图(2D)在配体结合袋中显示抑制剂和蛋白质之间的显着接触。以绿色显示了氢键结合的催化三合会(ASP-335,Tyr-383,Tyr-466)。(c)苯甲酰胺抑制剂(青色球和棍子模型)的位置,在人SEH的疏水结合袋中。蛋白质表面从高疏水性(棕色)到极性(蓝色)和钥匙袋残基(标记)以圆柱格式呈现。该图是由3AN的X射线结构坐标创建的[12]。
共享护理协议钠锆环硅酸盐 (Lokelma®) 用于治疗成人持续性高钾血症 本共享护理协议 (SCP) 详细说明了对使用钠锆环硅酸盐 (Lokelma®) 治疗持续性高钾血症的成人患者的护理共享。应结合最新的产品特性摘要 (SmPC) 阅读,网址为 http://www.medicines.org.uk/emc/ 如 NHS England 指南 2018 (07573)“初级和二级/三级护理之间的处方责任”中所述:当专科医生认为患者的病情稳定或可预测时,他们可能会寻求相关全科医生(和患者)的同意来共享他们的护理。本文件提供有关专科医生和相关全科医生之间共同承诺的药物治疗的信息。欢迎全科医生参与。如果全科医生没有信心承担这些角色,那么他们没有义务这样做。在这种情况下,专科医生将对患者所诊断出的病症承担全部临床责任。开药的医生对药物及其使用后果负有临床责任。注意:如果全科医生决定不参与对某位患者的共享护理,他们必须在收到共享护理请求后 2 周内以书面形式通知相关专科医生。简介锆钠环硅酸盐 (Lokelma®) 是一种不被吸收的阳离子交换化合物,可在胃肠道中充当选择性钾结合剂。锆钠环硅酸盐适用于治疗成人患者的高钾血症。如果患者符合所设定的标准,NICE TA599 建议将其作为危及生命的高钾血症和 3b 至 5 期慢性肾病或心力衰竭持续性高钾血症的紧急治疗选择。紧急治疗应在急性医院环境中进行,这不在本共享护理协议的范围内。由专科医生开具的用于治疗持续性高钾血症的锆环硅酸钠可根据 NICE 建议在共享护理安排下继续使用。本文件适用于 18 岁及以上的成年人。MHRA/CHMP 建议:无 如需更多信息,请点击以下链接或访问:• 英国国家处方集 • NICE TA599 用于治疗高钾血症的锆环硅酸钠 • 产品特性总结 – Lokelma®