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新闻稿
快速流动、可返工的底部填充 SMT 88UL2（纽约州奥尔巴尼）2021 年 12 月 20 日 YINCAE 很高兴地宣布，我们已经开发并将 SMT 88UL 升级为 SMT 88UL2，这是一种完全兼容助焊剂残留物、室温快速流动且易于返工的底部填充材料。底部填充材料和助焊剂残留物的兼容性长期以来一直是电子行业的一个传统问题。这种兼容性问题通常会导致双回流工艺和汽车应用过程中的底部填充流动问题、底部填充空洞、底部填充分层和焊料挤出。通常，清洁 SMT 组装中的助焊剂残留物成本太高。SMT 88UL2 设计为与主要制造商的几乎所有焊膏的助焊剂残留物完全兼容。SMT 88UL2 可以在室温下快速流入任何间隙尺寸（小于 1 ），并在较低温度下快速固化，不会出现任何流动和空洞问题，无需清洁助焊剂残留物。我们的 SMT 88UL2 可承受多次 260 C 回流工艺，无需清洗助焊剂残留物，不会出现任何分层、焊料挤出和焊球问题。它表现出了出色的跌落和热循环性能。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和接地栅阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装（如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块）中的裸芯片保护。它专为高产量和以工艺速度和散热为关键考虑因素的环境而设计。有关 YINCAE 的 SMT 88UL2 底部填充材料的更多信息，或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以通过访问我们的网站获取更多信息：www.yincae.com
富士通 MBM2732A.pdf
采用单晶体管堆叠栅极单元结构，通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成（见图 1）。顶栅连接到行解码器，而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化（参见图 2）。在初始状态下，单元具有低阈值（VTH1），这将使晶体管在选择单元时（通过顶部选择栅）导通。编程将阈值移至更高水平（VTHO），从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值（VTHS）下的状态来确定单元的状态（即是否已编程），如图 2 中的虚线所示。
球探FM无线电板Stemma I2C
更快的设计：OSD32MP2X-PM简化了高速DDR4接口的设计过程，提供了一个可靠的起点并节省了数月的设计时间。〜 〜60％的板区域减少：使用3D SIP技术OSD32MP2X-PM将STM32MP2，DDR4集成，而被动剂与DDR4本身相同的包装，节省表面和路由区域。降低总拥有成本：使用SIP最多将工程设计时间减少9个月，降低您的PCB和组装成本，简化您的供应链，并确保更可靠的系统。世界一流的支持：访问参考设计，应用程序注释和OctavoSystems.com上的活跃社区。此外，我们还提供用于审查原理图和布局的服务，以最大程度地发挥第一通道设计的成功。
建模嵌入式原球磁盘的世俗演化
上下文。原月经磁盘由于角动量保护而在其母体分子云周围形成新生恒星。随着它们逐渐发展和消散，它们也形成行星。尽管许多建模效果都专门用于它们的形成，但它们的世俗进化问题，从所谓的0类嵌入阶段到II类阶段，据信被认为是隔离的II级阶段，但仍然很熟悉。目标。我们旨在探索嵌入式阶段与II类阶段之间的演变。我们着重于磁场演化以及磁盘与包膜之间的长期相互作用。方法。我们使用GPU加速IDEFIX进行3D，正常，非理想的磁性水力动力学（MHD）世俗核心崩溃模拟，该模拟涵盖了赛车前核心的系统进化，直到第一次降低了液压核心和脉冲定位后，直到100 kyr的100 kyr降低，同时又垂直地定位了垂直的垂直和垂直的效果。 au）正确解决磁盘内部动力学和非轴对称扰动。结果。磁盘的演化导致开普勒旋转中的幂律气体表面密度，该旋转延伸至几个10 au。在初始塌陷期间，磁盘被困在磁盘中的磁性弹力从磁盘形成下的100 mg降低到1 mg，到1 mg。在第一个静水压核形成后，系统分为三个阶段。结论。第一阶段，具有较小的（〜10 au），不稳定，强烈积聚（〜10-5m⊙yr -1）磁盘，在第一阶段中失去了磁性弹力，第二阶段，第二阶段，磁性磁盘通过平稳的磁盘呈圆形，并通过囊罩的速度呈粒料，并具有感知的动量，并具有感知的动量，并具有一定的感光性，并具有一定的感光性，并具有一定的固定磁盘。 Au磁盘在几个10-7 m⊙yr -1处积聚。 初始各向同性包膜最终会进食大规模扩展的吸积流液，其吸积速与原恒星相似（〜10-6 m yr-1）。 一些流媒体材料与磁盘的外边缘碰撞并产生吸积冲击，但材料的一小部分土地在磁盘表面上没有产生任何明显的不连续性。 虽然初始磁盘尺寸和磁化是通过磁制动设定的，但自我实现最终会驱动吸积，因此磁盘最终以重力调节状态。 这种从磁制动到自我重力的演变是由于磁盘沉降后气体和磁场之间的弱耦合所致。 在I类阶段末端（B z〜1 mg）的弱磁场是磁盘中磁性频率稀释的结果，因为它从其初始相对较小的尺寸膨胀。 这种膨胀不应将其解释为粘性膨胀，因为它是由具有较大特定角度动量的大规模彩流人的新吸收材料驱动的。第一阶段，具有较小的（〜10 au），不稳定，强烈积聚（〜10-5m⊙yr -1）磁盘，在第一阶段中失去了磁性弹力，第二阶段，第二阶段，磁性磁盘通过平稳的磁盘呈圆形，并通过囊罩的速度呈粒料，并具有感知的动量，并具有感知的动量，并具有一定的感光性，并具有一定的感光性，并具有一定的固定磁盘。 Au磁盘在几个10-7 m⊙yr -1处积聚。初始各向同性包膜最终会进食大规模扩展的吸积流液，其吸积速与原恒星相似（〜10-6 m yr-1）。一些流媒体材料与磁盘的外边缘碰撞并产生吸积冲击，但材料的一小部分土地在磁盘表面上没有产生任何明显的不连续性。虽然初始磁盘尺寸和磁化是通过磁制动设定的，但自我实现最终会驱动吸积，因此磁盘最终以重力调节状态。这种从磁制动到自我重力的演变是由于磁盘沉降后气体和磁场之间的弱耦合所致。在I类阶段末端（B z〜1 mg）的弱磁场是磁盘中磁性频率稀释的结果，因为它从其初始相对较小的尺寸膨胀。这种膨胀不应将其解释为粘性膨胀，因为它是由具有较大特定角度动量的大规模彩流人的新吸收材料驱动的。
建议的练习计划新秀和T恤球
伸展运动1。手臂/脖子a在“风车类型”动作中滚动手臂。首先将右臂向前旋转10次，然后切换到左臂。这可以同时使用两个手臂完成。然后，使用相同的序列更改为向后旋转。将每个位置的头部移动8-10秒。将头部从侧面到另一侧移动8-10秒。2。股四头肌这些肌肉是覆盖大腿前部的大肌肉。直立。弯曲一条腿，握住脚踝或脚的顶部。拉动弯曲的腿，直到脚后跟靠近底部。使用墙壁或队友平衡。保持10秒。切换腿。（3。腿筋这些是大腿后部的肌肉。在坐着的位置，左腿笔直，将右脚的鞋底放在左大腿内侧。将躯干弯曲向伸出的腿，使膝盖保持直线，脚部放松。保持10秒。切换腿。4。腹股沟（蝴蝶拉伸）a在坐姿的位置，背部伸直，弯曲膝盖，将脚的底部放在一起。将脚向腹股沟拉。将肘部放在膝盖上，然后将膝盖轻轻推向地板。保持10秒钟，休息并重复。5。犊牛在腿部伸直的坐姿，将右脚跟放在左脚趾的顶部。用手将右脚趾向右脚拉向身体。保持10秒。切换腿。
凸凹球面上液滴接触角的测定
实验测量曲面上的表观接触角通常需要专用仪器，这种仪器价格昂贵且不易普及。为了应对这一挑战，我们提出了一个简单的润湿模型，从理论上预测液滴在凸面和凹面球面上的表观接触角，这需要知道液滴的体积、表面曲率和固有接触角。利用该理论模型，我们研究了曲面半径和疏水性对润湿行为的影响。对于凹面，其上的液滴可能呈现凸面或凹面形态，具体取决于详细参数。本研究确定了液滴从凸面变为凹面的临界体积。利用该模型，还研究了具有微结构的曲面上的接触角。该模型可能有助于理解自然润湿现象和更好地设计相关结构。2015 Elsevier BV 保留所有权利。
Waldenström巨球素血症
在医院或治疗中心，汽车T细胞被解冻，然后注入患者。许多患者的短暂疗程是一种或多种化学疗法剂，以减少体内正常T细胞的数量。这称为“淋巴结序”。此过程很重要，因为它为接受输注的患者中的CAR T细胞“造就空间”。然后，通过静脉输注（IV）输注或通过现有的中心线将转基因的CAR T细胞注入患者的血液中。该过程通常需要少于30分钟。在体内，汽车T细胞寻找表达抗原已被训练的抗原细胞。这些“攻击者”细胞在其表面上使用靶抗原识别并破坏细胞。遇到抗原时，汽车T细胞被激活并攻击并杀死癌细胞。这些T细胞开始制作自己的副本，并在整个体内增加数量。
高灵敏度栅/体连接MOSFET型光电探测器的光电流特性
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要，它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性，GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的，并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实，所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
文章 栅纳米晶体管工艺中氮化硅内隔离层形成的研究
1 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029；liyongliang@ime.ac.cn（YL）；zhouna@ime.ac.cn（NZ）；xiongwenjuan@ime.ac.cn（WX）；zhangqingzhu@ime.ac.cn（QZ）；duanyan@ime.ac.cn（AD）；gaojianfeng@ime.ac.cn（JG）；kongzhenzhen@ime.ac.cn（ZK）；linhongxiao@ime.ac.cn（HL）；xiangjinjuan@ime.ac.cn（JX）；lichen2017@ime.ac.cn（CL）；yinxiaogen@ime.ac.cn（XY）；wangxiaolei@ime.ac.cn（XW）；yanghong@ime.ac.cn（HY）；maxueli@ime.ac.cn（XM）； hanjianghao@ime.ac.cn (JH); tyang@ime.ac.cn (TY); lijunfeng@ime.ac.cn (JL); yinhuaxiang@ime.ac.cn (HY); zhuhuilong@ime.ac.cn (HZ); luojun@ime.ac.cn (JL); rad@ime.ac.cn (HHR) 2 中国科学院大学微电子研究所，北京 100049 3 北京有色金属研究总院智能传感新材料国家重点实验室，北京 100088 4 北方工业大学电子信息工程学院，北京 100144；zhangj@ncut.edu.cn (JZ); tairanhu1@gmail.com (TH); chrisaigakki@gmail.com (ZC) 5 中瑞典大学电子设计系，Holmgatan 10, 85170 Sundsvall，瑞典 * 通讯地址：lijunjie@ime.ac.cn (JL)；wangguilei@ime.ac.cn (GW)；wangwenwu@ime.ac.cn (WW)；电话：+ 86-010-8299-5508 (WW)