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在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。
修改的扩展Kalman过滤算法，用于可充电电池的精确电压和电荷估计
1 1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。 摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。 SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。 因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。 具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。 但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。 这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。1 1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。 摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。 SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。 因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。 具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。 但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。 这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。尽管可以通过诸如Double Kalman滤波等联合算法提高SOC精度，但是由于非线性误差的叠加，仍然需要优化EKF本身。在这项研究中，进行了修改后的扩展卡尔曼滤波（MEKF）算法的研究，以估算LIB的电压和SOC，并具有估计精度的极大提高。Yuasa Lev50单元在298 K处的标准放电率为0.2 c，以获取离线参数，然后使用新提出的新提出的动态估计数学电池模型（DBOFT）进行优化。这是第一次提出一种结合增益矩阵和噪声的方法，以减少当前转弯点的电压估计误差，从而大大提高了电压估计的准确性。具体来说，MEKF算法能够实时调整参数并减少SOC
电压控制的集成等离子体光子传感器
在本文中，我们提出了一种波导集成干涉传感器，其中在单个等离子体波导中传播的两种等离子体模式之间发生干涉。为了进行传感，通过增加金属电极之间的距离重新排列了垂直等离子体槽波导。因此，与每个金属电极相关的等离子体模式（通常形成混合等离子体槽模式）已被分离，使它们能够在金属电极的相对边缘上独立传播。这允许实现马赫-曾德尔干涉仪，其中光通过传统的锥形结构从光子波导耦合进出结构。值得注意的是，支持等离子体模式的金属电极也可以用作电触点。通过在它们之间施加直流电压，可以有效地分离漂移到其中一个金属电极的离子。因此，马赫-曾德尔干涉仪的一条臂会经历更高的损耗和相位积累，导致马赫-曾德尔干涉仪不平衡和传输下降。这里，透射率的任何变化仅指液体中的离子量，因为干涉仪的输出信号通过与被检查的液体溶液直接接触的参考臂标准化为液体。被检查的液体中的离子总量保持不变，但是，当施加电压时离子会向其中一个金属电极漂移，因此间隙中的离子分布会发生变化。因此，可以通过干涉仪的透射测量来监测液体中离子浓度的任何变化。所提出的配置对干涉仪两个臂之间的透射率变化高度敏感，即使在 1550 nm 的电信波长下也能实现超过 12460 nm/RIU 的创纪录灵敏度。预计中红外波长的灵敏度将进一步增强，这对应于大多数化学和生物化合物的最大吸收峰。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
TMCS1127-Q1 AEC-Q100，250KHz Hall-hall效果电流传感器，具有加强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
• AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to 125°C, T A • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • High continuous current capability: 80A RMS • Robust reinforced isolation • High accuracy – Sensitivity error: ±0.4% – Sensitivity thermal drift: ±40ppm/°C – Sensitivity lifetime drift: ±0.2％ - 偏移误差：±0.7MV - 偏移热漂移：±10μV/°C - 偏移寿命漂移：±12mA - 非线性：±0.2％•±0.2％•对外部磁场的高度免疫力•快速响应•信号宽度 - 信号带宽 - 信号带宽 - 250kHz - 250kHz - 响应时间：1μs - 供应范围：110范围••BB•BIR•BIR•BID•BID•BID•BID•3VIR：3V•3 vir•3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v。单向电流传感•多种灵敏度选项： - 从25mv/a到200mv/a•安全相关认证（计划） - UL 1577组件识别计划 - IEC/CB 62368-1
低电压电子显微镜，用于表征与基因治疗应用的腺相关病毒（AAV）
raav对于基因替代疗法至关重要，将功能基因传递给靶向组织。低电压电子显微镜（LVEM）为有效分析AAV Capsids的结构和质量提供了重要的潜力。基因治疗旨在通过将基因的功能拷贝传递给靶向组织，通常使用诸如AAV之类的病毒矢量来纠正遗传缺陷。这些矢量由封装治疗基因的27 nm直径capsid组成。电子显微镜，包括低温透射电子显微镜（Cryo-TEM），通常用于分析这些病毒颗粒。但是，这些方法通常具有挑战性，需要大型且昂贵的专业设备和条件。
耦合仿真和加速退化模型的可靠性评估：应用于电压调节器
本文根据低压差稳压器的行为，演示了如何使用数值模拟数据，基于加速退化测试数据进行可靠性性能评估。该稳压器采用 Cadence Virtuoso 软件和 180 nm AMS CMOS 技术设计，并通过模拟评估其输出电压随温度和输入电压的变化。输出电压退化数据是根据环境参数（输入电压和温度）约束生成的，这使得我们能够利用数值模拟模型和所提出的退化模型定义加速条件下的故障阈值。采用退化路径模型确定指定故障标准（5%）下的伪故障时间。然后，我们推导出加速度定律模型，通过执行最大似然估计法来估计可靠性模型参数，不仅可以分析，还可以预测不同电压和温度应力条件下稳压器的寿命数据分布。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
在不同电压应力下在空气中实现阴极定向流光模型。
¹Univ. Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP*，G2Elab，Grenoble，38031，法国 *francis.boakye-mensah@g2elab.grenoble-inp.fr 摘要 - 为了在气候变化法规日益严格的情况下找到 SF 6 的可行替代品，应该对压缩空气等替代品进行适当的评估。对于中压应用，耐受电压被用作尺寸标准，这取决于流光的引发和传播，而流光是电击穿的前兆。为了优化设计，应该通过预测模型从实验和数值上彻底研究在不同应力、压力等条件下此类放电的引发和传播机制。到目前为止，大多数数值研究都是通过自制代码完成的，因为由于此类计算的复杂性和非线性，商业软件中不易获得流光模型。最近，随着商业有限元软件COMSOL™Multiphysics 等离子体模块稳健性的增强，可以开发具有合理精度的流光放电模型。
恰加斯病的 QRS 波低电压新参数...
作者的贡献：AGMB：对作品的构思、设计以及作品数据的获取、分析和解释做出了重大贡献；起草作品；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。JASJ：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。EGCN：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。MMG：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。AASF：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对工作的所有方面负责。RAM：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。RRM：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。TAAMF：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。MFA：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。CMA：对工作构思、设计以及工作数据的获取、分析和解释做出重大贡献；起草工作；最终批准要发布的版本；同意对各方面的工作负责。