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配电网电压控制和光伏承载能力
术语 定义 AMI 高级计量基础设施 BESS 电池储能系统 资本支出 CECV 客户出口削减价值 CPPAL CitiPower 和 Powercor CVR 节能降压 DER 分布式能源 DG 分布式发电 DMS 配电管理系统 DN 配电网络 DNSP 配电网络服务提供商 DOE 动态操作范围 DR 需求响应 DSS 配电变电站 D-STATCOM 分布式静态补偿器 DVR 动态电压恢复器 ESS 储能系统 EV 电动汽车 FACTS 灵活交流输电系统 FCAS 频率控制辅助服务 HC 托管容量 LRMC 长期边际成本 LTC 负载分接开关 LVR 低压调节器 MC 蒙特卡罗 NEM 国家电力市场 NREL 国家可再生能源实验室 Opex 运营费用 PDF 概率分布函数 PMU 相量测量单元 PVHC PV 托管容量 QSTS 准静态时间序列 TN 输电网络 TNSP 输电网络服务提供商 SoC 充电状态SRMC 短期边际成本 UPFC 统一潮流控制器 VaDER DER 值 VPP 虚拟发电厂 VR 电压调节器 VSG 虚拟同步发电机 ZSS 区域变电站
电源的仿真设计性能和转换器的可变电压
摘要。本文介绍了实验结果和范围0-5伏的电源的信息，该电源将进一步提供给转换器电路的电压。电源构建和电压转换器电路的主要目的是观察输入电压与产生的输出频率之间的关系，这在示波器屏幕上可观察到。用于设计电压到转换器电路的模拟很容易，它提供了有关设计电路的早期信息消耗的功率较少，因此具有广泛的应用。使用了555-Analog计时器（也称为振动器）。这是8个引脚IC的双线内包装（DIP）。通过使用300公斤电阻的电位计和值0.1UF的电容器来构建该项目。
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电压控制的集成等离子体光子传感器
在本文中，我们提出了一种波导集成干涉传感器，其中在单个等离子体波导中传播的两种等离子体模式之间发生干涉。为了进行传感，通过增加金属电极之间的距离重新排列了垂直等离子体槽波导。因此，与每个金属电极相关的等离子体模式（通常形成混合等离子体槽模式）已被分离，使它们能够在金属电极的相对边缘上独立传播。这允许实现马赫-曾德尔干涉仪，其中光通过传统的锥形结构从光子波导耦合进出结构。值得注意的是，支持等离子体模式的金属电极也可以用作电触点。通过在它们之间施加直流电压，可以有效地分离漂移到其中一个金属电极的离子。因此，马赫-曾德尔干涉仪的一条臂会经历更高的损耗和相位积累，导致马赫-曾德尔干涉仪不平衡和传输下降。这里，透射率的任何变化仅指液体中的离子量，因为干涉仪的输出信号通过与被检查的液体溶液直接接触的参考臂标准化为液体。被检查的液体中的离子总量保持不变，但是，当施加电压时离子会向其中一个金属电极漂移，因此间隙中的离子分布会发生变化。因此，可以通过干涉仪的透射测量来监测液体中离子浓度的任何变化。所提出的配置对干涉仪两个臂之间的透射率变化高度敏感，即使在 1550 nm 的电信波长下也能实现超过 12460 nm/RIU 的创纪录灵敏度。预计中红外波长的灵敏度将进一步增强，这对应于大多数化学和生物化合物的最大吸收峰。
基于DBSCAN算法的电压暂降同源性检测
摘要：高科技制造业中使用的逆变器、交流接触器等设备对电压暂降十分敏感，电压暂降可能造成设备故障、生产中断、数据丢失、敏感设备损坏、能源供应不稳定等。一次短路故障可能触发多个电能质量监测装置记录电压暂降波形，电压暂降数据冗余问题严重影响数据应用。因此识别电压暂降源对于科学合理评估区域电网电压暂降严重程度具有重要意义。因此本文提出了一种基于DBSCAN算法的电压暂降源识别算法。通过采用合适的特征工程，选取三维聚类特征，再通过迭代方法选取合适的聚类算法参数进行聚类，最后通过6个聚类评价指标评估算法效果。利用某省电力公司提供的数据在jupyter notebook编程平台上进行实验，最终结果证明了所提算法的有效性。关键词：电压暂降 聚类 DBSCAN 电压暂降同源性检测 1.引言 电压暂降造成微电子、智能控制等精密加工行业的生产中断，给用户带来巨大的经济损失，成为投诉最多的电能质量问题[1]，[2]。一次短路故障可能触发多个电能质量监测装置记录电压暂降波形。电压暂降数据的冗余严重影响数据应用[3]，[4]，并可能导致对区域电网电压暂降严重程度的高估[5]。同时，对同一电压暂降源引起的多条数据进行重复分析会增加计算强度和复杂度。将多次电压暂降事件识别为同一电压暂降源是电能质量监测领域亟待解决的问题。识别出同一电压暂降源可以减少电网电能质量监测系统的数据冗余，避免对区域电能质量水平做出高估。它是明确区域电网电能质量水平的必要前提，对于科学合理评估区域电网电压暂降严重程度具有重要意义。电压暂降源识别就是对短时间内监测到的多个电压暂降数据进行分类，将同一电压暂降源引发的电压暂降监测数据归为一类。近年来，国内外对电压暂降源进行了大量研究，现有的研究主要包括特征提取与选择[6]、数据挖掘与机器学习算法[7]，[8], [9], 算法融合与集成 [10]。综上所述, 本文提出了一种基于 DBSCAN 算法的同源性识别方法, 并使用某省电力公司提供的 10049 条临时掉电数据进行了聚类实验。最后对聚类结果进行了 6 个聚类评价指标的评估, 证明了该方法的准确性和有效性
MOSFET REXFET-1中电压产品技术开发
关于开关设置RTK-251-Sinkcharger-RAA489118具有两个旋转开关，以控制电池电池的数量和电池充电电流极限。组合支撑电池电压范围为5.632至28.336V，电池充电电流范围从1A到6a。此外，可以通过更改VidWriter工具生成的固件来支持电池充电高达10A的电池。相关文档
电压门控钾通道和遗传癫痫
外显子和靶向测序的最新进展显着改善了癫痫病的病因诊断，揭示了持续数量的癫痫相关致病基因。因此，癫痫的诊断和治疗变得更容易获得，更可追溯。电压门控钾通道（KV）调节神经元系统中的电兴奋性。突变的KV通道已与癫痫有关，如在使用基因敲除小鼠模型的研究中所证明的那样。通过不同的机制，KV通道的增益和功能丧失导致具有相似表型的癫痫病，从而为癫痫的诊断和治疗带来了新的挑战。对遗传癫痫的研究正在迅速发展，几名候选药物靶向突变的基因或出现的通道。本文简要概述了与电压门控钾离子通道功能障碍相关的癫痫的症状和发病机理，并突出了治疗方法最近的进展。在这里，我们回顾了近年来与癫痫相关的基因突变的病例报告，并总结了KV基因的比例。我们的重点是针对与癫痫有关的特定电压门控通道基因的精确处理进展，包括KCNA1，KCNA2，KCNB1，KCNB1，KCNC1，KCND2，KCND2，KCNQ2，KCNQ2，KCNQ3，KCNQ3，KCNH1，KCNH1和KCNH5。
带高压启动的自适应多模式PWM 控制器
当 HV 脚施加大于 40V 的电压时，内部高压电流源 对 V CC 脚外接的电容充电。为防止 V CC 在启动过程中短 路引起的功率损耗而使 IC 过热损坏，当 V CC 电压低于 1V 时，高压电流源的充电电流被限制为 I HV1 （ 1mA ）。 当 V CC 大于 1V 后，高压电流源的充电电流变为 4mA_min ， V CC 电压会迅速上升。当 V CC 超过启动水平 V CC_ON 时，高压启动电流源关闭。同时， UVLO 置高有 效， IC 内部电路开始工作。
高性能多模式数字LLC 控制器
I HV1 (1mA) 。当 V CC 大于 V CC_SCP1 后，高压电流源的 充电电流为 I HV2 (55mA) ， V CC 电压会迅速上升。当 V CC 电压 超过 V CC_ON(18.5V) 时，高压启动电流源关闭。同 时， UVLO 置高有效， IC 内部电路开始工作，系统开 始检测输入是否超过 Brown-in 阈值 V BI ，如果没有超 过，则 V CC 电压在 V CC_ON （ 18.5V ） 和 V CC_OFF （ 12.5V ） 之间来回充放电；如果检测到输入超过 V BI ，则开启高 压启动电流源，直到 V CC 电压达到 V CC_SYSON （ 21V ） ， IC 开始输出驱动。