电压测量

利用双台面结构电容电压测量确定 II 型超晶格中的背景掺杂类型

我们提出了一种确定半导体背景掺杂类型的方法，即在过度蚀刻的双台面 pin 或 nip 结构上使用电容电压测量。与霍尔测量不同，此方法不受基板电导率的限制。通过测量具有不同顶部和底部台面尺寸的器件的电容，我们能够最终确定哪个台面包含 pn 结，从而揭示本征层的极性。当在 GaSb pin 和 nip 结构上演示时，此方法确定该材料是残留掺杂的 p 型，这已由其他来源充分证实。然后将该方法应用于 10 单层 InAs/10​​ 单层 A1Sb 超晶格，其掺杂极性未知，并表明该材料也是 p 型。