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航空电子学简介 - ACS 工程学院
为使整个系统能够有效地执行任务而将各个子系统组合在一起的系统称为集成系统。集成航空电子系统的第一步是 20 世纪 50 年代武器系统概念的建立。民用飞机的航空电子子系统集成是在 20 世纪 50 年代采用 ARINC 规范后开始的。ARINC 从功能要求、物理尺寸和电气接口方面定义系统和设备规范。集成航空电子和武器系统 任何
半导体微电子学和纳米电子学项目
历史回顾 NIST 的前身是美国国家标准局 (NBS)，该局于 20 世纪 50 年代中期开始工作，以满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五项工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。由 EIA 专家小组推荐的第二个项目解决了晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
EE 370A 数字电子学 2021-22-I
和稳健性、功率和能量、速度。隔离反相器：不同的反相器实现、MOSFET 作为开关、CMOS 反相器、CMOS 反相器的静态和动态行为、性能指标、设计视角：反相器链分析和缩放影响。组合电路：涉及静态 CMOS 设计、比率逻辑设计、传输晶体管设计和动态逻辑设计的设计指南和权衡。顺序电路设计：静态时序分析 (STA)，双稳态电路：静态和动态锁存器和寄存器、流水线和非双稳态顺序电路。基于阵列的逻辑设计：现场可编程门阵列 (FPGA)。CMOS 存储器设计：存储器层次结构和组织、外围电路、静态随机存取存储器 (SRAM) 设计、动态 RAM (DRAM) 设计。向上移动层次结构：系统级设计、数据路径和寄存器传输操作。硬件描述语言 (HDL) 简介。寄存器传输级 (RTL) 到 GDSII 流程（行业专家讲座）。
研究高光 - 修复电子学。 ...
根在纽约州长岛长大，高中期间他找到了一份在柔性印刷方面的工作 - 一种快速印刷在各种材料（例如塑料和纸）上的方法。这项工作经验促使他追求学士学位罗切斯特大学化学工程学。 他热爱他的大学有机化学课程，并被有机分子（特别是聚合物）的复杂几何形状所吸引。 聚合物是由较小的定制分子单元组成的巨大分子，它们通过化学键相互连接，形成具有独特且有用的材料特性的柔性链和网络。 作为一个类比，聚合物就像由互连的乐高积木组成的完整LEGO®设置。 一个重要的细微差别是聚合物不是像LegoS®那样刚性，而是分子构建块的柔性组件。 一些众所周知的聚合物的例子包括DNA，泡沫聚苯乙烯和橡胶。 山姆对聚合物的兴趣，再加上他对柔性印刷的背景，使他从事软光刻的本科研究项目。 从罗切斯特毕业后，Root攻读博士学位。加州大学圣地亚哥分校的化学工程专业，被南加州的温暖天气和美丽的海滩引诱，以及进一步探索他对聚合物的热爱的机会。 在接下来的四年中，Root研究了Darren Lipomi教授的指导下的半导体聚合物的机械性能。 在2021年，Root返回加利福尼亚，并加入了斯坦福教授Zhenan Bao的实验室，将他在聚合物复合材料的经验应用于自我修复电子产品。罗切斯特大学化学工程学。他热爱他的大学有机化学课程，并被有机分子（特别是聚合物）的复杂几何形状所吸引。聚合物是由较小的定制分子单元组成的巨大分子，它们通过化学键相互连接，形成具有独特且有用的材料特性的柔性链和网络。作为一个类比，聚合物就像由互连的乐高积木组成的完整LEGO®设置。一个重要的细微差别是聚合物不是像LegoS®那样刚性，而是分子构建块的柔性组件。一些众所周知的聚合物的例子包括DNA，泡沫聚苯乙烯和橡胶。山姆对聚合物的兴趣，再加上他对柔性印刷的背景，使他从事软光刻的本科研究项目。从罗切斯特毕业后，Root攻读博士学位。加州大学圣地亚哥分校的化学工程专业，被南加州的温暖天气和美丽的海滩引诱，以及进一步探索他对聚合物的热爱的机会。在接下来的四年中，Root研究了Darren Lipomi教授的指导下的半导体聚合物的机械性能。在2021年，Root返回加利福尼亚，并加入了斯坦福教授Zhenan Bao的实验室，将他在聚合物复合材料的经验应用于自我修复电子产品。在UCSD之后，Sam的学术旅程将他带回了东北，在那里他在乔治·怀特塞德斯教授的实验室的哈佛大学博士后工作了几年。Root喜欢跑步，很高兴发现Bao集团拥有自己的跑步俱乐部“跑步Baos”，该俱乐部由BAO Group成员Lukas Michalek博士创建！这座课外社区建筑确实有助于建立了一个有效的团队，并引发了Root和Lukas之间的研究合作，他们都是自我修复电子科学论文的合着者。这篇Nano@Stanford通讯文章提供了有关其研究的高级摘要，该摘要是为具有广泛技术背景的多样化受众编写的。如果您想了解更多信息，则可以阅读其科学论文中的所有细节：（ doi：10.1126/science.adh0619）。
用于量子工程的低温电子学
数千到数百万个敏感信号需要通过稀释制冷机的所有温度阶段进行传输，以操作由许多量子位组成的未来大规模量子处理器。导热同轴电缆数量的激增将超出制冷机的冷却能力，对量子核心造成不利影响。将控制电子设备降至低温允许使用现有的超导电缆，减轻低温阶段之间的热传导，并且似乎是实现操作量子位数可扩展性的明确途径。这项博士论文旨在探索在低温下将工业 CMOS 28nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术用于量子计算应用。我们的第一个目标是将有关低温下 FD-SOI 28nm 晶体管的稀疏现有知识扩展到电路设计的实际方面，然后用于开发紧凑模型。为了加快对具有长达一小时的固有冷却周期的单个器件的表征，我们设计了一个集成电路，该集成电路多路复用了数千个具有不同几何形状和栅极堆栈类型的晶体管，用于低频测量电流-电压特性和从 300 到 0.1K 的配对分析。我们讨论并分析了不同温度下电路设计中重要量的变化趋势，例如跨导、电导和单个晶体管的跨导与漏极电流比。其次，我们探索了半导体量子器件与经典电子器件的低温共积分和全片上集成，旨在实现低至毫开尔文范围的特定测量。我们首先通过设计和表征低功耗跨阻放大器 (TIA) 来关注量子点器件的亚纳安电流测量。高增益放大器成功应用于测量单量子点和双量子点器件的电流，这些器件分别通过引线键合几毫米或片上集成几微米。为了进一步利用集成到同一基板的优势，我们将 GHz 范围的压控振荡器连接到双点的其中一个栅极，以尝试观察完全集成设备中的离散电荷泵。最后，我们提出了一种新的测量方案，利用低温电子学功能作为众所周知的反射测量法的替代方案，解决了单个量子器件栅极电容的测量问题。通过在 200 MHz 范围内集成电压控制电流激励和电压感应放大器，两者都靠近连接到 LC 槽的量子器件，器件电容变化的读出电路变成纯集总元件系统，具有谐振电路的阻抗测量，而没有任何像反射法中那样的波传播。这种方法增加了测量装置的简单性和紧凑性。我们甚至用由晶体管和电容器组成的有源电感器取代了反射法中使用的笨重无源电感器，在相同电感下面积降低了 3 个数量级，从而提供了更好的可扩展性。由此产生的电路成功测量了 4.2K 下纳米晶体管的 aF 电容变化，揭示了栅极电容中随栅极和背栅极电压而变化的振荡量子效应。在这篇论文的最后，给出了一幅与电路架构和设计相关的挑战的图景，最终目标是进入大规模量子处理时代。
商务工程 (电子学和...) 课程安排
编号 标题 代码 LTP Cr 1 UCB008 应用化学 CF 3 1 2 4.5 2 UTA003 计算机编程 CF 3 0 2 4.0 3 UEE001 电气工程 CF 3 1 2 4.5 4 UEN002 能源与环境 CF 3 0 0 3.0 5 UMA010 数学-I CF 3 1 0 3.5 6 UES009 力学 CF 2 1 2* 2.5
自旋电子学和元件技术（SPINTEC）
SPINTEC 在全球范围内融入了非常丰富的格勒诺布尔研究生态系统。该部门所在的 CEA 环境在分析期间进行了重组，这特别导致了 2016 年初纳米结构和磁学 - NM 团队的整合。该部门目前隶属于格勒诺布尔跨学科研究所 (IRIG) 的纳米物理系 (DEPHY)。更普遍地说，SPINTEC 受益于与其他 CEA 单位的互动，包括用于技术开发的 LETI、与 CNRS 站点的邻近单位（Institut Néel、LNCMI）以及与 Minatec、Giant 和 Université Grenoble Alpes 环境的互动。该单位也是 LANEF labex 和 CNRS、UGA 和格勒诺布尔 INP 的微纳米技术联合会 FMNT 的一部分。最后，它隶属于 COMUE UGA 的物理学博士学院 (EDPhy) 和工程学博士学院 (EEATS)。单位管理
纳米电子学/材料科学课程大纲（MTQP09）
网络定理、网络图、节点和网格分析。时域和频域响应。镜像阻抗和无源滤波器。双端口网络参数。传递函数、信号表示。电路分析的状态变量法、交流电路分析、瞬态分析。逻辑系列、触发器、门、布尔代数和最小化技术、多振荡器和时钟电路、计数器环、波纹。同步、异步、上下移位寄存器、多路复用器和多路分解器、算术电路、存储器、A/D 和 D/A 转换器。调制指数、频谱、AM 生成（平衡调制器、集电极调制器）、幅度解调（二极管检测器其他形式的 AM：双边带抑制载波、DSBSC 生成（平衡调制器）、单边带抑制载波、SSBSC 生成和相位调制、调制指数。
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。