本模块将帮助学生了解如何实现包含数十亿个晶体管的数字电路的超大规模集成 (VLSI)。该模块的结构分为两部分:理论部分,它解决了如何有效地模拟晶体管和互连操作背后的复杂非线性现象;软件工具部分,它描述了电子设计自动化 (EDA) 背后的算法。理论部分每周分配两次讲座,涵盖 MOS 晶体管器件的物理特性,重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型以及 VLSI 电路复杂性的数学模型。软件工具部分涵盖电子设计自动化 (EDA) 工具流程,基于六个讲座和三个实验室的组合。
该模块将使学生深入了解电路和系统的超大规模集成 (VLSI)。该模块的最终目标是让学生掌握足够的知识,能够将大型数字电路的功能描述(硬件描述语言 (HDL) 级别)转换为物理布局描述(通常使用 GDSII 格式),适合在代工厂进行制造(流片)。该模块的结构分为两部分。VLSI 电路组件每周分配两次讲座,涵盖设备物理特性,重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型、VLSI 电路复杂性的数学模型和产量估算。VLSI 系统组件每周分配一次讲座,涵盖用于实现电子设计自动化 (EDA) 流程的复杂软件工具链中使用的算法和数据格式。这两个实验室都基于 VLSI 系统讲座。
课程编号和名称 ECE 372 - 电子电路 II 学分、学时 3 学分,3 学时 讲师或协调员姓名 Mohammed Feknous 教学材料 RC Jaeger – TN Blalock,微电子电路设计,ISBN 978-0-07-338045-2(正文) 参考书:Sergio Franco,使用运算放大器和模拟集成电路进行设计,ISBN 0-07- 232084-2 具体课程信息 课程内容简要说明(目录说明) FET 和 BJT 小信号放大器的原理:六种不同单级配置的 Q 点设计、输入和输出阻抗、增益和信号范围限制。 模拟集成电路的设计,包括电流源、差分放大器、噪声源、有源负载和 CMOS 电路。 晶体管高频模型、米勒效应和多级放大器的频率响应。 多级放大器的反馈和二端口网络理论。先决条件:ECE 232、ECE 271 共同要求:无 课程的教育目标(例如,学生将能够解释某一特定主题的当前研究的意义。) 学生将能够 1. 分析并获得涉及 BJT 和 MOSFET 的最流行的单级配置的相关特性 2. 学习设计这些单级放大器,选择适合更复杂电路规格的适当配置。 3. 评估电容器(低频下的耦合和旁路电容器,以及影响高频响应的内部电容)对这些放大器频率响应的影响。 4. 分析和设计差分对,并了解这种配置不仅在简单放大器的情况下的重要性,而且作为运算放大器设计中的基本模块的重要性。 5. 确定多级放大器、电流源、有源负载和构成运算放大器主干的模块的特性。 6. 理解和评估反馈对放大器特性的影响。 7. 研究和设计基于比较器的电路,包括施密特触发器、正弦波发生器和计时器。8. 对设计进行逆向工程,根据不同的规格重新配置,并向同行展示。
事实上,提交制造的设计数量达到了 813 个,比 2022 年的数字高出 10% 以上。与前几年类似,这些设计中的大多数都是由全球行业领先的代工厂台积电制造的。值得注意的是,欧洲研发工厂 IHP 超越 GlobalFoundries,位居第二。此外,我们的技术组合已经扩展,现在包括 20 家代工厂的制造服务。其中两家去年加入了我们:Pragmatic 提供柔性电子 (FlexIC) 产品,UMS 提供 GaN 和 GaAs 技术。
• 将使用教科书 R.Erickson、D.Maksimovic、Fundamentals of Power Electronics(Springer 2001)的部分内容。教科书可从校园网上在线获取 • MATLAB/Simulink、LTSpice、Altium Designer;全部安装在 MK225 中并可在远程服务器上使用 • 课程网站上发布了讲座幻灯片和笔记、其他课程材料、预备实验、实验等 • 需要实验室套件(从电路商店购买)约 1-2 周 − 价格:每组 150-200 美元 − 根据需要购买额外的电阻器和电容器等 − 需要购买任何替换部件
· 通常在周五布置作业;下周五上课前截止,届时将讨论解决方案 · 目标是说明和强化讲座主题,并为测验提供练习 · 可以小组合作或从其他学生那里获得提示;但您必须按下自己的计算器按钮,并且您提交的作业必须是您自己的。 · 如果您依赖别人告诉您如何做作业,那么您将不会从作业中学到太多东西。但请随时与老师讨论/提问。 · 在 Canvas 中以 .pdf 格式在线提交作业 · 老师可能会酌情接受迟交的作业,通常会减少学分。 · 根据我发布的解决方案迟交作业是作弊行为。
导电介质,用于传输电荷。因此,总而言之,电场强度必须超过绝缘材料的击穿极限才能发生放电。缩小后,这意味着只要超过最大局部固有场强并且有起始电子,绝缘体的部分区域也可能会发生放电。因此,在整个绝缘体的一部分中发生的放电称为局部放电。尽管局部受限,但这些以及完全击穿都可能通过热量发射、振动、光子或化学方式损坏绝缘体。
一阶和二阶电路不连续函数。由 RLC 组成的线性网络的积分微分方程的公式。RC 和 RL 电路的无源和阶跃响应。初始值和最终值。串联和并联 RLC 电路的无源和阶跃响应。
ECE 3040 微电子电路教授:Alan Doolittle 博士办公室:Pettit 208工作:(404) 894-9884 电子邮件:alan.doolittle@ece.gatech.edu(迄今为止,这是与我沟通的最佳方式)。学分:4 个讲座小时,字母,通过/不通过,审核 先决条件:ECE2030、ECE2040、Math2403、Chem1211 文本:两篇文本 微电子电路设计,第 5 版 Richard C. Jaeger 半导体器件基础,Robert F. Pierret 一些学生发现有用:使用 Microsim Pspice for Windows 进行原理图捕获,Herniter(或当前 3043 文本) 网络资源:官方课程网站:https://alan.ece.gatech.edu/index_files/ECE3040index.htm 注意:Canvas 和 Piazza 的一些使用主要用于学生之间的交流,但假设电子邮件和班级网站胜过任何 Canvas/Piazza 帖子。