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了解下一代光电子的2D材料中缺陷，氧和应变的相互作用
抽象的二维过渡金属二分元化是下一代光电学的领先材料，但是基本问题是商业化的基本问题。这些问题首先包括在低温下观察到的强烈低能量宽发光峰（L-PEAKS）的广泛争议的缺陷和应变诱导的起源。其次，氧气在通过化学吸附和物理吸附来调整性质中的作用很有趣，但挑战性地理解。第三，我们对六角硼（HBN）封装的益处的物理理解不足。使用一系列样品，我们将氧气，缺陷，吸附物和对单层MOS 2的光学性质的贡献解脱出来。与氧化样品相比，通过温度和功率依赖性的光致发光（PL）测量证实，对于氧辅助化学蒸汽沉积（O-CVD）样品，与氧辅助化学蒸汽沉积（O-CVD）的急剧红移相比，与脱氧于130 meV一起证实。 异常，O-CVD样品在室温（CF去角质）下显示出很高的A-EXCITON PL，但在低温下降低了PL，这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。 这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致，并由拉曼光谱学支持。 在去角质样品中，带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷，并创建差距态。 封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。通过温度和功率依赖性的光致发光（PL）测量证实，对于氧辅助化学蒸汽沉积（O-CVD）样品，与氧辅助化学蒸汽沉积（O-CVD）的急剧红移相比，与脱氧于130 meV一起证实。异常，O-CVD样品在室温（CF去角质）下显示出很高的A-EXCITON PL，但在低温下降低了PL，这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致，并由拉曼光谱学支持。在去角质样品中，带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷，并创建差距态。封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。这项实验性理论研究发现了每个样品中缺陷的类型，使您可以理解缺陷，应变和氧对条带结构的综合作用，并丰富了我们对封装影响的理解。这项工作提出了O-CVD作为创建光电学高质量材料的一种方法。
一种新的无卤素parylene，用于在恶劣环境中的高性能和微电子的可靠性
摘要 - 世界各地的微电子的快速增长和采用，导致人们对与其使用和处置有关的环境问题的认识越来越高。卤素多年来在微电子中具有各种用途，在处理电子废物期间会发出有毒和腐蚀性气体。许多组织已经向电子产业施加了压力，以从其产品中完全消除卤素（例如，氟，氯和溴）。在为环保产品努力的各种努力中，使电子产品完全无卤素引起了人们的关注，尤其是在亚洲和欧洲。这种非凡的甚至影响了全球的保形涂料，大多数电子产品都依赖于它们的长期保护，可靠性和对水和其他腐蚀性刺激性环境的高性能。在各种涂层选项中，丁香烯类涂层家族为微电器提供了有益的特性，比普通epoxies，丙烯酸酯，尿氨酸和硅酮提供的许多特性改善了。虽然苯乙烯n是唯一不包含卤素的市售的parylene，但其对水分和其他腐蚀性化学物质的障碍性能不如其他pary烯那样稳健。为了满足该行业的当前和未来需求，已经开发了一种新的无卤素的ParyleneParyFree®。对新涂层进行测试包括IPC-CC-830B的IPX防水性，耐腐蚀性和质量。这项研究向微电子行业介绍了一种新的parylene类型，并分享了ParyFree®Paryleneparylene保形涂层的特征和质量结果，以保护，可靠性和良好的微电子学性能。
对可再生能源系统中极端环境条件下弹性电力电子的严格审查
鉴于这些限制，电力电子器件多年来不断发展，体积小、功率密度高，在极端温度环境和大热循环中具有额外的运行优势。因此，研究人员正在努力开发有效的热系统以提高其可靠性。例如，随着以宽带隙半导体为中心的研究的发展，氧化镓 (Ga 2 O 3) 已发展成为半导体技术发展的前沿。这种材料具有良好的固有特性，即临界场强、广泛可调的电导率、迁移率和基于熔体的块体生长，被广泛用于高性能电力电子器件，有望成为硅基功率器件的替代品。这种材料具有一系列直到最近才在一个系统中观察到的特性。这些特性包括：低热导率。最后，β-Ga 2 O 3 具有近 5 eV 的超宽带隙（Green 等人，2022 年）。因此，在不久的将来，SiC 很有可能被 Ga2O3 取代。氧化镓（III），通常称为氧化镓，已成为电力电子设备的新型半导体材料。另一项新发现是氮化镓（GaN）。GaN 具有高电子迁移率的吸引人的特性，可实现高开关迁移率。此外，金刚石具有高开关性能、高温操作、辐射硬度、高输出功率，并且可以合成用于电子设备（Javier 等人，2021 年）。
无窗的硅雪崩光二二极管对90-900 eV范围中电子的响应
硅雪崩光二极管（APD）被广泛用作光子探测器，但是它们也可用于检测具有能量𝐸𝐸100keV的电子。尤其是，近年来对APD的使用来检测中等能量范围（10-100 KEV）的电子，特别是对于空间任务中的应用[1-3]，APD耐用性与对磁场对磁场的敏感性相结合，具有吸引人的特征。虽然已经进行了一些研究使用APD来检测低能电荷颗粒[4]，但使用APD来检测低（<1 keV）的能量电子是一个较少研究的领域，这是这项工作的主题。本文介绍的结果是在新型UV光检测器（Nanouv）开发的背景下产生的，并具有由垂直分配的碳纳米管制成的光（5-8]。垂直分配的碳纳米管可以使用化学蒸气沉积技术[9]生长至几百μm的长度，结果是获得高度各向异性的材料，并获得了管道方向的理想情况下，具有理想的消失密度[10，11]。由这种材料制成的光电行为可以显着降低照相电子重新吸收的可能性，这是现代紫外线探测器的不良效率的主要原因，因为光电子将直接散发到真空中，并且能够使纳米纤维ex nanotubes exul is the Mommante is pare the tube tube tube ubsum tube ubsum tub tubsum tubsum tubsum tub tub。然后通过施加的电势δ𝑉10kV加速电子，然后由位于真空管另一端的硅APD检测到长达几厘米。在图中可以看到Nanouv检测器概念的示意图1。
ap®物理2：基于代数的2024评分指南
•将光子的频率与光子的能量相关联。•将电子的动能或速度与电子的DE Broglie波长相关联。•将入射光子的能量与从金属样品弹出的电子的能量相关联。•分析光电效应以比较当入射光子的能量超过工作函数时，比较了弹出电子的动能。•分析光电效应，以确定当入射光子的能量不超过工作函数时是否会弹出电子。•通过分析e和p或v之间的关系以及k和p或v之间的关系，从给定的de Broglie波长中计算电子的动能。•分析最大k hf将入射光子的能量和弹出电子的动能与不同材料的工作函数相关联。
强磁场中激光加速电子的能量增益 A. Arefiev, 1, 2 Z. Gong, 3, 4 和 APL Robinson 5
本文讨论了在具有静态均匀磁场 B ∗ 的等离子体中用激光脉冲加速电子。激光脉冲垂直于磁场线传播，其极化选择为 (E 激光 · B ∗ ) = 0。本文重点研究具有可观初始横向动量的电子，这些电子由于强烈的失相，在没有磁场的情况下无法从激光中获得大量能量。结果表明，磁场可以通过旋转这样的电子来引起能量增加，从而使其动量变为向前。能量增益在这个转折点之后仍会持续，在此转折点处失相会降至一个非常小的值。与纯真空加速的情况相反，电子会经历快速的能量增加，通过分析得出的最大能量增益取决于磁场强度和波的相速度。磁场增强的能量在高激光振幅（a 0 ≫ 1）下非常有用，此时与真空中的加速度类似的加速度无法在数十微米的范围内产生高能电子。强磁场有助于在不显著增加相互作用长度的情况下增加 a 0。
在脉冲剥落源处热中子束线的剂量法，以应用于微电子的照射
摘要 - 已将宝石检测器和激活箔用于脉冲中子源的热束线的剂量测定。第一个是一个活跃的检测器，它利用源的脉冲性质，使用飞行技术进行测量。相同的检测器已成功地用于测量梁的轮廓。第二个是一种被动辐照方法，它独立确认了ISIS中子源的Emma和Rotax束线的测得的通量。它们具有不同的热光谱，第一个光谱是用水（300 K）和第二种液态甲烷（100 K）的。随后使用参考SRAM模块的单个事件效应测试对这两个特征的梁线进行了用于辐照微电子。表明结果是一致的，并且必须应用一个校正因子以将冷束线上的结果扩展到室温下的结果。
练习论文11（2024-25）
（a）在没有发出电子的情况下，入射辐射的频率最小。（b）光电子的最大动能仅取决于入射辐射的频率。（c）当金属表面照亮时，一段时间后将电子从表面弹出。（d）光电电流与入射辐射的强度无关。ans。（a）在没有发出电子的情况下，入射辐射的频率最小。仅针对一定阈值频率发射。这是因为需要最小能量来克服金属的工作函数。排出电子的动能取决于频率和工作函数。这些观察结果不能通过光的经典理论来解释，因此，光的量子性质用于解释光电效应。2。下图显示了发射的最大动能的变化
石墨烯中的掺杂型过渡金属原子用于电子的原子尺度剪裁，
图2将Ni原子插入石墨烯晶格。a-b）HAADF-STEM图像显示了两个不同的宏伟概述的样品概述，显示了石墨烯表面形成的3-5 nm ni岛。在Ni岛之间还观察到单个Ni原子。c）石墨烯表面上的ni岛，经Ni L 23鳗鱼核心损失边缘证实。d- e）说明了梁拖动技术，其中电子束位于源材料上（d中的红色箭头的尾巴）），并拖动到原始的石墨烯（d中的红色箭头头））。此过程在ni原子附加到的石墨烯中创建点缺陷时，吐出了Ni源原子。iNSET在e）中显示了带有原子模型覆盖的主HAADF-STEM图像的傅立叶过滤版本，显示了Ni原子的位置。Ni原子位置表示单个和DI-VACACES的职业。f）几分钟的电子束暴露后，掺杂剂的较高分辨率图像。观察到的结构的原子模型被覆盖。g）-i）通过在Ni岛和原始石墨烯上扫描电子束来插入Ni原子的一个例子。最初，石墨烯的斑块没有掺杂剂；由于产生缺陷并将Ni原子从相邻的Ni岛散射到石墨烯上，Ni原子附着在缺陷位点上并掺入晶格中。随着越来越多的C原子从晶格中敲打，孔开始形成，Ni原子装饰边缘，i）。图像E-F）和H-I）使用PyCroscopicy中的原理分析过滤。60，61
• 硬件和软件 • 计算机系统的主要硬件组件 • 什么是操作系统？ • 用户界面 • 计算机的类型 • 电子的影响
随机存取存储器是一种内部芯片，在运行应用程序时，数据会暂时存储在其中。这种存储器可以写入和读取。由于计算机断电时其内容会丢失，因此通常被称为易失性或临时存储器。