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Algan/GaN高电子的制备和表征...
4.1 简介 ................................................................................................................ 58 4.2 最先进的氮化镓衬底 ................................................................................ 59 4.2.1 块状单晶 GaN 衬底 ........................................................................ 59 4.2.2 异质衬底上的 GaN：蓝宝石和碳化硅 ........................................................ 61 4.2.3 硅衬底上 GaN 技术与块状硅和绝缘体上硅 (SOI) 衬底的集成 ............................................................................................................................. 63 4.3 SOI 和块状 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结构的生长和特性 ............................................................................................................. 66 4.3.1 实验细节 ........................................................................................................ 66 4.3.2 AlGaN/GaN 异质结构的生长 ............................................................................................. 66 4.3.3 结果与讨论 ............................................................................................................. 69 4.4 制备和特性体硅和 SOI 衬底上的 HEMT ...................................................................................... 78 4.4.1 实验细节 ...................................................................................................... 78 4.4.2 AlGaN/GaN HEMT 电气特性 ...................................................................... 78 4.4.3 使用微拉曼分析探测 AlGaN/GaN HEMT 通道温度 ............................................................................................................. 82 4.5 章节摘要 ............................................................................................................. 96
相关电子的紫外和 X 射线光谱学学校...
探究凝聚态物质的微观电子结构。虽然可以从光电效应的物理学中轻松理解其基本原理，但在将 PES 信号转换为有用信息之前，还需要进行许多假设和近似。假设学校的学员已经具备该方法的一些基本知识（作为实践者或理论家），我的入门讲座将尝试概述 PES 方法论的核心概念和思想，并为后续的 SUCCESS 讲座计划做好准备。除了显而易见的要点之外，我还将尝试涉及一些特殊问题，这些问题在标准文献中并不常见，但随着该技术发展到新的光子强度和/或能量范围，这些问题可能会变得相关。我计划涵盖的主题包括（不一定按此顺序，只要时间允许）：
电子的热管理
预防灾难性的热力失败，定义为直接，热诱导的电子功能的总丢失，必须将电子热控制的主要和最重要的目的视为电子功能。ca骨失败可能是由于组件/系统性能的显着恶化或相关包装水平之一的结构完整性的丧失而导致的。在早期的微电体系统中，灾难性失败主要是功能性的，并认为是由于偏置电压的变化，再生加热产生的热失控和掺杂剂迁移，这些变化均发生在升高的晶体管连接温度下。尽管这些故障模式在设备开发过程中仍可能发生，但改进的硅模拟工具和热补偿的集成电路已在很大程度上使这些关注点安静了，并大大扩大了当今基于硅的逻辑和内存设备的工作温度范围。在使用CMOS设备用于高性能系统中仍然存在类似的问题。由于CMOS电路速度对温度的依赖性，可能有必要限制最高芯片温度以达到所需的周期时间和/或保持系统中的时机余量。