XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电学
影响导电聚合物电子传导的物理化学因素
由于电子从大分子链上的π分子轨道离域，了解有机大分子的电子结构和立体化学之间的密切联系，从而获得半导体或金属导电性，这有利于解释和理解它们的电学、电化学和光学性质以及不同的导电模式，也将更好地解释这些性质，特别是在通过化学聚合或电沉积开发超薄导电或半导体层时；这些结构用于开发电流或阻抗生物传感器（生物电子学）中DNA、RNA或蛋白质的固定表面，以及OJI（“有机”结型晶体管）、Oled（有机发光二极管）、用于纳米电化学、半导体电化学和光电化学的纳米电极，以及它们在数字显示、防腐、量子点（纳米点）和有机光伏电池（OPVC）中的众多应用。
综述文章 用于智能计算的铁电器件
近年来，晶体管的尺度不断逼近物理极限，阻碍了计算能力的进一步发展。后摩尔时代，新兴的逻辑和存储器件成为扩展智能计算能力的基础硬件。本文综述了用于智能计算的铁电器件的最新进展。首先阐明了铁电器件的材料性质和电学特性，然后讨论了可用于智能计算的新型铁电材料和器件。全面回顾和比较了用于低功耗逻辑、高性能存储器和神经形态应用的铁电电容器、晶体管和隧道结器件。此外，为了为开发基于高性能铁电的智能计算系统提供有用的指导，本文讨论了实现超大规模铁电器件以实现高效计算的关键挑战。
欧洲格式课程vitae
•日期（来自-a）•2001年，他开始从事光电学领域的Strolectroelectronics，研发部门，用于开发硅LED。•从2003年到2018年，他扮演了光电子和Fotonic Group的团队负责人的角色，其使命是在各种技术平台（BCD，CMOS）上设计，制造和表征主动和被动的光电设备，还管理电极特征实验室。•从2015年到2018年，管理生物技术平台和环境传感器的光学架构设计活动（无分散红外传感器（NDIR）•从2018年到2021年，可以管理红外传感器的设计，制造和表征以及相关应用程序，包括使用诸如备案和诸如备案之类的光学组件。•从2021年到今天，扮演甘恩（GAN）电源设备“设备物理”组的团队负责人：该活动提供了用于不同张力类别的gans中电力设备的模拟，设计和表征。
电动蒸汽散发的有机玻璃，用于集成的电镜
但是，即使已经开发了数十年的电聚合物，并且具有创纪录的电学系数[7-10]，但它们还是从溶液中沉积在潮湿的过程中，这对可再现的纳米结构构成了挑战，尤其是在使用Nanoscale订单的纳米级填充时，尤其是在使用Nansoscale阶段的nansoscale阶段。因此，重要的是研究聚合物的替代方法，以将有机材料及其活性功能整合到未来的光子电路中。在这里，我们提出了小分子的蒸气沉积，并提出了随后的单片分子组件的电极。真空有机分子的真空热蒸发目前被广泛用于有机光发射显示器的工业生产中[11]。这种干燥的，无溶剂的过程将使纳米级的均匀填充具有均匀的光学元素，例如插槽波导，光子
附件 B：物理科学与工程
• 固体结构、材料生长和特性 • 凝聚态的机械和声学特性、晶格动力学 • 凝聚态的传输特性 • 材料、表面、界面、纳米结构的电子特性 • 半导体和绝缘体的物理特性 • 宏观量子现象，如超导性、超流动性、量子霍尔效应 • 自旋电子学 • 磁性和强关联系统 • 凝聚态 - 光束相互作用（光子、电子等） • 纳米物理学，如纳米电子学、纳米光子学、纳米磁性、纳米机电学 • 介观量子物理学和固态量子技术 • 分子电子学 • 无序系统的结构和动力学，如软物质（凝胶、胶体、液晶）、颗粒物质、液体、玻璃、缺陷 • 流体动力学（物理学） • 统计物理学：相变、凝聚态系统、复杂系统模型、跨学科应用 • 生物系统物理学
空穴传输层、电子传输层和钙钛矿层的光子固化最新进展，以提高钙钛矿太阳能电池的性能
摘要：钙钛矿太阳能电池 (PSC) 引起了越来越多的研究兴趣，但其性能取决于材料的选择和所用的工艺。这些材料通常可以在溶液中处理，这使得它们非常适合卷对卷加工方法，但它们在环境条件下的沉积需要克服一些挑战以提高稳定性和效率。在这篇评论中，我们重点介绍了钙钛矿材料以及空穴传输层 (HTL) 和电子传输层 (ETL) 材料的光子固化 (PC) 的最新进展。我们介绍了如何使用 PC 参数来控制钙钛矿 HTL 和 ETL 层的光学、电学、形态和结构特性。强调这些进步对钙钛矿太阳能电池的重要性可以进一步凸显这项研究的重要性，并强调其在创造更高效和可持续的太阳能技术方面的重要作用。
课程
国际出版物10）Ionut Romeo Schiopu，“使用孤子稳定性进行高压电流电网测量的高压电流测量”，在国际会议上“光电学的高级主题，微电子和纳米技术的高级主题” 9）Ionut Romeo Schiopu，Brandus comanescu，Paul Schiopu“使用被动模式锁定的孤子纤维激光线性线性腔来调查透明媒体”在国际会议上“光电子学的高级主题8）Ionut Romeo Schiopu，Magnus Karlsson，Paul Schiopu“通过在一定的DCF腔中引入一定长度的DCF呈现”在国际会议上，“提高了被动模式锁定的光纤环激光器的稳定性”，“在Optoelectronics，Microelectronics，Microelelectronics and Microelectronics and Microelectronics and Microlectronics and Microlectronics and Microlectronics and Nanoteies”上（Attronoices in International Conference''SPIE 7821，78210d（2010）; doi：10.1117/12.882281，7）Ionut Romeo Schiopu和Paul Schiopu，“稳定性的机制增强了被动模式锁定的Erbium掺杂纤维环激光器的增强机制，通过被动地调节可吸收器的损失，并在Amplifier的高级播出中，或者在国际上销售的效果，或者在国际上销售，或者是国际上的高频，或者是国际上的介绍”微电子和纳米技术”，（Atom-N 2010），Proc。SPIE 7821，78210c（2010）; doi：10.1117/12.882279; 6）Ionut Romeo Schiopu和Paul Schiopu，“在更改腔中的总衰减或更换泵功率时，在PMFL中形成的孤子的中心波长调谐机制”，U.P.B.SCI。 Bull。，系列，第1卷。 72，ISS。SCI。Bull。，系列，第1卷。72，ISS。72，ISS。3（2010），第157-166页； 5）Ionut Romeo Schiopu，Magnus Karlsson，Mathias Westlund，Carmen Schiopu，“实验性测量孤子脉冲稳定性的实验性测量，用于被动模式的纤维激光器的不同配置，口头呈现，在国际上的“高级主题”，“ 6 Microelectronics and artie Electie andie atie atie atie ate”卷。7297，72971V（2009）; doi：10.1117/12.823671; 4）Ionut Romeo Schiopu，Magnus Karlsson，Mathias Westlund，Carmen Schiopu，“两条路径模式模式锁定的纤维激光器”，在国际会议上的口头介绍“光电学领域的高级主题，微电子学和纳米技术”，（Atom-N-N-N2008 2008），Spie Resporters，Spie Gromernings vol。7297，72971V（2009）; DOI:10.1117/12.823678, 3) Ionut Romeo Schiopu and Elena Mirela Babalic, "Proiectarea si Optimizarea Memoriilor Magnetorezistive cu Acces Aleator” (“Designing and Optimizing Random Magnetoresistive Memories”), book published in Romanian language at Ed.electra，布加勒斯特，2006，2）Ionut Romeo Schiopu和Iancu Ovidiu，“ MRAM的GHz感官放大器”，在国际会议上的口头呈现“光电学的高级主题，微电源，微电动和纳米技术” 6635，pp。663508（2007），doi：10.1117/12.741868，1）Ionut Romeo Schiopu和Iancu Ovidiu，“使用适应能力的电路对MRAM进行快速阅读”，在国际研讨会上的口头介绍国际研讨会，用于电子包装的设计和技术技术技术（SIITME），SIITME，21-24，2006年，2006年，2006年。
在氧化锌微波锌中相匹配的五波混合
*通讯作者：张开张，物理与技术学院，以及中国武汉大学武汉大学的人工微型和纳米结构的主要微型和纳米结构实验室；和武汉量子技术学院，武汉430206，中国，电子邮件：spzhang@whu.edu.cn。https://orcid.org/0000-0002-8491-0903 Kaibo Cui和Tianzhu Zhang，Physics and Technology of Physics and Technology＆Technology of Physics and Technology use Micro-和Nano Micro-和纳米结构的主要实验室微纳米电子材料和设备，微电学学院，荷贝大学，武汉430062，中国洪X，XU，物理与技术学院以及武汉大学的人工微型和纳米结构的主要微型和纳米结构的主要实验室瓦汉量子技术学院，武汉430206，中国；中国武汉430072的武汉大学微电子学院；和河南科学学院，郑州450046，中国河南
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846