摘要:开发了一种使用电导法定量分析伊马替尼、索拉非尼、吉非替尼和博舒替尼等抗癌药物的方法。将每种药物溶液与已测量浓度的金属离子 (Cu 2 +) 溶液混合,从而在滴定池中产生药物 - 金属离子络合物。在加入分析物溶液时,电导率逐渐降低,直至最大降低点,即终点。根据观察到的电导率计算校正电导值,并根据所添加的药物溶液体积绘制图形。空白和安慰剂未产生干扰,因为它们在滴定过程中没有对电导率产生明显影响。通过分析质量控制样品确定了所开发方法的精密度和准确度;校正电导值的 %RSD < 2%,回收率结果在 100 ± 2% 以内。获得的校准图在所有药物浓度 1.0 – 1.4 mM 范围内呈线性 (R 2 > 0.99)。已成功分析了内部制备的各自剂型中的药物。该方法为所选药物提供了更简单、更快速且经济高效的分析,可用于质量控制中的常规测定
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体(CMOS)后端(BEOL)兼容设备的兴趣,用于整体3维(3D)集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体,至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积(ALD)氧化二颗粒(在2 O 3中)的性能卓越,例如高驱动电流,高迁移率,陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中,使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT,表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级,可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态(DOS)的高尺寸(DOS),这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
1 威斯康星大学密尔沃基分校可持续电能系统中心,美国密尔沃基 2 土耳其安卡拉加齐大学技术学院电气与电子工程系 jeanpie4@uwm.edu;aie@uwm.edu;naltin@gazi.edu.tr;nasiri@uwm.edu 收稿日期:2020 年 4 月 10 日 接受日期:2020 年 6 月 22 日 摘要 - 近年来,用于并网应用的结合光伏 (PV) 系统和集成储能的分布式发电厂的研究兴趣日益增加。然而,多种能源的组合需要大量的 DC-DC 转换器,因此变得更加复杂。为了解决这个问题,本研究提出了一种用于并网应用的多端口双向 DC-DC LLC 谐振转换器。为了最大限度地降低所提系统的控制复杂性,还开发了一种基于区域的控制器方法,该方法集成了基于增量电导法的改进最大功率点跟踪 (MMPPT) 方法。该控制器能够在从公用电网输送或获取电力时调节转换器电压和功率流。本研究中介绍的转换器包含一个双向降压-升压转换器和一个 LLC 谐振转换器,以及一个电压源并网逆变器。它们都与 PV、电池和公用设施连接。通过 MATLAB/Simulink 进行的大量仿真分析证明了所提拓扑的运行。
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应,并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时,平带电压的变化可以忽略不计,这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异,这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外,提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法,除了传统常开型高电子迁移率晶体管(HEMT)中发现的浅陷阱态[陷阱激活能(ET)约为0.334–0.338 eV]之外,在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态(ET约为0.467–0.485 eV)。观察到随着辐照剂量的增加,浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外,深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低,但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌,该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。