电阻器按功能可分为固定电阻器和可变电阻器(可调电阻器)。电阻器结构一般有三种类型:合成电阻器、薄膜电阻器或线绕电阻器。它们基本上由安装在基座或基板上的电阻元件、环境保护涂层和外部电引线组成。合成电阻器由电阻材料和粘合剂的混合物制成,并模制成具有特定电阻值的预定形状。薄膜电阻器由沉积在绝缘圆筒或细丝内部或外部的薄电阻膜制成,在绝缘圆筒或细丝上刻有螺纹图案(有时称为螺旋切割或螺旋切割),以在陶瓷或玻璃基板的两端之间形成薄窄条或电阻材料轨道。线绕电阻器由缠绕在绝缘体上的电阻丝制成。这三种基本类型在固有可靠性、尺寸、成本、电阻范围、额定功率和一般特性方面有所不同。没有一种类型具有所有最佳特性。在选择它们时必须考虑许多因素。
电阻器按功能可分为固定电阻器和可变电阻器(可调电阻器)。电阻器结构一般有三种类型:合成电阻器、薄膜电阻器或线绕电阻器。它们基本上由安装在基座或基板上的电阻元件、环境保护涂层和外部电引线组成。合成电阻器由电阻材料和粘合剂的混合物制成,并模制成具有特定电阻值的预定形状。薄膜电阻器由沉积在绝缘圆筒或细丝内部或外部的薄电阻膜制成,在绝缘圆筒或细丝上刻有螺纹图案(有时称为螺旋切割或螺旋切割),以在陶瓷或玻璃基板的两端之间形成薄窄条或电阻材料轨道。线绕电阻器由缠绕在绝缘体上的电阻丝制成。这三种基本类型在固有可靠性、尺寸、成本、电阻范围、额定功率和一般特性方面有所不同。没有一种类型具有所有最佳特性。在选择它们时必须考虑许多因素。
摘要 一种可能表现出具有不同光电特性的多个晶相的材料可用作相变存储材料。当两个竞争相具有较大的电子结构对比度并且相变过程为无扩散和马氏体时,灵敏度和动力学可以增强。在这项工作中,我们从理论和计算上说明了这种相变可能发生在 IV 族单硫属化物 SnSe 化合物中,该化合物可以存在于量子拓扑平凡的 Pnma -SnSe 和非平凡的 Fm 3 m -SnSe 相中。此外,由于这些相的电子能带结构差异,揭示了 THz 区域的光学响应的巨大差异。根据驱动电介质的热力学理论,提出了使用具有选定频率、功率和脉冲持续时间的线性偏振激光进行光机械控制以触发拓扑相变。我们进一步估计了驱动可在皮秒时间尺度上发生的无障碍跃迁的临界光电场。这种光致动策略不需要制造机械接触或电引线,只需要透明度。我们预测,伴随大熵差的光驱动相变可用于“光热”冷却装置。