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多指MOSFET几何形状对RF电路的电性能的影响
摘要 - 低成本，低功率和高效率集成系统的需求增加使设计射频（RF）模拟电路变得更加复杂。使用多指MOSFET是一种优化电路性能的有吸引力的技术。与单指MOSFET相比，它降低了硅区域，门电阻和寄生电容，这主要影响高频和噪声性能。但是，选择最佳手指数量仍然是一个具有挑战性的问题。本文研究了手指的数量（NF）对晶体管参数的影响，并评估其对RF收发器中多个关键功能的影响。该研究专门关注NF的函数，该研究在130 nm CMOS技术中实施的民用RF电路的性能。首先，提出了差异RF带通滤波器的设计。结果表明，使用多指MOSFET会导致芯片面积减少66.5％，功率消耗量增加了15％，而噪声图则减少了43％，与常规方法相比，线性性和频率范围的改善。然后，根据NF的不同配置，已经设计了一种在2.4 GHz左右运行的无电感LC-VCO和LNA。获得的结果通过应用多手指优化显示了该区域，功率增益，频率和噪声性能的改善，并表明保持NF的增加可以降低稳定性，线性和功耗。还通过蒙特卡洛模拟测试了所提出的电路，从而证实了它们的稳健性和不匹配变化。不同提议的电路和NF配置之间的详细分析比较证明，当NF较低时，MF技术是可靠的。
后退火对蓝宝石上多晶Ga2O3光电探测器电性能的影响
研究了后退火对蓝宝石衬底上日盲多晶氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 紫外光电探测器的物理和电学性能的影响。随着后退火温度 (PAT) 从 800 °C 升高到 1000 °C，多晶 Ga 2 O 3 的晶粒尺寸变大，但随着 PAT 进一步升高到 1100 °C，晶粒尺寸变小。随着 PAT 的增加，在蓝宝石上的 Ga 2 O 3 的透射光谱的吸收带边缘发生了蓝移，这是由于蓝宝石衬底中的 Al 掺入 Ga 2 O 3 中形成 (Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 造成的。高分辨率X射线衍射和透射光谱测量表明，1100°C退火后的(Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 的取代Al组分和带隙分别可以达到0.30和5.10 eV以上。1000°C退火样品的R max 与沉积态器件相比提高了约500%，且1000°C退火样品的上升时间和下降时间较短，分别为0.148 s和0.067 s。这项研究为多晶Ga 2 O 3 紫外光电探测器的制作奠定了基础，并找到了一种提高响应度和响应速度的方法。
石墨烯分散对聚酰亚胺纳米复合材料的电性能的影响
抽象 - 基于石墨烯的聚合物纳米复合材料吸引了广泛的工业兴趣，因为由于石墨烯的独特传导性能，该材料的电导率可以精确控制。在本文中，我们显示了去角质方法和分散时间对聚酰亚胺/石墨烯纳米复合材料的整体电导传导的影响。一组具有不同石墨烯纳米液含量的聚酰亚胺膜是通过热弹性制备的，并进行了电表征，以评估纳米复合材料对电渗透阈值的组成的影响。研究了三种分散技术（即高剪切混合，超声探针和行星混合）发现，在每种情况下，通过增加分散时间来减少石墨烯纳米叶片的尺寸。使用高剪切混合技术获得最高的分散质量，该技术产生了0.03 wt％的电渗透阈值。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
少量抗二烯电性能对低温应用聚合物的评论
摘要：最近，基于聚合物的复合材料在低温条件下的应用已成为一个热门话题，尤其是在航空航天领域。在低温温度下，聚合物变得更脆，温度引起的热应力的不利影响更为明显。在本文中，综述了热塑性和热塑性聚合物用于低温应用的研究开发。本综述考虑了有关的文献：（a）经过修饰的热固性聚合物的低温性能以及所报道的修饰方法的改进机制； （b）某些商业热塑性聚合物的低温应用潜力以及经过修饰的热塑性聚合物的低温性能； （c）最近将聚合物用于特殊的低温环境液氧的进步。本文概述了针对低温应用聚合物的研究开发。此外，已经提出了未来的研究指示，以促进其在航空航天中的实际应用。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
研究表面贴装器件集成镀银Vectran纱线的电性能
摘要：智能纺织品因其在简化生活方面的潜在应用而引起了广泛关注。最近，通过将电子元件整合到导电金属纱线上/内来生产智能纺织品。表面贴装电子设备 (SMD) 集成电子纱线的开发、特性和机电测试仍然有限。由于非细丝导电纱线具有突出的纤维，因此容易发生短路。确定最佳构造方法并研究影响基纱纺织性能的因素非常重要。本文研究了不同外部因素（即应变、焊盘尺寸、温度、磨损和洗涤）对 SMD 集成镀银 Vectran (SCV) 纱线电阻的影响。为此，通过应用气相回流焊接方法将 SMD 电阻器集成到 SCV 纱线中来制造 Vectran 电子纱线。结果表明，导电线规长度、应变、重叠焊盘尺寸、温度、磨损和洗涤对 SCV 电子纱的电阻性能有显著影响。此外，根据实验，由 SCV 导电线和 68 Ω SMD 电阻制成的电子纱的最大电阻和功率为每 0.31 m 长度 72.16 Ω 和 0.29 W。因此，这种电子纱的结构也有望为制造可穿戴导电轨道和传感器带来巨大好处。
半导体基于方二的共价有机框架的合成，孔掺杂和电性能
摘要：二维共价有机框架（2D COF）含有杂型琴，从理论上鉴定为具有可调的，dirac-cone的带状结构的半导体，预计可为下一代弹性电子的高电荷运输能力提供理想的高电荷机动性。但是，这些材料的批量合成很少，现有的合成方法提供了对网络纯度和形态的有限控制。在这里，我们报告了苯甲酮 - 伊米氨酸保护的氮基因（OTPA）（OTPA）和苯二噻吩二醛（BDT）之间的转介反应，该苯二醛（BDT）提供了一个新的半导体COF网络OTPA-BDT。将COF作为多晶粉和具有控制晶体方向的薄膜。暴露于适当的P型掺杂剂Tris（4-溴苯基）六氯乙酸苯甲酸苯二氧化苯甲酸酯后，将氮化基因淋巴结很容易被氧化为稳定的自由基阳离子，此后，网络的结晶度和方向得以维持。面向孔掺杂的OTPA-BDT COF膜表现出高达1.2×10 –1 s cm –1的电导率，这是迄今为止据报道的最高报告的亚胺连接2D COF。
银纳米粒子修饰多壁碳纳米管硅胶复合薄膜的制备及电性能
摘要：研究了溶液法制备的银 (Ag) 纳米粒子修饰多壁碳纳米管 (MWNT) 填充硅胶复合膜的电性能。使用亚硫酰氯将原始 MWNT 氧化并转化为酰氯功能化的 MWNT，随后将其与胺基封端的聚二甲基硅氧烷 (APDMS) 发生反应。随后，用银纳米粒子修饰 APDMS 修饰的 MWNT，然后与聚二甲基硅氧烷溶液反应形成银修饰 MWNT 硅胶 (Ag-decorated MWNT-APDMS/Silicone) 复合材料。通过透射电子显微镜 (TEM) 观察了含有银修饰 MWNT 和 APDMS 修饰 MWNT 的硅胶复合材料的形貌差异，并通过四探针法测量了表面电导率。 Ag修饰的MWNT-APDMS/硅胶复合膜比MWNT/硅胶复合膜表现出更高的表面电导率，说明可以通过用APDMS和Ag纳米粒子对MWNT进行表面改性来改善Ag修饰的MWNT-APDMS/硅胶复合膜的电性能，从而拓展其应用领域。
甲酸铵浓度对2-羟乙基纤维素固体生物聚合物电解质电性能的影响
1能源材料财团（EMC），高级材料团队，离子和动力学材料研究实验室（IKMAR），科学技术学院，马来西亚伊斯兰教伊斯兰教，尼列尔71800，Negeri sembili sembilan darul khusus，马来西亚2个高级材料团队，高级材料团队，伊斯兰元素分析， U，21030吉隆坡，马来西亚Terengganu Darul Iman，3能源材料财团（EMC），Nano Energy Laboratory（NEL），科学技术学院，马来西亚大学伊斯兰大学伊斯兰教，71800 Nilai，Negeri Sembili Sembilan darul darul darul darul darul khusus，马来西亚4号陆战队马来西亚的Terengganu Darul Iman的Nerus 5化学工程技术学院，马来西亚Perlis大学（UNIMAP），UNICTI ALAM，SUNGAI CHUCHUH，02100 PADANG马来西亚玻璃市大沙 6 印度钦奈萨维塔大学 (SIMATS) 萨维塔工程学院应用物理系