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World File Search System电感
多层超导集成电路中的电感噪声耦合
超导低温电路是一种新兴的节能技术，可以替代或补充现有的 CMOS VLSI 系统。最先进的超导电路利用十多个铌层作为逻辑电路和互连。这些系统中存在多个电感耦合噪声源。本文评估了这些电感噪声源，并讨论了耦合噪声的影响。特别是，本文描述并讨论了无源传输线中耦合噪声的影响，其中数据信号的幅度异常小。本文还描述了偏置电流耦合到逻辑门内电感的影响，因为逻辑门需要精确的偏置条件。本文提供了管理耦合噪声有害影响的指南。
电感耦合等离子体发射光谱法测定锂镍锰钴复合材料中的硫
摘要：锂镍锰钴（LiNi x Co y Mn z ，NCM）复合材料在先进电子器件和材料/合金中的应用十分广泛，其杂质成分分析是评价其质量的重要领域。本文提出了采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定NCM复合材料中硫的方法。研究了Si、Fe、Mn、Mg、Ca、Ni、Cr及主基体共存杂质的影响。在优化的条件下，硫在0～10 mg/L（±0.9999）范围内呈现良好的线性关系，加标回收率为98.11～102.07%，RSD为3.69%，共存杂质含量低于5.0%对硫的测定无明显干扰。该方法可以作为NCM复合材料中痕量硫含量的可靠测定。
使用元启发式技术对生物医学植入物的电感耦合线圈进行优化设计
1. Lakhdari, A：无线能量传输系统的开发：生物医学领域的应用。（2020 年）。2. Heidarian, M. 和 Burgess, SJ（2020 年）。一种优化谐振线圈和电感链路能量传输的设计技术。IEEE 微波理论与技术学报，69 (1)，399-408。3. Gosselin, B.（2011 年）。神经记录微系统的最新进展。传感器，11 (5)，4572-4597。4. Tianjia Sun、Xiang Xie 和 Zhihua Wang：用于医疗微系统的无线能量传输。（2013 年）。5. Kiani, M. 和 Ghovanloo, M.（2012 年）。设计高性能感应电能传输链路的品质因数。IEEE 工业电子学报，60 (11)，5292-5305。6. Mirbozorgi, SA (2015)。用于植入式医疗设备的高性能无线电源和数据传输接口。7. Kiani, M.、Jow, UM 和 Ghovanloo, M. (2011)。设计和优化 3 线圈感应链路以实现高效的无线电能传输。IEEE
常见的电感和电容传感应用
表格列表表 2-1. 设计挑战................................................................................................................................................................ 7 表 2-2. 其他相关资料................................................................................................................................................. 7 表 3-1. 器件建议....................................................................................................................................................... 10 表 3-2. 设计挑战....................................................................................................................................................... 10 表 3-3. 相关资料....................................................................................................................................................... 10 表 4-1. 设计挑战....................................................................................................................................................... 13 表 4-2. 相关资料....................................................................................................................................................... 13 表 5-1. 器件建议....................................................................................................................................................... 17 表 5-2. 设计挑战....................................................................................................................................................... 18 表 5-3. 相关资料....................................................................................................................................................... 18
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
对人血浆中28个痕量元件的定量分析和血清中的三倍四极杆电感耦合等离子体质谱法
仅用于一般实验室。不适用于诊断程序。©2022 Thermo Fisher Scientific Inc.保留所有权利。Clinmass和食谱是食谱化学品 +仪器GmbH的商标。元素科学是元素科学的商标。所有其他商标都是Thermo Fisher Scientific及其子公司的财产。TN000598-EN 0322S
使用金薄膜对电感耦合等离子体中真空紫外光子通量的绝对测量
描述了一种绝对测量等离子体边缘真空紫外 (VUV) 光子通量的新方法。让等离子体产生的光撞击远离等离子体的带负偏压的镀金铜基板。测量由此产生的光电子发射电流，然后根据已知的 Au 光电子产额找到绝对光子通量。该方法用于量化氩/氦电感耦合等离子体 (ICP) 产生的 VUV 光量。观察到 104.82 和 106.67 nm 的强发射，对应于氩的 1s 2 和 1s 4 共振态。在远程位置测得的最大积分 VUV 光子通量为 3.2 × 10 13 光子/cm 2 s。估计这对应于 ICP 边缘 5 × 10 15 光子/cm 2 s 的通量，在类似条件下报告的值范围内。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
采用全...设计和制造平面电感器
电子封装的小型化是一个持续的趋势。制造商正在增加封装密度以适应更复杂的设计和更高的工作频率。表面贴装器件 (SMD) 和当今的制造工艺开始成为这种小型化的限制因素。这些问题的解决方案是嵌入式无源器件和新的全加成制造工艺。在这项工作中，使用称为顺序构建 - 共价键合金属化 (SBU-CBM) 的全加成工艺制造平面电感器。测试了一种用于 CBM 工艺的新嫁接材料，但在 FR4 基板上测试时发现它比以前使用的材料更差。发现高电感和高 Q 因数的平面电感器的最佳设计是圆形螺旋电感器。使用 SBU-CBM 工艺成功制造了特征尺寸为 75 µm 的平面圆形螺旋电感器。