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World File Search System电感器
基于电压可变电感器的线性电压控制正交振荡器实现
Ź i = Zi/ α 1 β 1 α 2 δ 2 (2) 其中 α 1,2 = (1 ─ε i,1,2 )/ (sτ i,1,2 +1) ，β 1 = (1 ─ε v1 )/ (sτ v1 +1) 和 δ 2 = (1 ─ε o1 )/ (sτ o1 +1)。直流增益误差完全可以忽略不计 ( ε << 1)[ 13] ；滚降极点出现在非常高的频率范围 (>> 100MHz) 并且它们非常接近 [14 ]。因此，我们可以写出 τ i,v,z ≈τ ≡ 1/ω p ，从而得出 α 1 β 1 α 2 δ 2 = 1/ { (sτ) 4 + (4sτ ) 3 + (6sτ) 2 + 4s τ +1 （3）忽略高阶项，对于频域写出 sτ = jωτ ≡ jω/ω p ≈ ju ；我们得到一个修正的 L 值，其中 u << 1，因为 Ĺ /L ≈ {1/ √(1+16 u 2 )} ∟─arctan (4 u ); u << 1 （4）因此，器件滚降极点的影响可以忽略不计。如图 1(a) 所示，将所提出的 VVI 应用于具有分流电容器 (C s ) 和串联电阻器 (r) 的选择性 BP 滤波器中，其传递函数为 V o /V i (s) ≡ F(s) 为 F(s) = (sL/r)/ { s 2 LC s (1+ m ) +(sL/r) + 1} (5)
通过有限元分析量化纳米电感器增强的神经元活动磁传导
摘要 目的。检测神经信号的方法涉及侵入性、时空分辨率和记录的神经元或脑区数量之间的折衷。基于电极的探针提供了出色的响应，但通常需要经颅布线并捕获有限神经元群的活动。脑电图和脑磁图等非侵入性方法分别提供场电位或生物磁信号的快速读数，但具有空间限制，禁止从单个神经元进行记录。增强神经源性磁场的细胞大小的装置可用作基于磁的模式的原位传感器，并提高检测跨多个脑区不同信号的能力。方法。我们设计并建模了一种能够与单个神经元形成紧密电磁连接的装置，从而通过驱动电流通过纳米制造的电感元件将细胞电位的变化转化为磁场扰动。主要结果。我们使用从体外膜片钳神经元获取的信号和几何形状进行真实的有限元模拟，对设备性能进行了详细的量化，并展示了该设备产生可通过现有模式读取的磁信号的能力。我们将设备的磁输出与内在神经元磁场 (NMF) 进行了比较，并表明单个神经元的传导磁场强度在峰值时高出三倍多（1.62 nT vs 0.51 nT）。重要的是，我们报告了典型体素 (40 × 40 × 10 µ m) 内传导磁场输出的空间增强，比内在 NMF 强度高出 250 倍以上（0.64 nT vs 2.5 pT）。我们使用此框架根据纳米制造约束和材料选择对设备性能进行优化。意义。我们的量化为合成和应用用于检测大脑活动的电磁传感器奠定了基础，可以作为在单细胞水平上量化记录设备的通用方法。
采用高品质因数变压器电感器的 65-81 GHz CMOS 双模 VCO
摘要 — 本文介绍了一种宽调谐范围双模毫米波 (mm-wave) 压控振荡器 (VCO)，该振荡器采用了基于高品质因数 (Q) 变压器的可变电感器。通过构建高 Q 固定电容器变压器负载与无损开关结构串联，提出了一种具有两个不同值的高 Q 开关电感器，该无损开关结构不会像通过改变电容器上的信号模式那样给 LC 谐振回路增加任何损耗。通过为每种模式选择合适的中心频率和足够的频率重叠，可以设计宽频率调谐范围 (FTR) 毫米波 VCO。它提供了几乎两倍的调谐范围，同时保持相位噪声 (PN) 与使用两个独立电感器设计的双模 VCO 几乎相同。该 VCO 采用 65 nm CMOS 工艺制造，在 64.88 至 81.6 GHz 范围内测得的 FTR 为 22.8%。测量的 10 MHz 偏移处的峰值 PN 为 -114.63 dBc/Hz，最佳 FOM 和 FOM T 的最大和最小对应值分别为 -173.9 至 -181.84 dB 和 -181.07 至 -189 dB。VCO 核心在 1 V 电源下消耗 10.2 mA 电流，占用面积为 0.146 × 0.205 mm 2 。
使用片上低温 CMOS 有源电感器进行多路复用量子器件的阻抗测量
在寻求可扩展的量子处理器的过程中，人们投入了大量精力来开发低温经典硬件，以控制和读出越来越多的量子比特。当前的工作提出了一种称为阻抗测量的新方法，该方法适用于测量连接到谐振 LC 电路的半导体量子比特的量子电容。阻抗测量电路利用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 有源电感器在谐振器中的集成，具有可调谐振频率和品质因数，从而能够优化量子器件的读出灵敏度。实现的低温电路允许快速阻抗检测，测得的电容分辨率低至 10 aF，输入参考噪声为 3.7 aF/ffiffiffiffiffi Hz p。在 4.2 K 时，有源电感的功耗为 120 μW，此外还有片上电流激励（0.15 μW）和阻抗测量电压放大（2.9 mW）的额外功耗。与基于色散 RF 反射测量的常用方案（需要毫米级无源电感）相比，该电路的占用空间明显减小（50 μ m 3 60 μ m），便于将其集成到可扩展的量子经典架构中。阻抗测量法已被证明是一种
接收、发射和...的电路和系统
本工作致力于微波路径平面元件开发的某些方面，这些元件用于低噪声 LTE 范围放大器的设计，即电感器，以便进一步用作 NB-IoT 收发器的一部分。给出了高频电感器设计的一般理论计算。以标称值为 7 nH 的多层 CMOS 90 nm 电感器为例，我们通过电磁 (EM) 模型展示了通过复制层获得的结构厚度的影响，该结构厚度用于获得所需的表皮层厚度并在 0.5 至 3.5 GHz 的 LTE 频率范围内实现最佳品质因数。为了更好地理解电感器的工作原理，比较了针对不同基板电导率值进行 EM 模拟所获得的模型。获得的数据部分反驳了通过使用多个 TSV 阵列组合一组硅工艺堆栈的上部金属来增加电感器最大厚度的必要性。由于基板对电感器下部金属层的电容影响不断增大，尽管趋肤效应对低频有负面影响，但仍可以通过具有最少金属层的结构来实现最高的Q值和自谐振频率。
电故障检测的研究和实验...
摘要 - 随着电动汽车（EV）纳入日常生活的不断增长，对可靠充电站的需求已大大增加。确保这些电台的电气安全需要高质量的电感器组件，以在充电过程中保持准确性和效率。这项研究介绍了电感器自动电气故障检测系统的开发，旨在提高成本效益并降低企业的风险。首先，本文提供了不同类型的电感器的结构，标准和技术参数。然后，详细介绍了电故障检测系统的概述和工作原理。实验结果进行分析以评估系统的准确性和可靠性，证明了其提高电动电动机充电站中电感器组件性能的潜力。
N0001424SBC02-修正案-0002.pdf
背景：目前，没有任何商用现货 (COTS) 电感器材料或空心电感器能够令人满意地满足未来海军电力和能源系统在功率处理、效率、体积效率和温升方面的需求。这一不可否认的结论不仅需要新材料，还需要一种新的超高频材料设计范例，以捕获 250 MHz 或更高的带宽。需要专注于开发用于电感器的新型磁性材料，着眼于将应用扩展到高频变压器，以提供高 SWAP+C2（尺寸、重量和功率加上成本和冷却）和可靠的超高频应用电感器。此外，截止频率和磁导率/磁化（电感器饱和电流）具有反比关系，与尖晶石铁氧体和合金中观察到的众所周知的趋势一致（即 Snoek 关系）。然而，更宽的带宽（即更高的截止频率）是以更低的磁导率和磁化为代价的，这意味着更低的功率处理能力、更高的损耗因子和对 SWAP+C2 的妥协。然而，具有更高磁导率的样品
电力 - Taylor & Francis 电子书
8 交流电路关系. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 8.1 简介 175 8.2 矢量 176 8.3 交流电路测量和值 178 8.4 交流电路中的电阻器 181 8.5 交流电路中的电感器 183 8.5.1 连接到交流电的电感器 184 8.5.2 电感器中的交流电流 185 8.5.3 相互串联的电感器 187 8.5.4 相互并联的电感器 190 8.6 交流电路中的电容器 192 8.6.1 连接到交流电的电容器 194 8.6.2 包含电容器的交流电路中的电流 196 8.6.3 串联电容器 197 8.6.4 并联电容器 199 8.7 电感器和电容器 200 8.8 相位差 204 8.8.1 超前和滞后 204 8.8.2 交流电路中电压和电流之间的相位差 206 8.8.3 使用矢量显示相位差 207 8.9 交流功率 208 8.9.1 阻抗 208 8.9.2 交流功率 208 8.9.3 功率因数 210 8.10 串联 RLC 电路 211 8.10.1 串联 RLC 电路中的功率因数 214 8.11 并联 RLC 电路 218 8.11.1 并联 RLC 电路中的功率因数 221 8.12 交流电路中的分压器 222
电动汽车的电池管理系统
如果SOC1大于SOC2，则将比较第一个Cell1和Cell2中的第一个SOC ，则开关（S1）将打开，并且能量将通过开关和电感器从Cell1转移到Cell1。 如果SOC2> SOC1，则开关（S2）将打开，并且能量将通过二极管1从Cell2转移到Cell1。 如果SOC3大于SOC4，则将比较Cell3和Cell4的SOC后，然后开关（S3）将打开，并且能量将通过开关和电感器从Cell3转移到Cell4。 如果SOC4> SOC3，则开关（S4）将打开，并且能量将通过二极管3转移到Cell4到Cell3。 如果SOC1大于SOC3，则将比较Cell1和Cell3的下一个SOC，然后开关（S1）＆Switch（S2）将打开，能量将通过开关和电感器从Cell1转移到Cell1。 如果SOC3> SOC1，则开关（S3）将打开，并且能量将通过二极管2＆Diode1从Cell3转移到Cell1。 如果SOC2大于SOC4，则将比较Cell2和Cell4的下一个SOC，然后开关（S2）＆Switch（S3）将打开，能量将通过开关和电感器从Cell2转移到Cell2。 如果SOC4> SOC2，则开关（S4）将打开，并且能量将通过Diode3＆Diode2从Cell4转到Cell2。 对于“ n”数量的细胞数将随后进行相同的过程。，则开关（S1）将打开，并且能量将通过开关和电感器从Cell1转移到Cell1。如果SOC2> SOC1，则开关（S2）将打开，并且能量将通过二极管1从Cell2转移到Cell1。如果SOC3大于SOC4，则将比较Cell3和Cell4的SOC后，然后开关（S3）将打开，并且能量将通过开关和电感器从Cell3转移到Cell4。如果SOC4> SOC3，则开关（S4）将打开，并且能量将通过二极管3转移到Cell4到Cell3。如果SOC1大于SOC3，则将比较Cell1和Cell3的下一个SOC，然后开关（S1）＆Switch（S2）将打开，能量将通过开关和电感器从Cell1转移到Cell1。如果SOC3> SOC1，则开关（S3）将打开，并且能量将通过二极管2＆Diode1从Cell3转移到Cell1。如果SOC2大于SOC4，则将比较Cell2和Cell4的下一个SOC，然后开关（S2）＆Switch（S3）将打开，能量将通过开关和电感器从Cell2转移到Cell2。如果SOC4> SOC2，则开关（S4）将打开，并且能量将通过Diode3＆Diode2从Cell4转到Cell2。对于“ n”数量的细胞数将随后进行相同的过程。