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World File Search System电感器
微电子杂志
通过（TSV）技术利用同轴性通过Silicon，提出了紧凑的低通滤波器（LPF）。首先，通过分析计算，有限元方法（FEM）模拟和测量，研究了基于同轴TSV的几个电容器。其次，提出并通过FEM模拟和测量结果对基于同轴TSV的螺旋感应的电感式的公式进行了验证。最后，提出了基于基于TSV的电容器和电感器的研究，提出了基于2×4、2×5、2×6和2×7同轴TSV阵列的提议𝐿𝐶LPFS的分析模型，并且在AD和HFF中建立了等效电路模型以及在ADS和HFSS中的有限元模型（FEM）模型。LPF通过测量进行制造和验证。在建议的LPF中，同时使用同轴TSV作为电容器和电感器，这会导致更紧凑的大小。电感器的寄生能力可以帮助诱导拟议的LPF在停止带中诱导一个缺口，并提高滚动速率。
粒状铝作为高温超导材料...
超导量子信息处理机主要基于微波电路，该电路具有相对较低的特性阻抗（约 100 Ω）和非谐性小的特点，这会限制它们的相干性和逻辑门保真度 1、2。一种有前途的替代方案是基于所谓的超电感器的电路 3 – 6，其特性阻抗超过电阻量子 RQ = 6.4 k Ω。然而，以前实现的超电感器由介观约瑟夫森结阵列 7、8 组成，会在量子比特附近引入非预期的非线性或寄生谐振模式，从而降低其相干性。在这里，我们提出了一种基于颗粒铝超电感器条带的通量量子比特设计 9 – 11。我们表明，颗粒铝可以形成具有高动态电感的有效结阵列，并可与标准铝电路加工原位集成。测得的量子比特相干时间 T ** ss 30 2 ≤ μ 说明了颗粒铝在从受保护的量子比特设计到量子限制放大器和探测器等各种应用领域的潜力。使用超导电路 1 构建大规模量子信息处理机器仍然是一项具有挑战性的物理和工程工作。尽管目前已经有了有前途的小规模原型 12 – 14 和必要构建块的原理验证演示，但要扩展到大量逻辑量子比特，需要在量子比特技术的各个方面取得突破，包括量子比特架构和材料。例如，当前超导量子比特处理器面临的主要挑战之一是量子态泄漏到非计算自由度 2 的问题，这可能成为扩展的障碍。 transmon 量子比特的有限非谐性可能不足以在频率上将计算空间与周围日益复杂的微波环境隔离。一种有前途的替代量子比特架构基于所谓的超电感器，其特性阻抗大于 RQ = h /(2 e ) 2 = 6.4 k Ω，例如 fluxonium 量子比特 3 ，它提供数量级更大非谐性和与 transmon 量子比特 4 相当的相干性。在这些电路中，相位的量子涨落比电荷涨落更占主导地位，并为设计新的、可能受到保护的量子电路 15、16 提供了场所。大电感器也可能成为下一代通量和相位量子比特 17 的基石。此外，采用超电感器和小电容器的微波谐振器最近已被用来增强和限制电压波动，从而实现光子和电子之间的强耦合
京瓷 AVX 薄膜技术
• 电感器：多层多圈铜和金电感器 • 钝化材料：SiON、Si 3 N 4 、BCB 和聚酰亚胺 • 过孔：溅射、增强镀层、填充和城堡状 • I/O：BGA、LGA、边缘包裹、通孔和引线或带状键合 • 加工： - CO2 切割、钻孔和划线 - 金刚石锯切割 - 背面研磨和抛光 • 组装： - 高精度 0201 或更大尺寸的拾取和放置 - 通过引线或带状键合、BGA、LGA 或表面贴装回流进行连接 - 封装 • 测试： - MIL-STD-105D II 级抽样 - MIL-STD-883 100% 目视检查 - 电容、绝缘电阻和电阻率 - 高达 40 GHz 的射频测试
适用于全集成毫米波和雷达应用的 22FDSOI 技术
收发器。作为毫米波增强功能，介绍了诸如放宽间距、扩展器件与基板隔离、mmW 电感器等具体功能。最后，将简要讨论电路演示器，并总结 22FDX ® 平台的前景。
an1994-sta50x-digital-power-family ... - STMicroelectronics
绝对最大额定值不得超过（即使在换向尖峰期间）40V：超过此值可能会损坏设备。欠压：典型的激活阈值为 7V。过热：阈值结温为 150°C (±10°C)，没有滞后（开启延迟可防止快速振荡）。FAULT 和 TH_WAR 的阈值正在跟踪中。过流：所有 IC 的最小过流值如上表所示。对于正常运行，通过负载的峰值必须小于过流限值。约 200 纳秒的内部延迟可防止电流限制器干预正常运行期间发生的电流尖峰。设备没有针对电感器前引脚直接短路的保护。重要的是所选电感器不会因额定指定电流而饱和。
电气工程系
数字世界简介 (a) 电压电平和静态规则 (b) 布尔逻辑和组合门 (c) MOSFET 器件和 S 模型 (d) MOSFET 作为开关；回顾 (e) MOSFET 的 SR 模型 (f) 非线性：电容器和电感器快照 (a) 电容器、电感器的行为及其线性 (b) 基本 RC 和 RLC 电路 (c) 使用电容器建模 MOSFET 异常 (d) RLC 电路及其分析 (e) 正弦稳态分析 (f) 无源滤波器简介 运算放大器抽象 (a) 运算放大器简介 (b) 运算放大器电路分析 (c) 运算放大器作为有源滤波器 (d) 有源滤波器设计简介 变压器和电机 (a) 交流电源电路分析 (b) 多相电路 (c) 变压器简介 (d) 电机简介
TPS62040 TPS62042，TPS62043 TPS62044，TPS62046
在PWM操作过程中，转换器使用唯一的快速响应电压模式控制器方案，并使用输入电压馈电 - for -for -for -for -For -For -For -For -For -Forne for -Fore and Load Condulation，从而允许使用小的陶瓷输入和输出电容器。在每个时钟周期开始时，时钟信号启动的时钟循环（s）p通道MOSFET开关打开，电感器电流逐渐升起，直到比较器行程和控制逻辑关闭开关。当前限制比较器还关闭开关，以防超过P通道开关的当前限制。在防止电流射击的时间后，N通道MOSFET整流器被打开，电感器电流升至下降。下一个周期是由时钟信号启动的，再次关闭N通道整流器并打开P通道开关。
AN1306：避免轨对轨 CMOS 放大器不稳定
电感器是一种具有频率相关阻抗特性的电气元件；电感器在低频时表现出低阻抗，在高频时表现出高阻抗。虽然“理想”运算放大器输出阻抗特性为零，但“实际”放大器的输出阻抗是电感性的，并且像电感器一样随着频率的增加而增加。EL5157 的输出阻抗如图 2 所示。使用运算放大器的应用中的一个常见挑战是驱动电容负载。之所以有挑战性，是因为运算放大器的电感输出与电容负载一起形成 LC 谐振槽拓扑，其中电容负载电抗与电感驱动阻抗一起导致当反馈围绕环路闭合时产生额外的相位滞后。降低相位裕度会导致放大器振荡的可能性。振荡时，放大器会变得非常热，并且可能会自毁。针对这一挑战，有几个非常著名的解决方案。1) 最简单的解决方案是在输出端串联一个电阻，以强制反馈来自放大器的直接输出，同时隔离无功负载。这种方法的代价是牺牲负载上少量的输出电压摆幅。2) 另一个直接的解决方案是应用“缓冲网络”。缓冲网络是一个与电容负载并联的电阻和电容，在负载上提供电阻阻抗以减少输出相移；提供额外的稳定性。