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World File Search System电感耦合
5.4元素分析通过电感耦合等离子体
高温（7000-8000 k）高电子密度（1014-1016cm）许多要素的电离程度可观程度的电离同时多元能力（超过70个要素（包括P和S）超过70个元素，包括P和S）低背景排放和相对较低的化学干扰高稳定性高稳定性准确性和准确性iestion for Optim-1 e元素（最佳量）。 宽线性动态范围（LDR）（四到六个数量级）。适用于耐火元件成本效益分析
使用电感耦合进行单细胞元素分析...
微量金属对所有生物体的生长都至关重要。了解这些微量金属在新陈代谢中的作用对于维持生物体的稳定状态至关重要。此外，由于各种污染，人类还面临着各种有害重金属的不断接触。总的来说，这些方面导致了分析技术领域的研究和发展，这些技术可以帮助确定我们细胞中这些微量金属的含量。电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS) 是一种分析技术，用于分析各种样品（包括生物样品）中的元素组成。近年来，单细胞 ICP-MS (scICP-MS) 技术已广泛应用于医学和生物领域，用于分析细菌、真菌、微生物、植物和哺乳动物中的单个活细胞。scICP-MS 的样品引入系统由传统的气动雾化器和总消耗喷雾室组成。气动雾化器将样品（细胞悬浮液）液体转化为雾气。虽然使用雾化器的传统 scICP-MS 分析对于酵母细胞的传输效率达到 10%，但由于哺乳动物细胞的脆弱性，它无法用于哺乳动物细胞。众所周知，化学固定可以增强哺乳动物细胞的强度，但它会极大地影响元素含量，导致分析不准确。因此，需要开发一种不会对哺乳动物细胞造成任何损害的样品引入系统。为此，来自日本的一组研究人员现已证明微滴发生器 (µDG) 作为样品引入系统的潜力，可用于高效定量分析哺乳动物细胞的元素。该团队由日本千叶大学药学研究生院的助理教授 Yu-ki Tanaka 以及 Hinano Katayama 女士、Risako Iida 女士和 Yasumitsu Ogra 教授组成，他们将 µDG 引入 ICP-MS 的样品引入系统，表明该系统能够准确地进行元素分析。他们的研究成果于 2024 年 12 月 2 日发表在《分析原子光谱杂志》第 40 卷上。Tanaka 博士进一步阐述道：“到目前为止，scICP-MS 已应用于细菌、真菌、植物细胞和红细胞。我们将 scICP-MS 技术的潜力扩展到哺乳动物培养细胞，开发了一种用于测量哺乳动物培养细胞中元素含量的强大分析技术。”在研究中，研究人员使用了两种样品引入系统进行颗粒和细胞样品分析。第一个是传统系统，包括同心玻璃雾化器和总消耗喷雾室。另一个系统包括插入制造的 T 形玻璃管道中的 µDG，玻璃管的一端连接全消耗雾化室，另一端连接ICP炬管。研究人员发现，使用µDG后，细胞运输效率大幅提高。此外，他们还估算了K562细胞（也称为人类慢性粒细胞白血病K562细胞）中的镁、铁、磷、硫和锌，发现µDG保持了细胞的原始结构，而传统系统通常会改变细胞的结构。因此，它非常适合单细胞元素分析，因为它不会影响细胞的结构，从而可以高效地检测细胞。“我们的
脉冲电感耦合等离子体的功率匹配
在等离子体处理中，功率输送与非线性负载的匹配是一项持续的挑战。微电子制造中使用的等离子体反应器越来越多地采用多频率和/或脉冲方式，从而产生非线性且在许多情况下非稳态的电气终端，这可能会使功率与等离子体的有效耦合变得复杂。对于脉冲电感耦合等离子体尤其如此，其中等离子体的阻抗在启动瞬态期间可能会发生显著变化，并经历 E – H（电容到电感）转换。在本文中，我们讨论了使用固定组件阻抗匹配网络对脉冲电感耦合等离子体（Ar/Cl 2 混合物，压力为数十毫托）进行功率匹配的动态计算研究的结果及其对等离子体特性的影响。在本次研究中，我们使用了设定点匹配，其中匹配网络的组件在脉冲周期的选定时间提供最佳阻抗匹配（相对于电源的特性阻抗）。在脉冲早期匹配阻抗使功率能够为 E 模式供电，从而强调电容耦合和等离子体电位的大偏移。这种早期功率耦合使等离子体密度能够更快地上升，而在脉冲后期的 H 模式中不匹配。早期匹配还会产生更多能量离子轰击表面。在脉冲后期匹配会降低 E 模式中耗散的功率，但代价是降低等离子体密度的增加速度。
蒸气相分解（VPD） +电感耦合...
Technical Parameters WSPS2 - VPD automation system: • Open cassette stations • Robotic system: Fully automatic wafer handling and processing • PAD-Fume: Etching of surface and bulk Si • PAD-Scan: scanning of liquefied wafer surface • Scan options: Bevel scan (for wafer edges) and Hydrophilic surface scan
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
Ar/O2 和 Ar/Cl2 电感耦合等离子体中的 E–H 跃迁
电负性电感耦合等离子体 (ICP) 用于微电子工业中半导体制造的导体蚀刻。天线功率和偏置电压的脉冲化提供了额外的控制，以优化等离子体 - 表面相互作用。然而，由于在前一次余辉结束时电子密度较低，因此脉冲 ICP 在功率脉冲开始时易受电容到电感模式转变的影响。电容 (E) 到电感 (H) 模式的转变对前一次余辉结束时等离子体的空间结构、电路（火柴盒）设置、操作条件和反应器配置（包括天线几何形状）很敏感。在本文中，我们讨论了通过计算研究的结果，研究了在 Ar/Cl 2 和 Ar/O 2 气体混合物中维持的脉冲 ICP 中的 E - H 跃迁，同时改变操作条件，包括气体混合物、脉冲重复频率、功率脉冲的占空比和天线几何形状。在 Ar/Cl 2 混合气体中维持的脉冲 ICP 容易发生显著的 E – H 跃迁，这是因为余辉期间与 Cl 2 发生热解离附着反应，从而降低了预脉冲电子密度。这些突然的 E – H 跃迁会从等离子体边界（尤其是天线下方）形成的鞘层发射静电波。在 Ar/O 2 混合气体中观察到的更平滑的 E – H 跃迁是由于缺乏对 O 2 的热电子附着反应，导致功率脉冲开始时的电子密度更高。讨论了入射到晶片和天线下方的介电窗口上的离子能量和角度分布 (IEAD)。天线的形状影响 E – H 跃迁和 IEAD 的严重程度，天线具有面向等离子体的较大表面积，会产生较大的电容耦合。通过将计算出的电子密度与实验测量值进行比较来验证模型。
利用金薄膜绝对测量电感耦合等离子体中的真空紫外光子通量
描述了一种绝对测量等离子体边缘真空紫外 (VUV) 光子通量的新方法。让等离子体产生的光撞击远离等离子体的带负偏压的镀金铜基板。测量由此产生的光电子发射电流，然后根据已知的 Au 光电子产额找到绝对光子通量。该方法用于量化氩/氦电感耦合等离子体 (ICP) 产生的 VUV 光量。观察到 104.82 和 106.67 nm 的强发射，对应于氩的 1s 2 和 1s 4 共振态。在远程位置测得的最大积分 VUV 光子通量为 3.2 × 10 13 光子/cm 2 s。估计这对应于 ICP 边缘 5 × 10 15 光子/cm 2 s 的通量，在类似条件下报告的值范围内。
电感耦合等离子体发射光谱法测定锂镍锰钴复合材料中的硫
摘要：锂镍锰钴（LiNi x Co y Mn z ，NCM）复合材料在先进电子器件和材料/合金中的应用十分广泛，其杂质成分分析是评价其质量的重要领域。本文提出了采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定NCM复合材料中硫的方法。研究了Si、Fe、Mn、Mg、Ca、Ni、Cr及主基体共存杂质的影响。在优化的条件下，硫在0～10 mg/L（±0.9999）范围内呈现良好的线性关系，加标回收率为98.11～102.07%，RSD为3.69%，共存杂质含量低于5.0%对硫的测定无明显干扰。该方法可以作为NCM复合材料中痕量硫含量的可靠测定。