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World File Search System电感耦合
钢中夹杂物分析的成像测量方法...
确定样品化学成分的最重要信息是，分析物元素的凝聚相和原子化物会发射出从可见光到 X 射线波长范围内的辐射。在大多数情况下，都会观察和分析来自外层电子轨道的激发态发出的原子发射，因为它可以使定量分析更准确、更精确。等离子体发射光谱法，例如射频电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES)，是用于测定钢中除气态元素外的合金元素和杂质元素的典型分析工具，浓度范围从几十% 到几 ppm。1,2) ICP-OES 为钢铁制造业开发先进产品做出了贡献。 3,4) 另一方面，使用火花放电等离子体的等离子体发射光谱法 (SD-OES)，通常称为 QuantVac (QV)，5) 已用于钢铁生产中的现场/在线分析，并且特别适用于钢铁产品的质量和过程控制。6) ICP-OES 通常需要对样品进行预处理，包括酸分解和水溶解，而 SD-OES 可直接测定固体钢样品中的元素，这是该分析方法具有广泛应用的主要原因。
适用于脑植入应用的 CMOS 闭环微型无线电力传输系统
摘要 近场电感耦合无线电力传输 (WPT) 系统已广泛应用于脑植入应用。然而，由于发射器 (TX) 和接收器 (RX) 线圈之间的不同变化会导致接收功率变化，因此高效可靠的电力传输具有挑战性。本文提出了一种利用负载移位键控的闭环自适应控制系统，该系统采用 0.5 lm 标准 CMOS 工艺设计，用于为植入负载提供所需的功率，以补偿这些差异。所提出的 TX 和 RX 线圈均采用 FR4 基板制造，尺寸分别为 10 9 10 mm 和 5 9 5 mm。通过改变功率放大器的电源电压，该自适应闭环系统调节发射功率，向负载提供 5.83 mW 的功率，这大约是阈值窗口的中点。该系统在空气和组织介质中分别实现了 8 毫米距离下的 9% 和 8% 的电力传输效率。初步结果表明，与开环模块相比，带有反馈回路的微型 WPT 模块在 TX 和 RX 线圈之间的 8 毫米距离下实现了 8% 和 3% 的效率提升。
前往 ZInstSanBw Koblenz 的路线
铜是维持体内平衡所需的必需微量元素，并且由于其氧化还原活性，参与多种酶的功能。尽管如此，有迹象表明它参与了神经退行性疾病的发展，特别是在铜过量的情况下。因此，本研究研究了铜对秀丽隐杆线虫（蛔虫）炎症的影响。由于秀丽隐杆线虫没有适应性免疫系统，氧化应激可作为炎症的标志。此外，由于线虫与人类的遗传同源性，许多机制（例如 MAP 激酶途径）是保守的。对秀丽隐杆线虫野生型和各种缺失突变体的行为进行了检查。为此，首先使用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES) 测定铜的生物利用度。为了确定活性氧和氮物种 (RONS) 引起的氧化应激，在铜孵育后进行了羧基-DCFH 2 -DA 测定（DCF 测定）。此外，使用 daf-16::GFP 菌株记录了 FOXO 直系同源物 daf-16 的易位性。daf-16 基因存在于秀丽隐杆线虫和其他物种中参与对氧化应激的反应，可以使用荧光显微镜在秀丽隐杆线虫中进行光学检测。除了硫酸铜之外，还检查了作为炎症介质的脂多糖 (LPS)，以显示对 RONS 的反应与经典炎症介质之间的联系。
钻石和相关材料
直接观察超大型望远镜的METIS仪器对系外行星和原始磁盘的直接观察将为行星形成和系外行星大气的过程提供新的见解。这是由于功能强大的矢量涡流冠状动曲，可以抑制星光以揭示周围微弱的信号。在这里，我们介绍了将相位掩膜处于冠状动脉核心的过程。这些环形凹槽相掩膜由钻石中的深层次波长组成，这些光栅使用具有强偏见的电感耦合氧等离子体蚀刻。METIS仪器所需的带宽比以前证明了此类com ponents的带宽，从而导致具有更高纵横比和更垂直壁的光栅设计。为了实现这一目标，用于钻石蚀刻的蚀刻面膜从铝更改为硅，并增加了血浆功率。我们还改进了减少成品成分的光栅深度以微调它们的方法。以及改进的光学测试，这使我们能够生成迄今为止为天文N波段展示的最佳涡旋相掩码。
用二乙基二硫代氨基甲酸银比色法测定砷并进行形态分析
电感耦合等离子体 (ICP) 光谱法 22 总结 22 理论 22 检测限/范围 23 准确度/精密度 23 方法比较 23 砷形态分析 25 概述 27 样品和标准品的处理 27 样品 27 标准品 28 蒸发预浓缩 28 选择性氢化物生成 28 总结/理论 28 硼氢化钠还原 29 砷 (m) 的还原 30 砷 (V) 的还原 30 DMAA 和 MMAA 的还原 32 砷的分离 33 连续氢化物生成 33 干扰 33 检测系统 34 SDDC 检测 34 高效液相色谱法 35 离子色谱法 37 柱色谱法 38 气相色谱法 39 选择性液-液萃取40 AA-石墨炉检测 40 中子活化分析检测 41 选择性沉淀 42 比色法 43 钼砷酸盐 43 释放的碘 44 伏安法和极谱法 45 方法比较 46
云端的量子计算硬件
图 1 (A) 来自参考文献 [23] 的同心 transmon 量子比特设计及其等效电路图（插图）。两个超导岛（绿色和蓝色）由一个小的约瑟夫森结桥（橙色）分流。使用共面波导谐振器（红色）读出量子比特状态。该读出谐振器电感耦合到信号线（黑色）。（B）transmon 量子比特的状态由约瑟夫森结的正弦电位（黑色实线）决定。在相位基（Δφ）中求解，特征能量（实线）可以用谐振子（虚线，相应颜色）来近似，其简并性通过结上的电容充电能量的一阶校正来消除[24 – 26]。（C）布洛赫球面图。基态 j 0 i 和第一个激发态 j 1 i 用于定义量子比特的逻辑状态 j ψ i ，它是 j 0 i 和 j 1 i 的线性组合，具有各自的复振幅 α 和 β 。j ψ i 可以通过电压脉冲和门控操作进行操纵，并通过投影到指定的测量基础上进行读出
http://eprints.gla.ac.uk/228031/
摘要 — 人眼含有与各种疾病相关的多种生物标记物，因此电子隐形眼镜是诊断和治疗这些疾病的理想非侵入式平台。最近的技术进步使得人们能够通过眼压 (IOP) 检测来监测和诊断青光眼，通过葡萄糖浓度检测来监测和诊断糖尿病，以及使用其他生物传感器来感测 pH 值和温度。不同的传感器设计导致了不同的电力传输技术，其中电感耦合电力传输被认为最适合电子隐形眼镜的电力传输应用。因此，环形天线、螺旋形天线以及采用石墨烯和混合银纳米纤维等纳米材料的天线已在工业、科学和医疗 (ISM) 频带下被探索用于无线电力传输 (WPT) 和数据通信。值得注意的是，螺旋天线也被视为使用电容式传感器检测压力引起的频率变化的 IOP 感测的组成部分。本文回顾了电子隐形眼镜传感器及其电力传输技术的最新技术。本文介绍了多种传感方法、材料和电力传输技术以及电子隐形眼镜未来的良好趋势和挑战。
Manoj Kumar 博士，理学硕士、哲学硕士、哲学博士
半导体学会（印度），注册号 -209，印度，http://www.ssi.org.in 国家热物理学会（NTPS），印度 名称列于《世界名人录》第 28 周年纪念版。 研究技能和专业知识 - 总结 19 年左右的经验，涉及重要技术电子材料（外延和多晶薄膜）的制造和特性以及设备开发：薄膜晶体管 (TFT)、非易失性存储器、发光二极管 (LED) 和光电探测器 (PD)。复合半导体纳米材料：II-VI 和 III-V（ZnO、GaN）全面的知识和专业技能 1）薄膜沉积技术：溅射、PLD、电子束蒸发器、溶胶-凝胶、ALD 和 PECVD 2）结构、光学和电学特性：XRD、AFM/SEM、TEM、PL、UV-VIS、霍尔效应等； 3）使用光刻、电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）、电子束蒸发器和剥离工艺等标准程序开发和表征 TFT、基于 TFT 的非挥发性存储器、LED 和 PD 设备；布局设计； 4）熟悉在高影响因子期刊上发表学术研究文章 研究兴趣领域：薄膜处理/纳米结构材料合成/器件制造
材料快报
本研究利用电感耦合等离子体 (ICP) 研究了 C 4 F 8 、C 5 F 8 和 C 7 F 8 等全氟碳对 SiO 2 的蚀刻特性，以研究高 C/F 比对 ICP 的 SiO 2 蚀刻特性的影响。使用 C x ( x = 4,5,7)F 8 /Ar/O 2 混合物测量了 SiO 2 对 Si 3 N 4 和非晶碳层 (ACL) 的蚀刻速率和蚀刻选择性。全氟碳的 C/F 比越高，SiO 2 蚀刻速率越低，但蚀刻选择性却高于 Si 3 N 4 和 ACL，这是因为 C 2 越高，而等离子体中的 F 值却相同（通过光发射光谱法观察到），并且由于氟碳层越厚，材料表面富碳氟碳越多（通过 X 射线光电子能谱法观察到）。尤其是 C 7 F 8 是一种环境友好型材料，因为它不仅具有相对较低的全球变暖潜能值，而且可以使用捕获系统轻松捕获（室温下为液态）。因此，C 7 F 8 可用作下一代全氟碳蚀刻材料之一。
文章
本研究研究了脉冲CF 3 I/C 4 F 8 /Ar/O 2 电感耦合等离子体用于低k刻蚀，研究了C 4 F 8 /Ar/O 2 中添加CF 3 I对等离子体特性和低k材料刻蚀特性的影响。随着混合气体中CF 3 I/(CF 3 I + C 4 F 8 )比例的增加，等离子体中CF 3 自由基增多，CF 2 自由基减少，其中CF 3 自由基和CF 2 自由基分别与刻蚀和聚合有关。因此，SiCOH的刻蚀速率随CF 3 I比例的增加而增大。然而，当CF 3 I比例为0.5时，等离子体中的CF 2 /F通量比和聚合物层上的C/F比最高，因此对非晶碳层和光刻胶的刻蚀选择性在比例为0.5时最高。 SiCOH 损伤随 CF 3 I 比率的增加而减小，并且 SiCOH 损伤似乎非常低，特别是当 CF 3 I 比率≥0.5 时，Si–CH 3 键损失低、F 渗透低、表面粗糙度低。因此，与仅使用 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物相比，将 50% CF 3 I 混入 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物中不仅可以产生相对于掩模材料的高蚀刻选择性，而且还可能减少蚀刻损伤。