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World File Search System电气特性
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
ZSB101A-EVB 用户手册
1.1 ZSB101A 芯片简介 .................................................................................................. 1 1.1.1 芯片概述 ........................................................................................................... 1 1.1.2 芯片特性 ........................................................................................................... 1 1.1.3 芯片工作条件 ................................................................................................... 1 1.2 ZSB101A-EVB ......................................................................................................... 2 1.2.1 系统电源电路 ................................................................................................... 2 1.2.2 USB 转 TTL 电路 ............................................................................................. 3 1.2.3 板载外设说明 ................................................................................................... 3 1.2.4 其他功能使用说明 ........................................................................................... 5 1.3 ZSB101A-EVB 电气特性 ........................................................................................ 7 1.3.1 电源电气特性 ................................................................................................... 7 1.3.2 I/O 电气特性 .................................................................................................... 7 2.评估板测试使用 ....................................................................................................... 8
使用扫描探针显微镜进行电气特性分析
除了成像模式外，CAFM 还使用光谱模式测量局部电流-电压 (IV) 或电流-力 (IZ) 光谱。为了获得 IV 光谱，停止成像扫描并将尖端保持在固定位置，同时样品偏压上升或下降。绘制通过样品的电流与施加的偏压的关系图（图 3a）。用户可选择的参数包括斜坡的起始和结束电压、斜坡方向、斜坡速率以及各个斜坡之间的延迟时间。该软件可以记录单个光谱或多个光谱的平均值。对于某些测量，最好限制通过样品的电流。在这种情况下，软件为用户提供了一个“触发”选项，一旦达到用户选择的电流值，就会停止电压斜坡。为了获得 IZ 光谱，样品偏压保持不变，而扫描仪沿 Z 方向移动，类似于力-位移曲线的测量。绘制通过样品的电流与扫描仪的 Z 位置的关系图。同样，多个参数允许用户执行和控制特定的 IZ 斜坡实验。
估计各种Rebco磁带的物理和电气特性，用于建造非常高的Rebco磁铁
摘要 - 评估了四个Rebco CC的物理和电气特性：1）theva； 2）上海超越。技术； 3）日本法拉第工厂； 4）藤库拉。为了估算其物理特性，通过删除粘贴在胶带上的聚酰亚胺色带并在预锡后切割胶带来检查每个胶带的分层强度。还通过我们的金属悬挂过程研究了其厚度的均匀性和厚度的均匀性。用于评估其电气性能，在垂直于AB平面的各种外部磁场下在4.2 K下测量其临界电流。在自田77 K的液体氮浴中制造每条胶带的关节样品。在本文中为四个磁带描述了结果。
“用于内存计算和加密应用的 RRAM 设备电气特性”博士职位（男/女/其他）
作为“材料研究”部门“自适应材料”研究团队的博士生，您将为 RRAM 设备领域做出贡献。您的任务将包括单个 RRAM 设备以及更复杂的基于 RRAM 的矢量矩阵乘法电路的特性描述。这种特性描述将侧重于寻找最佳技术和最佳编程方法，以通过使用内存计算范例优化 RRAM 设备在加密应用中的使用。在您的工作中，您必须大量使用电气特性实验室的设备和不同的软件工具来实现数据的自动化和分析。一个由 10 名科学家组成的国际团队期待着您的加入，其中包括经验丰富的科学家和几名博士生。扁平层级和相互支持对我们很重要。我们认为观点的多样性是我们团队的一大优势。
IRHLF7S7214 (2N7610T2)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNM597110, IRHNMC597110
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNA67260 (JANSR2N7583U2)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHYS9A97034CM (JANSR2N7659T3)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
irhnj9130 (jansr2n7382u3)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6