聚苯胺纳米颗粒的电沉积作为超级电容器应用的高性能电极Radhika S. Desai 1,Vinayak S. Jadhav 1,Divya D LAD 1,Pramod S. Patil 2,3和Dhanaji S. Dalavi 1,Dhanaji S. Dalavi 1,*抽象导电聚合物的大量关注能量存储材料,以吸引能量存储材料。在这项研究中,我们提出了一种直接且无结合的方法,用于在钢基材上进行聚苯胺(PANI)膜的电沉积。通过优化沉积时间,我们成功合成了Pani纳米颗粒,从而导致了独特的形态和电化学特性。全面的结构和物理化学表征表明,在最佳沉积时间制备的Pani 15薄膜在1 M硫酸(H₂SO₄)电解质中以10 mV s -1的扫描速率显示出632.56 F G -1的显着特异性电容。这项研究展示了一种实用的方法,用于设计和合成高级电极材料,为增强储能应用中的性能铺平了道路。我们的发现强调了电沉积PANI膜作为超级电容器和其他相关技术的有效材料的潜力。
使用脉冲电沉积法制造纯镍和纳米复合镍-SI 3 N 4涂层。制造过程的初始条件是当电流密度为4 a.dm -2,占空比为50%,脉冲频率为10 Hz。原子力显微镜(AFM)用于执行评估每个涂层表面的任务。该实验的目标是通过增加每个参数,然后将结果与被认为是基线的条件进行比较,从而更好地了解情况。由于已经进行了观察结果,似乎平均正方形和根平均平均平均平均粗糙度高于其纯镍构成的纳米复合镍涂层的平均粗糙度。平均间距和波浪数量数据表明,在表面上存在偏爱的成核位点的任何位置都增加了。无论位置如何,情况就是这种情况。这些发现得到了以下事实的支持:两个指标都表现出向上的趋势。
图2。(a)使用基于有机的(MEOH-DMSO)电解浴的循环伏安图在ITO底物上以10 mV.s-1的扫描速率记录。(b)选定的循环伏安法扫描后,Ni 3(HITP)2个沉积物的SEM图像。(C) The chronoamperograms (normalized current density) and the corresponding cumulative deposition charge density for potentiostatic anodic deposition methods by using the continuous (dark colored line) and square pulsed (light colored line) methods (with t on = 1 min, V on = 0.8 V; and t off = 1 min, V off = open circuit voltage).(d)Ni 3(HITP)2个沉积物的相应SEM图像通过电位连续(深色轮廓)和脉冲沉积(浅色轮廓)获得。
图 3 为在含有 HEDP 的亚硫酸盐金溶液中, 恒电流密度为 5 mA ∙ cm -2 , 沉积时间为 1 min、5 min、10 min 和 20 min 时镀层的形貌与外观(HAuCl 4 ∙ 4H 2 O 0.01 mol ∙ L -1 , Na 2 SO 3 0.24 mol ∙ L -1 , HEDP 0.05 mol ∙ L -1 , 添加剂 0.1 mL ∙ L -1 )。沉积时间 1 min 和 5 min 时镀层颗粒细小致密(图 3a、图 3b), 外观光亮(图 3f 上部)。沉积 10 min 时, 颗粒呈现金字塔形貌(图 3c)。当沉积时间延长至15和20分钟时,涂层形貌没有发生明显变化(图3d,图3e),涂层外观仍然保持暗亮状态(图3f下部)。当沉积20分钟时,涂层呈暗亮金色
高度集成的可拉伸电子产品的发展需要开发可扩展的(亚)微米导体图案。共晶镓铟 (EGaIn) 是一种适用于可拉伸电子产品的导体,因为其液态金属特性使其在变形时具有高电导率。然而,它的高表面能使其以亚微米分辨率进行图案化具有挑战性。在此,我们通过首次报道 EGaIn 的电沉积克服了这一限制。我们使用一种非水基乙腈电解质,该电解质具有高电化学稳定性和化学正交性。电沉积材料可产生低电阻线,在(重复)拉伸至 100% 应变时仍保持稳定。由于电沉积受益于用于图案化基底金属的成熟纳米制造方法的分辨率,因此提出的“自下而上”方法通过在纳米压印预图案化的金种子层上进行电镀,在弹性体基板上实现了 300 nm 半间距的 EGaIn 规则线的创纪录高密度集成。此外,通过填充高纵横比通孔,实现了垂直集成。该功能通过制造全向可拉伸的 3D 电子电路概念化,并展示了用于制造微芯片互连的稳定镶嵌工艺的软电子模拟。总体而言,这项工作提出了一种简单的方法来解决高度集成 (3D) 可拉伸电子产品中的金属化挑战。
图3。(a)平均电解质浓度,(b)电解质中LI +离子的总质量以及(c)原始模型的移动边界的位置,而没有对流通量(模型1)和在边界条件下具有对流通量(模型2)的修改模型。其他结果如图3(A-B),用于整个
摘要:由于硅在自然界的普遍性和其特殊的性质,它是各行各业中最受欢迎的材料之一。目前,冶金硅是通过石英的碳热还原获得的,然后对其进行氢氯化和多重氯化以获得太阳能硅。这篇小型综述简要分析了通过电解熔盐获得硅的替代方法。综述涵盖了决定熔盐成分选择的因素、通过电解熔盐获得的典型硅沉淀物、对将电解硅用于微电子的可能性的评估、在锂离子电流源成分中使用电解硅的代表性测试结果以及将电解硅用于太阳能转换的代表性测试结果。本文最后指出了实际实施电解生产硅的方法、开发用于能源分配和微电子应用的新设备和材料需要解决的任务。
库汉技术大学材料综合与加工高级技术的国家主要实验室https://orcid.org/0009-0009-0008-1431-7443
摘要:金属眼镜是将超高强度与塑料样处理能力结合使用的独特材料类别。但是,当前使用的熔融淬火途径以获得无定形合金的成本基础,在制造和昂贵的组成元素方面通常需要用于达到玻璃状态,从而阻碍了广泛的采用。相比之下,多材料的电沉积物是一种低成本和多功能的替代方案,以获得无定形合金。在这里,我们通过轻松且可扩展的脉冲电沉积方法演示了模型二元无定形系统的多尺度制造。通过实验和分子动力学模拟的组合研究了电沉积Ni -P金属玻璃的结构和机械特性。属性依赖于合金化学的轻微变化是由短距离簇和几何不利的基序的比例来解释的。双原子连接具有两种原子连接的双色平方抗物簇导致Ni 90 P 10金属玻璃的更均匀变形,而Ni 85 P 15金属玻璃中三原子连接的分数相对较高的分数较高。我们方法的实用性很可能刺激了简单化学中的无定形合金的使用,用于多尺度,用于针对特定应用的系统属性优化。关键字:多尺度,制造,无定形合金,原子订购,分子动力学模拟■简介
摘要一种称为氢进化辅助(HEA)电镀的新型技术,与Galvanostatic的常规电镀方法相比,铜的沉积速率已显着增强,为将设备直接整合到织物上,从而开发了新的场所,从而导致了有用的可耐磨性电子产品的开发。HEA可用于在多壁碳纳米管(MWCNTS)涂层模板轨道和焊接表面上的电子设备(SMD)上两种打印铜轨道,可用于此类轨道,以证明其多功能性用于特定应用,用于特定的施用织物造成损耗。但是,在这个项目中,我们研究了铜沉积是如何使用1000 Denier涂层的Cordura Nylon,层压层的聚酯Ripstop和100%Virgin Vinyl在氢进化技术的情况下进行的。硫酸纯硫酸盐(CUSO 4)和硫酸(H 2 SO 4)用作培养基,通过在-2.0V之间应用-2.0V之间的电压在0.1mm的多壁碳纳米管轨道上进行横向沉积,该电压范围为-2.0V,使用电势可以利用圆柱电压仪的技术来实现级别的序列技术,以实现序列的序列。使用扫描电子显微镜(SEM)观察到相对于所使用的织物类型的织物的结构和铜沉积物的变化。关键词:氢进化有助于(HEA)电镀;铜电沉积;可穿戴电子设备;多壁碳纳米管;面料。导致各种引言以及可穿戴和柔性电子设备开发的优势,对使用无数应用的轻质,灵活和可穿戴的人类和环境监测系统的需求不断增长[1]。在不同的技术和方法中,通过铜电沉积可穿戴技术市场对织物上的导电模板(即电路布局)进行模式,这已经推动了过去几年中现场讨论过的主题之一,可以导致开发不同可穿戴和灵活的电子产品。