图 3 为在含有 HEDP 的亚硫酸盐金溶液中, 恒电流密度为 5 mA ∙ cm -2 , 沉积时间为 1 min、5 min、10 min 和 20 min 时镀层的形貌与外观(HAuCl 4 ∙ 4H 2 O 0.01 mol ∙ L -1 , Na 2 SO 3 0.24 mol ∙ L -1 , HEDP 0.05 mol ∙ L -1 , 添加剂 0.1 mL ∙ L -1 )。沉积时间 1 min 和 5 min 时镀层颗粒细小致密(图 3a、图 3b), 外观光亮(图 3f 上部)。沉积 10 min 时, 颗粒呈现金字塔形貌(图 3c)。当沉积时间延长至15和20分钟时,涂层形貌没有发生明显变化(图3d,图3e),涂层外观仍然保持暗亮状态(图3f下部)。当沉积20分钟时,涂层呈暗亮金色
电沉积是制备合金的重要方法之一。利用电沉积合成合金的方法引起了广泛关注,因为它能够在室温下在金属基材上制备合金薄膜。到目前为止,含有六价铬(Cr 6 +)离子的电解槽已用于金属铬的电沉积。然而,众所周知,Cr 6 + 离子会引起有害的环境污染[4,5]。在欧盟,WEEE/RoHS(废弃电子电气设备/限制在电子电气设备中使用某些有害物质)指令限制使用Cr 6 + 离子[6]。因此,作为一种替代工艺,许多研究人员提出了从含三价铬(Cr 3 +)离子的电解槽中电沉积金属铬合金(例如 Co e Cr 和 Ni e Cr 合金 [7]、Fe e Cr 合金 [8] 和 Fe e Cr e Ni 合金 [9])。然而,众所周知,电沉积的电流效率受到很大限制,因为 Cr/Cr 3 + 的标准电极电位为 0.937 V(vs. Ag/AgCl/饱和 KCl),远不如铁族金属(例如 Ni/Ni 2 +、Co/Co 2 + 和 Fe/Fe 2 +)的电位高 [10]。在从水溶液中电沉积次贵金属的过程中,随着电流密度的增加,阴极附近的pH值升高[11]。pH值升高的原因是高电流密度下氢气析出速率高,导致阴极附近的H+离子消耗速率高。因此,在简单的水溶液中,Cr3+离子在高电流密度下会与阴极附近的六个水分子形成复合物[Cr(H2O)6]3+。具体而言,这些[Cr(H2O)6]3+离子会在酸性pH区(pH > 4.5)通过羟桥反应形成羟基桥接胶体聚合物[12,13]。阴极附近的这种胶体聚合物会抑制金属铬的电沉积。因此,通常在水溶液中加入甘氨酸、尿素或 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 等络合剂来抑制 [Cr(H 2 O) 6 ] 3 + 离子的形成。在这些络合剂中,DMF 是众所周知的在金属电沉积过程中减少氢析出的有效络合剂 [14]。之前有几种
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石,锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段,除了表征创建的复合涂层外,通过使用扫描电子显微镜(SEM)评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外,通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段,通过使用X射线衍射分析,绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段,为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为,并将其与非涂层样品进行了比较,对化学偏振形式的电化学分析进行了比较,并与绘制相关图表进行了分析。最后,在第四阶段,进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试,并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明,使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明,使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
图3。(a)平均电解质浓度,(b)电解质中LI +离子的总质量以及(c)原始模型的移动边界的位置,而没有对流通量(模型1)和在边界条件下具有对流通量(模型2)的修改模型。其他结果如图3(A-B),用于整个
摘要:金属眼镜是将超高强度与塑料样处理能力结合使用的独特材料类别。但是,当前使用的熔融淬火途径以获得无定形合金的成本基础,在制造和昂贵的组成元素方面通常需要用于达到玻璃状态,从而阻碍了广泛的采用。相比之下,多材料的电沉积物是一种低成本和多功能的替代方案,以获得无定形合金。在这里,我们通过轻松且可扩展的脉冲电沉积方法演示了模型二元无定形系统的多尺度制造。通过实验和分子动力学模拟的组合研究了电沉积Ni -P金属玻璃的结构和机械特性。属性依赖于合金化学的轻微变化是由短距离簇和几何不利的基序的比例来解释的。双原子连接具有两种原子连接的双色平方抗物簇导致Ni 90 P 10金属玻璃的更均匀变形,而Ni 85 P 15金属玻璃中三原子连接的分数相对较高的分数较高。我们方法的实用性很可能刺激了简单化学中的无定形合金的使用,用于多尺度,用于针对特定应用的系统属性优化。关键字:多尺度,制造,无定形合金,原子订购,分子动力学模拟■简介
作者的完整列表:Simonoff,Ethan;加利福尼亚理工学院,洛伦佐化学范·穆诺兹(Van Munoz);加利福尼亚理工学院,内森·刘易斯;加利福尼亚技术,化学和化学工程研究所
图 3. (a) XRD 和 (b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像,在 GC 电极上电沉积 HKUST-1,施加 -1.4 V 的恒定电位(相对于 Ag/AgCl)7200 秒。倒角立方体的平均直径为 855 ± 65 nm。图 (b) 显示略微缩小的图像,图 (cd) 显示电极上不同位置的放大图像。
图3。(a)XRD和(b)扫描电子显微镜(SEM)图像在GC电极上进行电沉积的Hkust -1,在施加-1.4 V与AG/AGCL的恒定电势持续7200 s时。倒角立方体的平均直径为855±65 nm。图(b)显示了稍微放大的图像,图(C-D)显示了电极上不同位置的放大图像。
摘要一种称为氢进化辅助(HEA)电镀的新型技术,与Galvanostatic的常规电镀方法相比,铜的沉积速率已显着增强,为将设备直接整合到织物上,从而开发了新的场所,从而导致了有用的可耐磨性电子产品的开发。HEA可用于在多壁碳纳米管(MWCNTS)涂层模板轨道和焊接表面上的电子设备(SMD)上两种打印铜轨道,可用于此类轨道,以证明其多功能性用于特定应用,用于特定的施用织物造成损耗。但是,在这个项目中,我们研究了铜沉积是如何使用1000 Denier涂层的Cordura Nylon,层压层的聚酯Ripstop和100%Virgin Vinyl在氢进化技术的情况下进行的。硫酸纯硫酸盐(CUSO 4)和硫酸(H 2 SO 4)用作培养基,通过在-2.0V之间应用-2.0V之间的电压在0.1mm的多壁碳纳米管轨道上进行横向沉积,该电压范围为-2.0V,使用电势可以利用圆柱电压仪的技术来实现级别的序列技术,以实现序列的序列。使用扫描电子显微镜(SEM)观察到相对于所使用的织物类型的织物的结构和铜沉积物的变化。关键词:氢进化有助于(HEA)电镀;铜电沉积;可穿戴电子设备;多壁碳纳米管;面料。导致各种引言以及可穿戴和柔性电子设备开发的优势,对使用无数应用的轻质,灵活和可穿戴的人类和环境监测系统的需求不断增长[1]。在不同的技术和方法中,通过铜电沉积可穿戴技术市场对织物上的导电模板(即电路布局)进行模式,这已经推动了过去几年中现场讨论过的主题之一,可以导致开发不同可穿戴和灵活的电子产品。
