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智能变压器中性点电流优化控制...
摘要 — 在三相四线低压配电系统中，不平衡负载会导致中性电流 (NC) 形成环路，从而导致功率损耗增加和中性电位变化。与传统电力变压器相比，智能变压器 (ST) 具有严格的电流限制以避免过流。然而，其在下游低压电网电压调节方面的优势可以提供调节过度 NC 的能力。本文提出了一种闭环 NC 优化控制，一方面，在满足标准 EN 50160 要求的正常运行中最小化 NC 电流，另一方面，在极端情况下抑制 NC 电流以避免 ST 过流损坏。根据曼彻斯特地区三相四线配电网，通过硬件在环设置和基于不平衡负载曲线下的 350kVA、10kV/400V、ST 供电配电网的案例研究，通过实验测试验证了所提出的控制策略。结果清楚地证明了所提出的NC优化控制策略对NC抑制和最小化的有效性和灵活性。
在室温下观察石墨烯中电流的漩涡
在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。 ∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。 †这些作者也同样贡献。在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。†这些作者也同样贡献。
caspase-4二聚体和D289自动加工引起白介素-1β-转化酶更新乳腺癌中电流和新的潜在免疫疗法，从长凳到床边
在癌症免疫疗法中已经看到了令人印象深刻的进步。尽管乳腺癌（BC）长期以来一直被认为是非免疫原性的，但治疗BC治疗的免疫疗法现在已成为一种新的有希望的治疗方法，具有巨大的潜力。这得到了各种免疫疗法的大量完整和正在进行的临床前和临床研究的支持。然而，临床肿瘤学和基本癌症研究之间的显着差异会损害对癌症免疫学和免疫疗法的理解，从而阻碍了癌症治疗研究和发育。要以最佳的方式利用累积的可用数据，必须整合在卑诗省免疫疗法及其临床陷阱中发挥作用的两种基本机制。然后，临床试验必须经过精心设计，以适当的常规和免疫治疗策略组合。尽管有重大改进的空间，但此更新的评论详细介绍了迄今为止从长凳到床边可用的免疫治疗工具，希望这将导致重新思考和优化卑诗省患者的护理标准。
B.Tech。 （Mech。）第四年教学大纲（修订）（1）.docx Sardar Vallabhbhai国家技术研究院 BTECH-ECE-2023-24-Curriculum-Firriculum-Firs-Syllabus.pdf DOP通讯副本的副本 电流 Sardar Vallabhbhai国立技术研究所（... 2024年12月|问题12部门愿景... Sardar Vallabhbhai国家技术研究院 电气工程中的未成年人
空调（10小时）审查空调过程，夏季和冬季负载计算，内部和外部热量，冷却线圈，旁路因子，有效的明智的热量因子，用于冷却线圈的设计考虑，高潜热负载，蒸发冷却系统的设计，蒸发系统的设计，除湿度系统，脱水剂和空气垫圈，舒适的空气状态，舒适的空中，舒适的空中，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效，有效。空气处理单元（08小时）空气处理单元，房间空气分布，流体流量和压力损失，管道设计，空气过滤器，加湿器，风扇，吹风机
导体长度对电阻型超导故障电流限制器应用
摘要 - 使用2次生成高温超导体（2G HTS）磁带的电阻型超导故障电流限制器（R-SFCL）的设计。一方面，当淬火发生在整个导体上（即限制机制）时，它应该承受最高的电场以降低其长度并使其具有成本效益。另一方面，它还必须应对热点制度。临界电流范围内的故障电流可以导致沿导体长度的局部耗散，从而在显示最低值值的部分上。来自低正常区域传播速度的2G HTS磁带的电流几乎没有限制会导致这些区域的温度升高，从而极大地威胁了它们的完整性。总而言之，导体体系结构适应了高电场，并获得了热点制度中最高温度的无损值。但是，导致这种最后提及的制度的𝑰𝑰变化取决于沿胶带的位置。本文旨在鉴定可变导体长度对𝑰𝑰变化的影响，并因此对热点制度的影响。我们首先研究长度对𝑰𝑰变化的影响。当导体长度增加时，最小临界电流往往会减小。这种行为可以通过Weibull分布来建模，假设最小临界电流与无限导体长度不同。为了评估对热点制度的这种影响，我们使用2G HTS导体的确定性1D建模来开发一种概率方法，该模型沿其长度考虑了𝑰𝑰𝑰𝒄不均匀性，以模拟R-SFCL行为。看来，导体越长，热点状态中的最高温度就越高。此外，两个相对长度相对长度的测量值在热点状态下呈现不同的最高温度的事实导致了一种方法，可以设计出所需长度的大规模制造导体，可稳健，以在任何𝑰𝒄的变化中生存在热点方案中。
石墨烯厅效应传感器的性能：偏置电流，混乱和费米速度的作用
1 de toulouse大学，Insa-CNRS-UPS，LPCNO，135 AV。Rangueil, 31077 Toulouse, France 2 Centre d'Elaboration des Matériaux et d'Etudes Structurales (CEMES), UPR8011 CNRS, Université Toulouse 3, 31055 Toulouse, France E-mail: lassagne@insa-toulouse.fr Graphene-based Hall effect magnetic field sensors hold great promise for the development of ultrasensitive magnetometers with very low power 消耗。经常使用所谓的两通道模型对其性能进行分析，其中简单地添加了电子和孔电导率。不幸的是，该模型无法捕获所有传感器的特性，尤其是磁场灵敏度的偏置电流依赖性。在这里，我们提出了一个高级模型，该模型对基于石墨烯的霍尔传感器如何运行并证明其定量评估其性能的能力有深入的了解。首先，我们根据石墨烯的不同品质报告了传感器的制造，最好的设备可实现高达5000ω/𝑇的磁场敏感性，表现优于最佳的硅和基于窄间隙的半导体传感器。然后，我们使用所提出的数值模型详细检查了它们的性能，该模型将Boltzmann的形式主义与电子和孔的不同Fermi水平结合在一起，以及一种引入底物诱导的电子孔 - 水坑的新方法。重要的是，磁场灵敏度对偏置电流，无序，底物和霍尔杆几何形状的依赖性首次定量再现。此外，该模型强调，由于电流堆积物的出现和霍尔酒吧边缘附近的损耗区域的出现，具有电荷载体扩散长度宽度的设备受到偏置电流的影响很大，比常规HALL效应预测大得多。这些区域的形成诱导了横向扩散荷载载体通量，当Hall电场取消在Ambipolarememime中，能够抵消由Lorentz力诱导的载体。最后，我们讨论了Fermi Velocity Engineering如何增强传感器性能，为将来的超敏感石墨烯效果传感器铺平了道路。关键字：石墨烯，石墨烯霍尔传感器，磁场传感器，霍尔效应，玻尔兹曼形式主义，费米速度重新归一化，电子孔布丁
ra家族MCU注入电流，以防止损坏MCU
1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现的任何安全措施或功能，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任，包括任何漏洞或安全漏洞，包括但不限于对使用Renesas Electronics或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
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1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任或安全漏洞的责任，包括但不限于对使用Renesas电子产品或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
使用神经网络的一般电流轮廓充电的健康估计和增量能力分析的电池状态
摘要 - 递增能力分析（ICA）和不同的电压分析（DVA）通常需要电池降解监控的恒定当前条件，这限制了它们在现实情况下的适用性。本文提出了一种统一的方法，可以在一般充电当前概况下启用基于ICA/DVA的降解监测，这在文献中尚未解决。首先，提出了一种新颖的虚拟增量能力（IC）和不同电压（DV）的概念。第二，两个相关的卷积神经网络（CNN），称为U-NET和CONC-NET，是为了构建虚拟IC/DV曲线的构建，并估算了跨任何状态（SOC）范围内的一般充电概况的健康状况（SOH），以满足某些约束。最后，提出了两个称为移动U-NET和移动网络的CNN，分别替换了U-NET和Conv-NET以进行车载实现。它们会大大减少计算和内存需求，同时在虚拟IC/DV曲线构建和SOH估计中保留性能。在具有各种快速充电协议和SOC范围的电池模块的广泛实验数据集上进行了测试，拟议的U-NET和移动U-NET构造精确的虚拟IC/DV曲线可以提取有价值的降级功能。建议的Conv-NET和移动网络提供的模块级SOH估计值，根平方误差（RMSE）小于0.5％。关键字 - 增量容量分析；差分伏分析；非恒定电流充电；快速充电；卷积神经网络；健康状况估计
相关的光学 - 电化学测量结果揭示了在超密机电极上石墨烯纳米骨骼碰撞的双向电流步骤
摘要：纳米颗粒形成的合成方法产生了异质种群的纳米颗粒，在研究反应性时，可以研究单纳米颗粒的化学植物学特性的技术。虽然单一实体电化学实验已被充分记录在包括球形金属纳米颗粒，乳液液滴和细胞在内的对称对象的，但由于碰撞过程中物体方向的自由度增强，因此不对称物体为额外的挑战提供了额外的挑战。最近，由于高电荷密度能力，机械稳定性和生物相容性的结合，石墨烯已成为一种突出的电极材料，其应用范围从体内感应到工业能量转换反应。石墨烯纳米片（GNP）是一种准二维导电纳米材料，其在微米尺度上具有两个尺寸，而在纳米尺度上有一个，在功能上充当平面材料。在与铁甲醇（外球氧化还原介体）存在下与电极表面碰撞后，观察到广泛的电流响应，这些反应被观察到对称对象的广泛电流响应。在这里，我们介绍了相关的电化学和光学显微镜，以同时在单个实体级别探测化学和空间信息，以完全了解石墨烯纳米片的纳米级的碰撞动力学。此外，这种相关的技术允许对复杂电流响应的反卷积，从而揭示了数十秒范围内耦合的瞬态事件。从这些测量值中，稳态电流的变化用于氧化亚甲醇的氧化可能与GNP碰撞时电极表面积的变化直接相关，从而深入了解了单一实体的几何形状|没有两种组合技术的电极界面，否则将无法访问。