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电阻RAMS（RRAMS）的节能电流控制和读取方案
抽象能量效率仍然是改善RRAM的关键性能标记以支持物联网边缘设备的主要因素之一。本文提出了一种简单且可行的低功率设计方案，可以用作降低RRAM电路能量的强大工具。设计方案仅基于写入和阅读操作期间的当前控制，并确保写作操作完成而不会浪费能量。提出了自适应写终止电路，以控制在形成，重置和集合操作过程中的RRAM电流。终端电路感知编程电流，并在达到首选编程电流后立即停止写入脉冲。仿真结果表明，适当的编程电流选择可以帮助提高4.1倍的形成，设置的改善9.1倍，重置能量提高1.12倍。此外，还证明了对复位电阻的严格控制的可能性。阅读能量优化也可以通过利用差分含义的放大器提供可编程当前参考。最后，根据最终的应用程序要求，建立了设置/重置操作期间能源消耗与可接受的读取保证金之间的最佳权衡。
有限温度费米电荷和圆锥形空间中的电流密度
粒子宇宙学的巨大成功是与当前宇宙微波背景（CMB）温度t¼2的大爆炸宇宙学的一致性。7 k，测量值ωb，标准模型（SM）中三个光中微子的存在，以及测得的氦4（4 He）和氘（d）的原始量。这些元素的形成对物理敏感，温度范围为100 keV至〜10 meV，有时从几秒钟到宇宙寿命的几分钟。原始4和D的测量达到了精度百分比，因此我们能够询问有关该时代宇宙特性并获得定量答案的问题。这样一个问题涉及宇宙“黑暗辐射”的性质。现在是通过大爆炸核合成（BBN）和CMB建立的，即早期宇宙能量密度的相当一部分是黑暗辐射的形式。SM将这种辐射解释为SM中微子，它与光子浴中的热接触直至几MeV接近温度。有重要的理由来测试这种解释。例如，在早期与SM的热接触中的其他（近）无质量状态可能会增加此深色辐射。在Lambda冷暗物质中，BBN，CMB和BARYON声学振荡（BAO）的当前95％约束。4（BBN），△n eff≲0。33（CMBþBAO用于λCDMþNEFF），
04.1 电流稳定模式下液相磁控溅射锡
如果没有各种薄膜涂层应用方法，现代技术将难以想象。在各种切削工具（钻头、刀具、铣床等）上沉积硬化涂层可以减少磨损并延长其使用寿命。在不同光学部件表面沉积薄膜，可以获得具有所需参数的产品。对于微电子技术来说，涂层厚度从几纳米到几十微米不等。磁控溅射目前被广泛用于涂覆各种材料的薄膜。在此过程中，靶材阴极在真空室中被工作气体的离子溅射，从而在零件上沉积薄膜涂层 [1 – 5] 。磁控溅射系统 (MSS) 的主要缺点是所生产涂层中原子的能量成本很高 [6,7]。但是，如果阴极处于液相，则可以将涂层涂覆率提高 10 倍，并将能源成本降低 1/4，同时保持涂层质量。涂层形成率与典型的真空电弧蒸发 [ 1 ] 相当。阴极材料利用率低（不高于 40%）是采用固相阴极的 MSS 的另一个缺点。采用液体阴极的 MSS 可以将材料利用率提高到几乎 100%，从而大大降低经济成本并实现无浪费生产。本研究的目的是根据从液相溅射的锡阴极的实验数据来选择加工模式并评估阴极溅射系数和放电参数。阴极溅射是使用经过改装的永磁磁控溅射系统进行的，以便
适用于现代电动汽车应用的基于差分平坦度的电池/超级电容器混合源级联能量/电流控制
1 可再生能源研究中心（RERC），曼谷北国王科技大学，1518，Pracharat 1 Road，Bangsue，曼谷 10800，泰国；burin.y@tfi.kmutnb.ac.th 2 泰法创新研究所（TFII），曼谷北国王科技大学，1518，Pracharat 1 Road，Bangsue，曼谷 10800，泰国 3 曼谷北国王科技大学技术教育学院电气工程教师培训系（TE），曼谷 10800，泰国 4 南锡能源研究小组（GREEN），洛林大学，F-54000 南锡，法国； damien.guilbert@univ-lorraine.fr 5 皮特什蒂大学电子、通信和计算机学院，110040 皮特什蒂，罗马尼亚 6 ICSI Energy，国家低温和同位素技术研究与发展研究所，240050 拉姆尼库瓦尔恰，罗马尼亚 * 通讯地址：phatiphat.t@fte.kmutnb.ac.th (PT); nicu.bizon@upit.ro (NB)
锂的梯度抗性3D电流收集器...
3。材料和表面工程研究所，横滨，横滨236-8501，日本摘要：锂金属电池可提供高理论能量密度和存储能力，但由于形成锂树突状的锂而遭受了性能退化和安全问题的困扰。这项研究设计了基于3D多孔电流收集器的电阻率梯度结构，以抑制树突的生长。通过紫外线（紫外线）灭活过程，抑制了上层的催化剂形成，从而限制了上层铜板，并在电镀层阶段朝向下部增强板。随后，进行电镀以增加铜的厚度。实验结果表明，这种梯度抗性电流收集器最大程度地减少了表面锂沉积，从而阻塞了孔。电荷分离稳定性评估表明，使用该梯度结构的电池在全细胞和对称细胞测试中表现出更高的稳定性和改善的性能。这项研究在商业化锂金属电池方面提出了重大的技术进步。关键词：3D多孔电流收集器，电阻率梯度，锂金属电池，电镀板，紫外线催化剂灭活。1。简介
Gibbs三重连接过剩测定的方法专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
已符合其他经典技术，例如电容 - 电压或深度瞬态光谱测量值，低频噪声测量是研究材料或设备质量和性能的最敏感工具之一[1]。例如，噪声测量值允许对传感器应用[2]或对半导体设备的深层光谱进行比较[3]，并确定某些技术步骤或技术对设备性能降解的影响[4-7]。尽管有所有这些优点，但该技术的一个局限性很难删除所有外部低频噪声源，以确保所测量的噪声仅来自测试的设备或材料。在材料表征的情况下，众所周知，四探针配置足以消除DC甚至白噪声测量中的接触贡献。由于电压或电流触点可能会造成噪声贡献，因此1/F噪声不是这种情况。
绝热横向热电转换通过人工倾斜多层的热电流操纵增强
我们在现象学上制定并在实验上观察到通过人工倾斜多层（ATML）中的热电流重新定位增强了绝热的热电转换。通过交替堆叠具有不同导电性的两种材料，并相对于纵向温度梯度旋转其多层结构，诱导导热性张量中的非分子分量。这种非对角线热传导（ODTC）在绝热条件下产生有限的横向温度梯度，并在绝热条件下产生了seebeck效应诱导的热电器，该温度是由异热横向热电器上置于由外diagonal驱动的热量热电器上的。在这项研究中，我们计算和观察包括热电CO 2 MNGA Heusler合金和BI 2-A SB A TE 3化合物的ATML中的二维温度分布以及所得的横向热电器。通过将倾斜角从0°更改为90°，横向温度梯度显然出现在中间角度，横向热电图在CO 2 MNGA/BI 0.2 MNGA/BI 0.2 SB 1.8 TE 3 te 3 te 3 te的ATML中以45°的倾斜度为45°的ATML，均来自45°的贡献。这种从ODTC得出的混合动作导致横向热电转化率最大降低效率的显着差异从等热极限的3.1％到绝热极限的8.1％。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
TMCS1127-Q1 AEC-Q100，250KHz Hall-hall效果电流传感器，具有加强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
• AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to 125°C, T A • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • High continuous current capability: 80A RMS • Robust reinforced isolation • High accuracy – Sensitivity error: ±0.4% – Sensitivity thermal drift: ±40ppm/°C – Sensitivity lifetime drift: ±0.2％ - 偏移误差：±0.7MV - 偏移热漂移：±10μV/°C - 偏移寿命漂移：±12mA - 非线性：±0.2％•±0.2％•对外部磁场的高度免疫力•快速响应•信号宽度 - 信号带宽 - 信号带宽 - 250kHz - 250kHz - 响应时间：1μs - 供应范围：110范围••BB•BIR•BIR•BID•BID•BID•BID•3VIR：3V•3 vir•3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v。单向电流传感•多种灵敏度选项： - 从25mv/a到200mv/a•安全相关认证（计划） - UL 1577组件识别计划 - IEC/CB 62368-1