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World File Search System电流密度
AlOx 掺杂的单层 MoS2 中的高电流密度
摘要：半导体需要稳定的掺杂才能应用于晶体管、光电子学和热电学。然而，这对于二维 (2D) 材料来说是一个挑战，现有的方法要么与传统的半导体工艺不兼容，要么会引入时间相关的滞后行为。本文我们表明，低温 (<200 ° C) 亚化学计量 AlO x 为单层 MoS 2 提供了稳定的 n 掺杂层，与电路集成兼容。这种方法在通过化学气相沉积生长的单层 MoS 2 晶体管中实现了载流子密度 >2 × 10 13 cm − 2、薄层电阻低至 ∼ 7 k Ω / □ 和良好的接触电阻 ∼ 480 Ω · μ m。我们还在这个三原子厚的半导体上实现了创纪录的近 700 μ A/μ m (>110 MA/cm 2 ) 的电流密度，同时保持晶体管的开/关电流比 >10 6 。最大电流最终受自热 (SH) 限制，如果器件散热效果更好，最大电流可能超过 1 mA/μ m 。这种掺杂的 MoS 2 器件的电流为 0.1 nA/μ mo，接近国际技术路线图要求的几个低功率晶体管指标。关键词：2D 半导体、电流密度、掺杂、高场、自热、MoS 2 、Al 2 O 3 T
有限温度费米电荷和圆锥形空间中的电流密度
粒子宇宙学的巨大成功是与当前宇宙微波背景（CMB）温度t¼2的大爆炸宇宙学的一致性。7 k，测量值ωb，标准模型（SM）中三个光中微子的存在，以及测得的氦4（4 He）和氘（d）的原始量。这些元素的形成对物理敏感，温度范围为100 keV至〜10 meV，有时从几秒钟到宇宙寿命的几分钟。原始4和D的测量达到了精度百分比，因此我们能够询问有关该时代宇宙特性并获得定量答案的问题。这样一个问题涉及宇宙“黑暗辐射”的性质。现在是通过大爆炸核合成（BBN）和CMB建立的，即早期宇宙能量密度的相当一部分是黑暗辐射的形式。SM将这种辐射解释为SM中微子，它与光子浴中的热接触直至几MeV接近温度。有重要的理由来测试这种解释。例如，在早期与SM的热接触中的其他（近）无质量状态可能会增加此深色辐射。在Lambda冷暗物质中，BBN，CMB和BARYON声学振荡（BAO）的当前95％约束。4（BBN），△n eff≲0。33（CMBþBAO用于λCDMþNEFF），
凸块尺寸对倒装芯片焊点电流密度和温度分布的影响
采用三维热电分析模拟了共晶SnAg焊料凸点在收缩凸点尺寸时的电流密度和温度分布。研究发现，对于较小的焊点，焊料中的电流拥挤效应显著降低。减少焊料时，热点温度和热梯度增大。由于焦耳热效应，凸点高度为144.7 lm的焊点最高温度为103.15℃，仅比基板温度高3.15℃。然而，当凸点高度降低到28.9 lm时，焊料中的最高温度升高到181.26℃。焊点收缩时会出现严重的焦耳热效应。较小焊点中焦耳热效应较强可能归因于两个原因，首先是Al走线的电阻增加，它是主要的热源。其次，较小凸块中的平均电流密度和局部电流密度增加，导致较小焊料凸块的温度升高。2009 年由 Elsevier Ltd. 出版。
单个单层TI3C2TX MXENE FLAKES的高电导率和分解电流密度
近年来，通过缩减包括芯片互连的各种设备组件来缩放各种设备组件，已经满足了对集成电路较高性能的增长需求。然而，随着在微型互连中使用常规金属（例如铜）变得越来越具有挑战性，因此对具有高电导率和分解电流密度的替代互连材料的兴趣越来越大。在这里，我们证明了单层Ti 3 C 2 t X的分解电流密度非常高，这是一种二维过渡金属碳化物（称为MXENES）的材料，它超过了铜和其他常规金属的这种特性。在Ti 3 C 2 t X中发现的高电导率和分解电流密度的显着组合扩展了MXENES对微电子的潜在应用的令人印象深刻的列表，并保证对大型MXENE家族的其他材料进行研究，其中一些可能具有更好的特征。
通过Alo X盖限制了双层Mose 2场效应晶体的电流密度和接触电阻
摘要：对未来电子应用的原子较薄的半导体对单层（1L）硫属（例如MOS 2）（例如化学蒸气沉积（CVD）生长）非常关注。然而，关于CVD生长的硒的电性能，尤其是Mose 2的报告很少。在这里，我们比较了CVD生长的1L和BiLayer（2L）Mose 2的电性能，并由子材料计的ALO X封顶。与1L通道相比，2L通道表现出约20倍较低的接触电阻（R C）和〜30倍的电流密度。r c通过ALO X封盖进一步降低> 5×，这可以提高晶体管电流密度。总体而言，2L ALO X盖的Mose 2晶体管（约500 nm的通道长度）可提高电流密度（在V DS = 4 V时约为65μM /μm），良好的I ON / I ON / I ON / I ON / I OFF> 10 6，R C为约60kΩ·μm。 1L设备的性能较弱是由于它们对处理和环境的敏感性。我们的结果表明，在不需要直接带隙的应用中，2L（或几层）比1L更可取，这是对未来二维电子产品的关键发现。关键字：丙象钼，单层，双层，接触电阻，晶状体效应晶体管，氧化物封盖，掺杂，2D半导体
具有创纪录高饱和输出电流密度的高增益石墨烯基热电子晶体管
热电子晶体管 (HET) 代表了一种令人兴奋的新型半导体技术集成器件，它有望实现超越 SiGe 双极异质晶体管限制的高频电子器件。随着对石墨烯等 2D 材料和新器件架构的探索，热电子晶体管有可能彻底改变现代电子领域的格局。这项研究重点介绍了一种新型热电子晶体管结构，其输出电流密度创下了 800 A cm − 2 的记录，电流增益高达 𝜶，采用可扩展的制造方法制造。该热电子晶体管结构包括湿转移到锗衬底的 2D 六方氮化硼和石墨烯层。这些材料的组合可实现卓越的性能，尤其是在高饱和输出电流密度方面。用于生产热电子晶体管的可扩展制造方案为大规模制造开辟了机会。热电子晶体管技术的这一突破为先进的电子应用带来了希望，可在实用且可制造的设备中提供大电流能力。
来自太阳 - 光致发光量子产率测量的钙钛矿薄膜的表面饱和电流密度
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通过在不均匀磁场中冷却NB超导薄膜中的有效临界电流密度
虽然非常普遍且大部分成功，但等式的应用。（1）受BEAN模型的严格假设的限制，这意味着在超导体中有穿透性的频道的任何地方密度高原。在实践中，这并不总是正确的，最近显示了必要的依赖性，以解释对NB纤维中频道渗透的特定实验观察。6–8在这方面，KIM临界状态模型9,10表明，确实在考虑到这样的依赖性时，在超导纤维中出现了漏斗渗透和当前分布模式的差异，11表明对这些样品的仔细研究应超越豆类模型。固定容量的增强是为实用应用开发更好的超导设备的重要追求。12–14在这方面的成功策略是用人工固定中心阵列，一系列纳米制作的压痕或各种自然界的夹杂物扩散在整个材料中。15–21已显示出一个分级
用双功能的气体扩散电极在高电流密度下的锌溶剂/空气混合流动电池的长期性能
锌电极处的树突状生长和形状变化，[4-10]锌 - 空气电池的性能仍然受到正极氧反应的缓慢动力学的限制。[1,11]已大力努力发展催化剂，以降低正极反应的过电势。在这种情况下，双功能催化剂的发展既可以使充电期间的氧气进化反应（OER）和放电期间的氧还原反应（ORR）受到了最近的关注。[1,2,11 - 13]但是，即使在锌 - 空气电池中具有高性能双功能催化剂，其预期的能量效率也接近65％，[14]必不可少的进一步改进，以进一步改进竞争性实施。Balamurugan等。[15]