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120-240V 电源开关 - 用户指南 - 数字记录器
LAN。打开电源。如果您已连接到交换机，则可能需要对交换机进行循环供电以建立连接。 4. Ping 默认地址：192.168.0.100 以确认已建立网络连接。如果您没有收到响应，请参阅下面的 IP 设置部分。 5. 使用默认用户名 admin 登录电源控制器，密码 1234 “ admin ”必须以小写输入。 6. 单击设置链接以访问配置页面。 7. 为您的安装选择最安全的断电配置：（全部关闭、全部打开或断电前） 8. 按照以下说明配置电源开关。每次更改后，单击“提交”并等待页面刷新后再继续。
SIC MOSFET电源开关的GAN和SI基于GAN和SI的性能评估
1。引言电力电子技术始终发展为更高效率，更高的功率密度和更集成的系统[1]，[2]。目前，大多数转换器均设计为嵌入到应用程序外壳中，因此其体积受产品案例大小的限制。使用较小的被动元素和较高的开关频率实现了这种尺寸的降低[3]，这构成了由于切换和驱动损失而引起的新挑战系统效率[4]。增加系统的功率密度而不影响整体效率需要提高功率开关的进步。不幸的是，基于硅（SI）的功率设备特性正在达到其理论限制，并且在阻断电压能力，操作温度和开关频率限制其使用方面具有重要的局限性[1]，[5]。在过去的几年中，基于宽带盖（WBG）半导体材料[6]的新一代电源设备可作为商业货架（COTS）产品使用。WBG半导体，例如碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN），显示出改进的材料特性，使其成为SI Power Devices替换时的绝佳选择。WBG材料的特征是它们的高电场强度，它允许具有高掺杂速率的非常薄的漂移层[7]，[8]。因此，基于这些材料的设备受益于降低州立电阻的能力，从而减少了传导损失[9]。此外，WGB材料中的载体移动性比SI优于SI，可以更快地转到 /关闭开关时间，从而降低开关损失。
碳化硅如何帮助最大程度提高可再生能源系统的效率
与 IGBT 相比，SiC 电源开关易受短路影响，短路可能会严重损坏电力电子系统。通常，IGBT 的短路耐受时间约为 10 µs，而 SiC 的短路耐受时间约为 2 µs。因此，在使用 SiC 电源开关进行设计时，务必考虑添加去饱和或过流保护等保护元件。某些栅极驱动器（例如 UCC21710 栅极驱动器）具有内置短路保护功能，可检测和响应短路事件。要了解有关 SiC FET 短路保护的更多信息，请参阅应用说明“了解 SiC MOSFET 的短路保护”。
DNA HMG1 - 用户手册
维护 1. 因不当使用或尝试修理而造成的损坏不在保修范围内。包装内没有可维修的部件，维修只能由授权服务中心进行。 2. 请勿让设备接触油、油脂或任何类似液体。 3.定期清洁可确保长期使用并保持适当的高质量工作。使用软布清洁设备。操作 1. 将充电后的电池对准并插入设备底座 - 确保电池已牢固锁定。 2. 关闭设备，将选定的按摩头插入设备开口。 3. 将底部的电源开关移至 ON 位置，打开设备电源。 4. 将电源开关置于 ON 位置，按一次设备的触摸开关将设备设置为一级振动，按两次将设备设置为二级振动，按三次将设备设置为三级振动。再次按下触摸开关将通过振动关闭设备。可以使用“+”和“-”按钮设置按摩速度。 5. 以所需的速度按摩选定的肌肉或肌肉群，并施加适当的（无痛的）压力。 6. 要关闭设备，请将设备底部的电源开关移至 OFF 位置。 7. 关闭设备后，轻轻将按摩头拉向您自己，即可将其取下。 8. 要取出电池，请按下电池释放按钮，然后将电池向下拉。
2EDL05x06xx 系列 600V 半桥栅极驱动器，带集成自举二极管 (BSD)
图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路；图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时，V S1 低于 DC+ 电压，其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时，由于连接到 V S1 的电感负载（这些图中未显示负载），负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线（连接到 HVIC 的 COM 引脚）流向负载，并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压（即，HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚）。
AR-M160 | AR-M205 操作手册 - Sharp Business USA
注意： • 请勿快速打开和关闭机器。关闭机器后，请等待 10 到 15 秒再打开。• 在安装任何耗材之前，必须关闭机器电源。• 将机器放置在坚固、水平的表面上。• 请勿将机器安装在潮湿或多尘的地方。• 长时间不使用机器时，例如在长假期间，请关闭电源开关并从插座中拔下电源线。• 移动机器时，请务必关闭电源开关并从插座中拔下电源线。• 通电时，请勿用防尘罩、布或塑料薄膜覆盖机器。这样做可能会影响散热，损坏机器。• 使用本文未指定的控制、调整或执行程序可能会导致危险的激光辐射暴露。• 插座应安装在机器附近，并应方便使用。选择安装地点的要点
白皮书
Ideal Power 已开发并获得了一项创新的专有半导体电源开关专利，该开关名为双向双极结型晶体管 (B-TRAN™)。与传统电源开关（如绝缘栅双极晶体管 (IGBT)）相比，B-TRAN™ 的效率显著提高，可将功率损耗降低 50% 或更多（具体取决于应用）。B-TRAN™ 的效率更高，产生的热量更少，因此热管理要求显著降低。这反过来又会显著减小散热所需的表面积，从而可能缩小 OEM 产品的尺寸。此外，B-TRAN™ 提供业界唯一的对称双向操作，与使用 IGBT 和二极管的传统双向开关相比，组件数量减少了 75%。这种高效而独特的对称操作在双向应用中提供了强大的竞争优势，由于交通运输电气化以及向可再生能源和储能相结合的转变，双向应用正在快速增长。
基于 SIC 的固态功率控制器
最新一代战斗机采用 270Vdc 电源系统 [1]。这种高压直流电源系统很难用传统断路器保护，因为电流在故障期间不会像交流电源系统那样每周期自动归零两次，因此触点电弧是一个问题。固态功率控制器 (SSPC) 是断路器的固态等效物，不会产生电弧，并且比机械断路器对故障的响应更快 [2]。目前的 SSPC 受到可用功率半导体的限制，只能支持较低的电压和电流 [8,9]。本论文介绍了 SSPC 的设计和实验结果，该 SSPC 使用 SiC 功率 JFET 作为 SSPC 电源开关，将 SSPC 功能扩展到更高的电压和电流，而其空间比 Si 电源开关实际可实现的空间更小。研究从 SSPC 电源开关的热分析开始，这将指导由 Solid State Devices Inc. (SSDI) 使用 SiCED 和/或 Semisouth LLC 的 JFET 制造的 SiC JFET 多芯片电源模块的开发。多个多芯片电源模块将并联以构成 SSPC 开关。制造的器件在静态和动态热性能以及静态和动态电气性能上进行了评估。除了 SiC 模块研究外，还完成了能够在 200ºC 下工作的高压 SSPC 控制电路的详细设计，包括详细分析、建模和模拟、详细原理图和详细图纸。最后，制造并测试选定控制电路的面包板以验证模拟结果。还开发了在 SSPC 应用特有的瞬态热条件下测试 SiC JFET 器件的方法。关键词：SiC、JFET、SSPC、热分析、多芯片
用户手册自动电压调节器 - Lapara
连接到公用设施 将设备插入 3 线接地插座。如果交流输入为端子类型，请按照端子标记连接电源线。 连接设备 将设备插入 AVR 后面板插座。然后按下前面板电源开关至“RESET”位置以打开设备。注意：插入 AVR 的所有设备的总功耗不得超过其容量（请参阅规格）。否则可能会导致断路器故障（熔断）。
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维护1。由不符合目的或尝试独立修理的用途造成的损害。包装内没有服务零件，只能由授权服务点进行维修。2。不要让设备与油，脂肪或任何类似液体接触。3。常规清洁允许长期使用，并允许您维持高质量的工作。使用软布清洁设备。服务1。对齐并将带电的电池插入设备的底部 - 确保有安全的电池。2。设备关闭后，将选定的按摩头放在设备孔中。3。打开设备电源，移动底部底部的电源开关。4。当电源开关处于ON位置时，请按一下设备触摸开关，以在第一次或两次打开设备的振动，以在第二级打开设备振动，三次将设备设置为第三。重新安装触摸开关将关闭设备的振动。可以使用“+”和“ - ”按钮设置按摩速度。5。使用适当的（非涂抹疼痛）压力按摩所需速度所需速度。6。要关闭电源，将动力开关放置在电源上。7。8。关闭设备时，卸下按摩头，轻轻将其拉到自己身上。要卸下电池，按下电池释放按钮，然后将电池拉下电池。