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World File Search System电源模块
使用 S 参数、TDR 和 TDT 对电源模块进行状态监测
噪声是在线测量和状态监测的一个重要方面。然而，性能下降发展非常缓慢，因此可以实现非常高的积分时间。此外，S 参数的目标频率（大部分高于 100 MHz）与 PM 功能信号带宽（上升时间低于 10 ns 时限制为几十 MHz）之间的比率足够高，可以使用慢速、非常窄的带通 IF 滤波器，从而抑制大部分不相关的噪声。此外，这还将使使用部署现场状态监测所必需的低成本仪器成为可能。事实上，使用 NanoVNA V2 [15] 进行的初步测试与使用高端 ZVA24 获得的测试结果相符。该仪器可以留在现场进行实时状态监测，也可以在计划的定期维护期间连接到系统以进行 SoH 评估。
通过功率循环测试，利用改进的互连技术对最新标准双电源模块进行老化调查
通过功率循环测试对使用改进的互连技术的最新标准双功率模块进行老化调查 Yi Zhang a,* 、Rui Wu b 、F. Iannuzzo a 、Huai Wang aa AAU Energy，奥尔堡大学，丹麦奥尔堡 b Vestas Wind Systems A/S，丹麦奥胡斯 摘要 为硅和碳化硅设备开发了最新标准“新型双”功率模块，以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场，其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。对功率循环前后的电气和热性能都进行了研究。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ° C 的条件下经过 120 万次循环后，芯片和键合线均没有明显的性能下降。尽管如此，在测试环境中，在约 600 k 次循环后，已达到导通电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准。进一步的扫描声学显微镜测试发现，疲劳位置从传统的近芯片互连（例如，键合线剥离）转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上，预计随着互连技术的进一步改进，热机械疲劳将不再是限制寿命的机制。同时，随着先前的瓶颈（例如，键合线）得到解决，一些新的疲劳机制（例如，DBC 的分层）在新封装中变得明显。
MagPack 技术：新型电源模块的四大优势可帮助您在更小的空间内容纳更多电力
无论您在开发哪种电源转换系统，借助我们利用 MagPack 技术的新型电源模块，它都可以变得更小、更高效、散热能力更强、使用更方便。想象一下，将每个负载点 (POL) 电源的尺寸缩小 20% – 您能用这些额外的电路板空间实现什么？也许是更高的数据速率或通道数，或者也许您可以为产品添加额外的功能或传感器。MagPack 技术可提供更好的电源模块，让您能够为客户提供更好的产品。采用 MagPack 技术的电源模块可以帮助您解决哪些设计难题？
4.2 kWh电源模块
RGY的石墨烯功率模块在Ener Gy Storage Technology的最前沿。堤防石墨烯的高表面区域允许在紧凑的外形以外的储能能力。是什么使我们的石墨烯电池模块与众不同的是它们出色的散热功能。基于石墨烯的模块有效地消散了充电和放电期间产生的热量，以应对传统锂离子电池的主要挑战之一。我们的石墨烯电池比其他类型的电池更安全，更高效，寿命更长。与标准电池化学储存能量的标准电池不同，薄荷能石墨烯超级电容器可以静电存储能量。用于充电常规电池的化学反应缓慢工作，并最终导致电极材料故障，我们的超级电容器不同。它可以多次充电而不会磨损。
PRD-07933：电源模块TIM应用程序用户指南
为了在功率模块中实现最佳的热性能，必须将它们安装到散热器上，以有效地消散由半导体设备产生的热量，并防止连接温度超过安全限制。热接口材料（TIM）通常用于在模块的底板和散热器之间建立适当的接触。但是，正确应用热油脂和电源模块在散热器上的安装对于确保两个组件之间有效的热传递至关重要。本申请说明提供了选择适当的热接口材料的指导，以及将热油脂涂在模块底板或散热器上的说明，并将电源模块安装到散热器上。通过遵守这些准则，可以实现功率模块的最佳热性能。
通过嵌入 SiC 半导体实现高压电源模块的概念
具有集成电气隔离，如陶瓷基板。安装半导体的首选方法是低压低温银烧结工艺。该方法具有一些优点：首先，它能够在大型面板格式上组装芯片，从而实现高度并行处理。此外，芯片粘合精度对后续工艺步骤很重要，主要取决于芯片粘合工艺的精度，因为除了
有限披露 使用新型硅缓冲电容器技术改进高压电源模块
• MIS SiCap 电容器的电容稳定性是除 ESL/ESR 之外的一个关键参数。由于矿物介电材料的性质和高品质，无需考虑会降低电容有效值的降额
通过功率循环测试对采用改进的互连技术的最新标准双电源模块进行老化调查
最新标准“ New Dual ”功率模块已为硅和碳化硅器件开发，以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场，其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。研究了功率循环前后的电气和热性能。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ◦ C 的 120 万次循环之后，芯片和键合线均无明显性能下降。尽管如此，在测试环境中传导电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准在约 600 k 次循环时已达到。进一步的扫描声学显微镜测试发现，疲劳位置从传统的近芯片互连（例如，键合线剥离）转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上，随着互连技术的进一步改进，预计热机械疲劳将不再是寿命限制机制。同时，随着先前的瓶颈（例如键合线）得到解决，一些新的疲劳机制（例如 DBC 的分层）在新封装中变得明显。
已发表版本引用 (APA)：Zhang, Y., Wu, R., Iannuzzo, F., & Wang, H. (2022). 最新标准双电源模块老化调查
通过功率循环测试对使用改进的互连技术的最新标准双功率模块进行老化调查 Yi Zhang a,* 、Rui Wu b 、F. Iannuzzo a 、Huai Wang aa AAU Energy，奥尔堡大学，丹麦奥尔堡 b Vestas Wind Systems A/S，丹麦奥胡斯 摘要 为硅和碳化硅设备开发了最新标准“新型双”功率模块，以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场，其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。对功率循环前后的电气和热性能都进行了研究。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ° C 的条件下经过 120 万次循环后，芯片和键合线均没有明显的性能下降。尽管如此，在测试环境中，在约 600 k 次循环后，已达到导通电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准。进一步的扫描声学显微镜测试发现，疲劳位置从传统的近芯片互连（例如，键合线剥离）转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上，预计随着互连技术的进一步改进，热机械疲劳将不再是限制寿命的机制。同时，随着先前的瓶颈（例如，键合线）得到解决，一些新的疲劳机制（例如，DBC 的分层）在新封装中变得明显。
