参数 最小值 最大值 单位 输入电源电压,EN -0.3 20 V LX 电压 -0.3 20 V LX 电压 (<10ns 瞬态) -4.5 22 V FB 电压 -0.3 6 V BS 电压 -0.3 23 V 存储温度范围 -65 150 °C 结温 (注释 2) 160 °C 功率耗散 1500 mW 引脚温度 (焊接, 10s) 260 °C
概述 MXB7846 是一款行业标准的 4 线触摸屏控制器。它包含一个 12 位采样模数转换器 (ADC),带有同步串行接口和低导通电阻开关,用于驱动电阻式触摸屏。MXB7846 使用内部 +2.5V 参考或外部参考。MXB7846 可以进行绝对或比例测量。此外,该设备还具有片上温度传感器、电池监控通道,并且无需外部组件即可执行触摸压力测量。MXB7846 有一个辅助 ADC 输入。所有模拟输入均完全受 ESD 保护,无需外部 TransZorb™ 设备。MXB7846 保证在与外部参考一起使用时,电源电压低至 +2.375V 或与内部参考一起使用时,电源电压低至 +2.7V。在关机模式下,典型功耗降低至 0.5µW 以下,而在 125ksps 吞吐量和 +2.7V 电源下,典型功耗为 650µW。低功耗操作使 MXB7846 成为电池供电系统的理想选择,例如带有电阻式触摸屏的个人数字助理和其他便携式设备。MXB7846 采用 16 引脚 QSOP 和 TSSOP 封装,并保证在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。
• 低电源电压:可在低至 2.3 Vdc 的电压下工作,可用于低能耗和无线兼容应用,以增强节能效果并延长系统电池寿命。• 低功耗:当不在应用中进行测量时,传感器进入休眠模式,仅消耗 1 µA 的电量,而在电池供电系统中全速运行时则消耗 650 µA 的电量。休眠模式有助于最大程度地延长电池寿命、减小电源尺寸并降低应用的整体重量。
低功耗下电磁抗扰度和低辐射。NSi822xC 的数据速率高达 100Mbps,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 高达 150kV/us。NSi822xC 器件提供数字通道方向配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSi822xC 器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接,易于进行电平转换。高系统级 EMC 性能提高了使用的可靠性和稳定性。所有设备均提供 AEC-Q100 (1 级) 选项。
特征性描述/值强度> 10 cd红色,360°根据ICAO附件14,低强度,A型寿命> 50,000h供应电压10 ... 50V标称功率<1.7W(12V/140MA; 24V/70MA)涌现的涌现故障失败综合(50,000,000 HAFFECTIANIDEN)FAILEDENT(50,000H)FAILS-SAFE-SAFE-SAFE-SAFE-SAFE SLEAVE light light light light light light light o.K.k.kk.kk。 :1.5V以下电源电压(开路)轻故障:0V温度范围-40 ... +55°C保护级IP 67,带有通风元件外壳铝,耐海水耐药的PMMA,抗紫外线的尺寸。 64 x 80毫米(没有塞子的身体)重量300g(0.66磅)特征性描述/值强度> 10 cd红色,360°根据ICAO附件14,低强度,A型寿命> 50,000h供应电压10 ... 50V标称功率<1.7W(12V/140MA; 24V/70MA)涌现的涌现故障失败综合(50,000,000 HAFFECTIANIDEN)FAILEDENT(50,000H)FAILS-SAFE-SAFE-SAFE-SAFE-SAFE SLEAVE light light light light light light light o.K.k.kk.kk。:1.5V以下电源电压(开路)轻故障:0V温度范围-40 ... +55°C保护级IP 67,带有通风元件外壳铝,耐海水耐药的PMMA,抗紫外线的尺寸。64 x 80毫米(没有塞子的身体)重量300g(0.66磅)
•博士学位(美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系)Sanad Kawar,“在物联网应用中,用于收获能源收集的输入功率最大效率跟踪技术”,2020年。•M.Sc.(电气工程系,苏马亚公主技术大学,安曼,约旦)•Moh'd Rasoul Masadeh,“使用低电源电压的CMOS连续时间线性均衡器的设计”,2021。•Mohammed Al-Fayyad,“低功率静态随机访问存储系统的设计和模拟”,2019年。•Abdulla Deeb,“用于混合模式应用程序的模拟IC滤波器的设计”,2018年。•Osama Bondog,“使用CMOS技术和低电源电压增强的D型触发器”,2017年。•Jannah al-Hashimi,“用于模拟信号的开关模式操作放大器的设计低电压应用”,2017年。•Abdallah Hasan,“混合信号应用中使用的高性能样品和保留电路”,2016年。•Waseem al-Akal,“高性能CMOS加法器”,2016年。•穆斯塔法·西哈达(Mustafa Shihada),“高速前端CMOS接收器具有信号均衡”,2016年。•Mahmoud Mohammed,“使用MOSFET晶体管的电压参考电路的设计”,2014年。•Sanad Kawar,“连续收发器ICS信号检测器的高性能损失”,2014年。•HAZEM MARAR,“高性能1.8V PMOS的LVD驱动程序”,2012年。7。美国发行的专利
您还应尝试使用尽可能少的电压来设计系统;即不要生成系统中未使用的中间总线电压。此规则有一个重要的例外,即最好使用 LDO 来生成低噪声电源电压,例如为混合信号设备供电,例如 ADC、PLL 或其他噪声敏感模拟电路。在这种情况下,使用降压转换器(在某些情况下是升压转换器)作为 LDO 的预调节器可能是明智的。降压或升压转换器的输出略高于 LDO 输出电压加上 LDO 压差电压。这可以最大限度地减少 LDO 中的功耗。
电源电压,V CC (见注释 1) 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围 –0.3 V 至 V CC + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流范围(任何输入) ± 10 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .峰值总输入电流范围(所有输入)± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围,TA(见注释 2):TLC548C、TLC549C 0 ° C 至 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . TLC548I、TLC549I –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围,T stg –65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1,6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . .
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路的关键元件,例如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性,并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的精度和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此,已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度
电源电压(V CC ).............................................................+7V 控制输入电压(RE,DE)................................-0.3V至+7V 驱动器输入电压(DI)........................................-0.3V至+7V 驱动器输出电压(A、B、Y、Z)....................-7.5V至+12.5V 接收器输入电压(A、B).............................-7.5V至+12.5V 接收器输出电压(RO).................... -0.3V至(V CC + 0.3V) 连续功率耗散(T A = +70°C) 8引脚SO(高于+70°C时每°C下降5.88mW)....471mW 8引脚塑料DIP(高于+70°C时每°C下降9.09mW)..727mW