northropgrumman.com ©2020 Northrop Grumman 保留所有权利,获准公开发布;分发不受限制;#20-1635;日期为 09/21/20 RM 20-120
3.1 Promote a “Resilience by Design” approach ............................................. 7 3.2 Promote better risk management ............................................................ 10 3.3 Address knowledge and skills gap .......................................................... 12 3.4 Raise awareness and increase preparedness ........................................ 12 4 Attendees .............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................
在拥挤、竞争激烈和敌对的电磁环境中,联合、联合和多国作战部队能够保持足够的电磁优势以实现军事目标。指挥官能够塑造电磁环境,以确保友军能够作战,同时阻止对手获得同样的优势。• 程序化愿景:为北约指挥官提供 DOTMLPFI 连贯性
图 2。电磁干扰的耦合路径方式。电气设备的电磁兼容性是指这些设备在外部影响下与其他技术手段在真实电磁环境(EME)中同时工作,执行正常运行,而不干扰其他技术手段和电气设备的能力 [2]。外部影响包括自然和技术干扰,包括静电放电 (ESD)。干扰频谱延伸到数千兆赫的范围。干扰的存在会导致电子设备运行故障,在某些情况下甚至会导致设备故障 [3]。飞机设备必须满足 EMC 的要求,这一因素的重要性由以下主要技术趋势证实: 飞机生命周期各个阶段的电磁环境复杂化;
最近的MSC本文:•使用可穿戴传感器和饮食原木的血糖预测(2024)•在原始石墨烯上吸附17-βBeta-雌二醇 - 一项原告结构搜索研究(2024)(2024)(2024)•设计和评估针对射频的应变型(2024)•摄影(2024)•心速率的效果•202•心速率变化(2024纳米管电化学(2024年)•伤口护理中的成本效益:决策和公共采购的健康经济证据(2023)•一种基于碳的电化学适音器检测万古霉素(2023年)(2023年)•评估无线电磁环境中的无线电磁环境(20223)•2023年•2023年•2023年•2023年) (2023)•纳米级工程以控制碳基电极上的传质(2023)
设备应在非危险区域和基本电磁环境中使用,后者在 EN 61326-1 中定义。避免强烈的机械冲击和振动。避免腐蚀性环境和受灰尘、油雾等严重污染的区域。使仪器远离阳光直射。突然的温度或湿度变化可能会影响传感器的灵敏度。
§ 太空将变得更加拥挤,对卫星频率和轨道资源使用的担忧将加剧 § 在低成本的驱动下,空间辐射环境引起的卫星异常将变得更加显著 § 大量卫星的运行对外太空背景电磁环境构成风险
设备应在非危险区域和基本电磁环境中使用,后者在 EN 61326-1 中定义。避免强烈的机械冲击和振动。避免腐蚀性环境和受灰尘、油雾等严重污染的区域。使仪器远离阳光直射。突然的温度或湿度变化可能会影响传感器的灵敏度。
研究拓扑问题的主要动机是对拓扑顺序侵害环境的保护。在这项工作中,我们研究了与电磁环境耦合的拓扑发射器阵列。光子发射极耦合会在发射器之间产生非局部相互作用。使用周期性的边界条件为环境诱导的相互作用的所有范围,保留了发射极阵列固有的手性对称性。这种手性对称性保护了哈密顿量,并在林德布拉德操作员中诱导了平等。拓扑相变发生在与发射极阵列的能谱宽度相关的临界光子发射极耦合处。有趣的是,临界点非试图改变边缘状态的耗散速率,从而产生耗散性拓扑相变。在受保护的拓扑阶段,边缘状态从环境诱导的耗散范围内,用于弱光子发射极耦合。然而,强耦合可在发射极间距处的窗口带来稳健的无耗散状态。我们的工作显示了通过电磁环境操纵拓扑量子物质的潜力。