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World File Search System电离的
表面纹理化和功能涂层的有效结合，适用于极低二次电子产额表面和粗糙非蒸散性吸气剂膜
电子诱导的电子发射通常用二次电子产额 (SEY) 来量化，有时也称为总电子产额 (TEY)。低 SEY 材料或表面旨在减少航天器和卫星的表面充电 [1,2] 以及减轻粒子加速器中电子云的形成。[3–7] 几十年来，为了满足不断发展的技术需求，人们在元素材料表面和化合物中 [7–17] 深入研究了二次电子产额的一次电子能量依赖性以及发射电子的动能分布。对于许多应用，低于 1 的 SEY 最大值足以避免撞击电子的级联倍增。然而，对于其他解决方案而言，进一步降低 SEY 可能会有所帮助，以抑制可能产生背景噪声或使测量信号恶化的反射、背散射和二次电子，例如在电子收集器中，用于测量超高真空 (UHV) 中的低电子电流或用于基于电离的压力计。[18,19]
定量的经典化学分析滴定酸 -
弱酸是一种在产生氢（H 3 O +）离子水溶液中部分电离的化合物。任何弱酸解离的一般方程式可以写为：HA（aq） + H 2 O（l）a - （aq） + H 3 O +（aq）（1）添加强碱会导致中和反应导致氢氧化离子（oh -oh）与水合产生水：hydronium的水：在中和反应中，根据Le Chatelier的原理将方程1中的平衡移到右侧。neu tralization过程可以写成方程（1）和（2）的总和：ha（aq） + oh - （aq）a - （aq） + h 2 o（l）（l）（3）未知解的浓度可以通过测量添加的滴定剂量达到等效点来确定。当所有酸被碱中和时，等效点发生。将通过使用在等价点上更改颜色的指标来确定
IFM 纳米推进器电动空间推进
场发射电推进 (FEEP) 基于从液态金属中提取和电离推进剂，该过程可以在 1Vnm -1 量级的场强下发生。为了达到必要的局部场强，液态金属通常悬浮在针状尖锐发射器结构上。已经研究了通过毛细管力进行被动推进剂输送的不同配置，包括毛细管几何形状、外部润湿针和多孔针状结构。液态金属的静电应力超过某个阈值会导致金属变形为泰勒锥 7 ，从而进一步增加锥顶点的局部场强，最终实现粒子提取。在 FEEP 装置中，静电势施加在金属发射器和称为提取器的对电极之间，其设计用于最大限度地提高发射离子的透明度。在这样的几何结构中，离子随后被用于提取和电离的相同电场加速，从而使该过程非常高效。
2019 年春季今日科技 - 西南研究院
产生的峰值功率密度和电流比射频或交流电源驱动的冷等离子体射流高出两到三个数量级。HiPIPS 使用变压等离子体射流和高功率脉冲直流发电机，可在短脉冲中提供极高的功率密度。当气体前体被送入等离子体源并在电极上施加负高压直流脉冲时，电流以电子的形式流过气态介质。自由电子被加速并与气体分子碰撞，将其分解以产生活性物质。随着直流脉冲的持续，电流急剧增加。由于先进电源设计的高电流能力，极高的功率会迅速激发等离子体。这种高功率放电会产生高度电离的气体以及大量的自由基。当脉冲放电快速接近电弧状态时，控制脉冲长度可抑制电弧，从而实现连续稳定的运行。
可重新配置的反馈现场效应晶体管，带有一个门
数十年来，由于摩尔法律[1]，互补金属 - 氧化物半导体（CMOS）技术的连续扩展导致了信息技术的革命性发展，该法律规定，微芯片的密度每24个月增加了一倍。但是，由于由短通道效应等现象引起的泄漏电流，MOS场效应晶体管（MOSFET）会遇到限制[2]。尤其是由于载体的热极限，在室温下，子阈值秋千的极限为60 mV/dec [3]。使用隧道效应，使用影响电离的电离效果（i-MOS）[8-11]等各种设备，例如使用影响电离的电离MOS（I-MOS）[8-11] [12-24] [12-24] [12-24]使用反馈现象来克服这些限制。fbfet通过调节诸如p-n-p-n之类的结构中的潜在屏障，使用正反馈机制表现出陡峭的开关特性。第一次提出的FBFET通过将电荷捕获在栅极侧壁间隔物中来调节电势垒。然而，由于间隔区域的附加过程和不稳定性，已经提出了结构，以浓重的掺杂掺杂现有的间隔区区域，或用额外的栅极电极代替它[14，15]。这些结构相对稳定，可以在带有附加栅极电极的单个设备中重新配置p和n型[13]。但是，对于在P和N型操作模式中重新配置的四端设备结构的其他门电压调制是必需的。在这项研究中，我们提出了一个可重新选择的FBFET，可以通过控制单门电压调制来以P和N型模式进行操作。单门电压允许注射孔（P型）或电子（N型），以进行正反馈回路。与其他可重新配置的FET（RFET）[25-29]相反，该FET（25 - 29]）通过阻碍注射不希望的荷载体，对电子和孔显示单极传导，可重新选择的FBFET使用电子和孔进行电流。因此，我们的设备表现出对P和N型配置的对称特征。
用中子散射在双原子气体
migdal效应[1]，其中核散射在理论上诱导了原子，分子或固体中的电子激发，但从未在实验中得出结论。主要的挑战是与弹性散射相比非常小的速率，结合了将原发性米格达事件与普通弹性核削减后的二次电子激发或电离的难度。已经提出了Migdal效应来搜索子GEV暗物质，以此作为一种通过电子激发信号逃避核后坐力阈值的方法[2-16]，但首先必须使用标准模型探针观察到这种效果以校准它[17-21]。在本文中，是出于与暗物质检测相关的分子migdal效应的最新发展的动机[22]，我们提出了一个新概念来测量Migdal效应。低能（〜100 eV）中子束用于通过分子气中的核散射（例如碳一氧化碳（CO））诱导结合的Migdal转变，概率约为每个中子散射事件，导致紫外线的发射和可见光子的发射
USF 辐射安全
简介 USF 研究操作需要使用 X 射线设备。X 射线用于分析样品、无损检测或诊断成像。USF 的 X 射线设备多年来一直安全运行。X 射线用户必须了解设备的危险并遵循设备的操作程序和/或用户手册说明。如果您对 USF 的 X 射线设备有任何疑问或担忧，请联系 USF RSO – Adam Weaver。辐射是以波或粒子形式存在的能量。能量高到足以引起电离的辐射称为电离辐射。它包括放射性物质、恒星和高压设备发出的粒子和射线。电离辐射包括 X 射线、伽马射线、β 粒子、α 粒子和中子。如果不使用监测设备，人类就无法“发现”电离辐射。与热、光、食物和噪音不同，人类无法看到、感觉、尝到、闻到或听到电离辐射。我们所有人所接触的背景辐射有两个来源：自然背景辐射和人造辐射。NCRP 报告第 93 号指出，美国的平均背景剂量为 360 mrem/年。
由 1 kHz 钛宝石激光脉冲泵浦的光参量放大器的高转换效率，可产生可调谐的高次谐波
摘要：我们报告称，通过将市售的 Ti：Sapphire 飞秒、1 kHz 激光系统与光参量放大器 (OPA) 相结合，实现了近 50% 的高转换效率。对于 1 kHz 和 35 fs 持续时间的 2.2 mJ/脉冲的输入能量，在信号波长为 1310 nm 时，信号加上闲置脉冲的总 OPA 输出能量为 1.09 mJ/脉冲。我们发现，由于 OPA 中的高增益饱和，输出光束轮廓几乎是平顶的。利用信号脉冲，我们在气体中产生高次谐波，并测量从氩气中电离的光电子的速度图图像与信号波长的关系。我们观察到，在高次谐波光子能量的特定范围内，在低动能区域观察到四倍光电子角结构。我们的结果表明，具有高转换效率OPA和超高斯光束轮廓的输出脉冲可用于需要在极紫外区域产生可调谐高次谐波的实验。
基于质子的化学物质水溶液
的回忆设备，电阻取决于应用电信号的历史的电元素，是未来数据存储和神经形态计算的领先候选者。回忆设备通常依赖于固体技术，而水性回忆设备对于生物学至关重要 - 相关应用，例如下一代 - 一代大脑 - 机器接口。在这里，我们报告了一个简单的石墨烯 - 基于水的水性设备，具有长期和可调的内存，由可逆电压调节 - 诱导的界面酸 - 通过通过石墨烯选择性质子渗透来启用的基本平衡。表面 - 特异性振动光谱验证了石墨烯电阻率的记忆是否来自通过石墨烯的滞后质子渗透而产生的，这显然是从石墨烯/水界面上界面水的重组。质子渗透会改变石墨烯CAF 2底物上的表面电荷密度，从而影响石墨烯的电子迁移率，并引起突触 - 例如电阻率动力学。结果为开发实验性直发和概念简单的基于水解的神经形态电离的方式铺平了道路。
获取，预处理和EEG信号的特征提取到
使用推进剂分布，阳极，阴极，两个磁极以及所得的离子流动方向[2]上述示意图说明了基本霍尔效应推进器操作的功能，其推进剂分布，阳极，阴极，两个磁极，两个磁极和产生的离子流动方向显示。Hall推进器通过使用垂直电和磁场的功能。推进剂的中性原子从储罐（未显示）移动到同轴加速通道。同时，径向磁场作用会阻碍电子流从阴极到阳极的流。电子被困在同轴加速通道的出口附近。交叉场在ɵ方向上产生净霍尔电子电流。被困的电子充当储罐中性推进剂原子电离的体积区域（未显示）。电子与缓慢移动的中性群碰撞，产生离子和更多的电子，以支撑排放量和电离额外的中性性。由于其较大的Larmor Radii，其正离子没有受到磁场的较大仪表的影响。离子通过在等离子体上的磁场阻抗产生的电场加速。随后，所得的高速离子束被外部电子源中和。