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World File Search System电致发光
thz Intersubband电致发光，来自N型GE/ ... div>
自半导体二极管激光的演示和基于SI的晶体管技术的高度流行以来，硅的激光构成了硅光子学的长期目标。1的基于SI的激光的显着优势应是由高收益制造工艺产生的，以便在高量的情况下允许低成本，但还可以从光子集成电路中启用低成本的光子系统。实现基于SI的频带间激光器的主要问题是IV组材料的间接带隙，这导致辐射推荐率较差。已经开发了几种溶液来实现硅的激光作用。2–6在Quantum级联结构中采用suber子带过渡是一个令人兴奋的选择，因为此类过渡与带隙的性质无关。到目前为止，量子级联激光器（QCL）7仅在Polar III – V复合半导体材料
