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World File Search System电芯
用于输电线的轻质、高导电性 CNT 芯导体
在受控条件下，为材料和设备（包括但不限于武器系统组件）的开发、质量保证或可靠性而进行的户外测试和实验。涵盖的行动包括但不限于燃烧测试（例如电缆耐火性或燃料燃烧特性测试）、冲击测试（例如使用指定并经常用于此目的的土堤或混凝土板进行的气动喷射器测试）或跌落、穿刺、浸水或热测试。涵盖的行动不涉及源、特殊核或副产品材料，但根据适用标准制造的包含源、特殊核或副产品材料的封装源可用于非破坏性行动，例如探测器/传感器开发和测试以及急救人员现场培训。B3.15 使用纳米级材料的小规模室内研究和开发项目
CS4192 单空芯压力表驱动器 - Mouser Electronics
CS4192 是单片 BiCMOS 集成电路，用于将来自微处理器/微控制器的 10 位数字字转换为互补直流输出。直流输出驱动通常用于车辆仪表板的空心仪表。10 位数据用于直接线性控制仪表的正交线圈，在仪表的整个 360° 范围内具有 0.35° 分辨率和 ± 1.2° 精度。来自微控制器的接口是通过串行外设接口 (SPI) 兼容串行连接，使用高达 2.0 MHz 的移位时钟速率。数字代码与所需的仪表指针偏转成正比，被移入 DAC 和多路复用器。这两个块提供切向转换功能，可将数字数据转换为所需角度的适当直流线圈电压。在 45 ° 、135 ° 、225 ° 和 315 ° 角处，切向算法在仪表运动中产生的扭矩比正余弦算法大约高 40%。这种增加的扭矩减少了由于这些临界角度下的指针下垂而导致的误差。每个输出缓冲器能够为每个线圈提供高达 70 mA 的电流，并且缓冲器由公共 OE 启用引脚控制。当 OE 变为低电平时，输出缓冲器关闭，而芯片的逻辑部分保持通电并继续正常运行。OE 必须在 CS 下降沿之前处于高电平才能启用输出缓冲器。状态引脚 (ST) 反映输出的状态，并且在输出被禁用时处于低电平。串行仪表驱动器具有自我保护功能，可防止发生故障。每个驱动器均受到 125 mA（典型值）过流保护，而全局热保护电路将结温限制在 170°C（典型值）。只要 IC 保护电路检测到过流或过温故障，输出驱动器就会被禁用。驱动器保持禁用状态，直到 CS 上出现下降沿。如果故障仍然存在，输出驱动器将再次自动禁用。
半导体芯片中的工程两次波函数和交换统计数据
高维纠缠的光状态为量子信息提供了新的可能性，从量子力学的基本测试到增强的计算和通信效果。在这种情况下，自由度的频率将鲁棒性的资产结合在一起，并通过标准的电信组件轻松处理。在这里，我们使用集成的半导体芯片来设计直接在生成阶段的频率键入光子对的波函数和交换统计，而无需操作后。量身定制泵束的空间特性，可以产生频率与年轻相关，相关和分离状态，并控制光谱波函数的对称性，以诱导骨气或费米子行为。这些结果是在室温和电信波长下获得的，开放有希望的观点，用于在整体平台上使用光子和光子的量子模拟，以及利用反对称高度高维量子状态的通信和计算方案。
人原代T细胞基因组编辑
（ A ）使用ImmunoCult™ 人 CD3 / CD28 或 CD3 / CD28 / CD2 T 细胞激活活化剂人 T 2 - 3 天后，通过将 TCR αβ 和 CD3 受体与抗体结合，进行流式分析，来测定 TRAC 的敲除效率。每个条件的每个数据点代表一个单独的供体；n = 4 - 8 个供体。每一列线路表示干±标准差。（ B ） ）首先人T细胞被ImmunoCult™人CD3 / CD28 T细胞剂激活活化剂3天，然后进行电转。在电转48小时后，通过ArciTect™ T7循环内切酶I试剂盒测定基因组编辑（切割）的效率。 RNP 电转：+ RNP 。（ C - D ）被ImmunoCult™ 人 CD3 / CD28 T 细细胞激活剂活化 3 天的人 T 细胞经（ C ）模拟电转（无 RNP ）和（ D ） RNP 电转后 TCR αβ 和 CD3 的流式分析点图。（ E ）被ImmunoCult™ 人 CD3 / CD28 T 细胞激活剂活化 3 天的人 T细胞的CD4和CD8流式分析点图。
后硅纳米电子器件及其在类脑芯片中的应用
随着信息技术迈向大数据时代，传统的冯·诺依曼架构在性能上显示出局限性。计算领域已经在应对访问内存所需的延迟和带宽（“内存墙”）以及能量耗散（“电源墙”）方面遇到了很多困难。这些具有挑战性的问题，例如“内存瓶颈”，要求进行大量的研究投资来开发下一代计算系统的新架构。脑启发计算是一种新的计算架构，为人工智能计算提供了一种高能效和高实时性的方法。脑启发神经网络系统基于神经元和突触。忆阻器件已被提议作为创建神经形态计算机应用的人工突触。在本研究中，对后硅纳米电子器件及其在脑启发芯片中的应用进行了调查。首先介绍了神经网络的发展，回顾了当前典型的类脑芯片，包括以模拟电路为主的类脑芯片和全数字电路的类脑芯片，进而引出了基于后硅纳米电子器件的类脑芯片设计。然后，通过对N种后硅纳米电子器件的分析，阐述了利用后硅纳米电子器件构建类脑芯片的研究进展。最后，对基于后硅纳米电子器件构建类脑芯片的未来进行了展望。
电聚焦镜片
出版者：印度旁遮普国家银行战略管理和经济咨询部 (SMEAD) 公司办公室，地块编号。 4, Sector 10, Dwarka, New Delhi-110075 出版者：旁遮普国家银行战略管理和经济咨询部公司办公室，地块编号。 4, Sector -10, Dwarka, New Silli -110075 免责声明：本公告中表达/汇编的意见/信息属于银行研究团队，并不反映银行或其管理层或任何子公司的意见。可以复制该内容，但需注明发布此类信息的原始来源/机构。银行对公告中所述的事实/数据不承担任何责任，也不以任何方式承担任何责任。披露：本报告表达/汇编的观点/信息均为本银行研究团队的观点/信息，并不反映本银行或其管理层或任何子公司的观点。可转载上述内容，但需注明发布此类信息的原始来源/机构。本行对金条中所含的事实/数据不负任何责任，且不承担任何形式的责任。
TMS 诱发电位对电
摘要：经颅磁刺激 (TMS) 通过电磁感应刺激大脑。其结果取决于多种刺激参数，例如感应电场模式（特别是峰值场的位置及其方向）、强度和时间。然而，尚不清楚 TMS 诱发的反应如何受到所有刺激参数的影响。本研究阐明了 TMS 诱发的脑电图 (EEG) 反应对刺激电场方向的依赖性。为此，我们分析了来自六名受试者的数据集，这些受试者被给予了 36 个刺激方向的脉冲，这些刺激方向指向前辅助运动区 (pre-SMA)。使用基于聚类的统计数据分析了 TMS 诱发电位 (TEP) 和诱发振荡。进行了源估计以评估刺激方向对 TMS 诱发信号传播的影响。早期峰值的幅度（TMS 脉冲后 20 和 40 毫秒）在很大程度上取决于电场方向。我们的分析表明，大多数受试者在刺激后长达 100 毫秒内都存在方向依赖性，这表明刺激效果会发生变化，并且刺激部位的信号传播也可能会发生变化。这些结果表明，不同的方向可能会扰乱不同的网络。因此，方向是刺激结果的关键参数，应根据所研究的皮质网络进行调整。
