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World File Search System电荷密度
固有的ge-rich sige/ ... div>中无意的p型电导率
在这项工作中，我们研究了固有的SI 0.06 GE 0.94 /gE塑料放松的异质结构的有效背景电荷密度（001）。hall效应测量和电容 - 电压填充显示在名义上固有的层中具有p型电导率，在10 15 cm 3中间的孔浓度在50至200 k的温度下，孔的浓度为孔。此外，通过深层瞬态光谱法发现位于中间隙位置的一个主要孔陷阱。载体捕获动力学测量值可以解释为由于点缺陷的组合，可能被困在扩展缺陷的应变场中，即螺纹脱位。
利用液滴撞击带电表面获取能量
我们结合使用高速视频成像和电测量来研究水滴落在预带电固体表面时撞击能量如何直接转换为电能。在各种撞击条件（初始高度、相对于电极的撞击位置）和电参数（表面电荷密度、外部电路电阻、流体电导率）下进行系统性实验，使我们能够定量描述电响应，而无需基于水滴-基底界面面积演变的任何拟合参数。我们推导出此类“纳米发电机”所收集能量的缩放定律，并发现通过匹配外部电能收集电路和流体动力学扩散过程的时间尺度，可以实现最佳效率。
不同温度下 EEPROM 耐久性下降
在第二部分中，我们描述了 EEPROM 模拟结构并提供了校准方法，从而得出与实验结果高度一致的预测编程窗口。第三部分重点介绍耐久性，即在两种编程状态不再可区分之前可以承受的写入/擦除循环次数。通过在隧道体氧化物中插入负捕获电荷，可以重现实验编程窗口关闭。为了支持这种方法，我们表明总捕获电荷密度遵循常用的幂律 [6]。作为实际应用，我们建议使用此预测 TCAD 模型大幅缩短实验循环测试时间。最后，在第四部分中，我们展示了如何扩展此模型以包括高温对编程窗口关闭的影响。
公式（2）中的积分区域为
大量研究了各类特殊函数（如勒让德多项式）的性质。此外，这个无穷级数似乎不能用简单函数表示，只能用数值计算。总之，在这项工作中，我们研究了由表面电荷密度均匀的“北”半球面产生的静电势的性质。这个问题引起了广大静电学或电动力学领域研究人员和教育工作者的兴趣 20 。我们利用一种数学方法，充分利用了物体的轴对称性，推导出适用于某些特殊情况的静电势的精确紧致解析表达式。我们还推测了空间中任意一点的通解的性质，暗示它可以计算为无穷级数，但不是紧致的解析形式。作为该方法的简单副产品，我们以公式 (12) 中的表达式形式获得了一个有趣的数学积分公式。
单构域III-V晶体和反相边界的稳定性
在这里，我们使用密度功能理论比较了具有或没有反相边界的不同III-V晶体构型的稳定性，具有或没有反相边界的阶梯式SI底物，用于突然和补偿界面。通过电荷密度分解和机械应变的原子量表描述分析了不同异质结构的热力学稳定性。我们表明，III-V晶体通过在异方面的电荷补偿更改而适应Si Monoatomic步骤的配置要比形成反相对边界的配置要稳定得多。因此，这项研究表明，在III-V/SI样品中通常观察到的反相边界不是源自Si Monootomic阶梯边缘，而是来自不可避免的动力学驱动的单相3D III-V岛的合并。
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
酶静电优化研究进展...
图 4. 静电逆设计问题包括寻找反应周围带电残基或点电荷的最佳位置，以降低反应势垒。考虑围绕狄尔斯-阿尔德反应的分区球面，分区的每个斑块分配一个电荷密度（蓝色 - 带负电；红色 - 带正电），理论上可能的环境总数是无限的，因为任何一点的电荷都可以是任何实数值，并且分区可以无限精细。这产生了巨大的搜索空间。此外，由于静电环境的各种配置会产生类似的反应势垒，以及可能的解决方案完全改变反应途径，而这在蛋白质中不再可行，因此解决方案将不唯一。Hartke 和 Sokalski 试图通过使用机器学习或最小化给定反应的 𝐸 !"## 来确定最佳催化环境，从而减少这个搜索空间。
调节NiOOH与MG离子的选择性相互作用，以进行高性能水电池
MG-ION电池（AMIBS）具有良好安全性，低成本和高特定能量的优势，已被认为是一种有希望的能源存储技术。然而，阿米布的性能始终受到缓慢的扩散动力学的限制，以及由高电荷密度Mg2Þ与宿主材料之间的强静电相互作用引起的阴极材料的结构降解。在这里，层状结构化的NiOOH作为碱性电池的传统阴极，最初被证明可以实现质子辅助的Mg-（de）Intercration Intercration Chemistriation，具有高排放平台（0.57 v）中性水解中性水解的化学。从唯一的核心/壳结构中构成的好处，由此产生的NiOOH/CNT阴极达到了122.5 mAh G 1的高容量和长周期稳定性。进一步的理论计算表明，水合Mg 2的结合能更高
JHEP10（2024）224
摘要：我们从手性扰动理论中得出了一种新型的BPS，该理论最少耦合到有限同胞化学潜力的电动力学。在iSospin化学电位的临界值下，量规场的三个一阶差分方程（意味着二阶方程）的系统，可以从饱和界限的要求中得出。这些BPS构型代表具有超导电流支持的量化通量的磁多涡度。相应的拓扑电荷密度与磁通量密度有关，但通过耐药轮廓筛选。这种筛选效果允许这些BPS磁涡流产生的磁场的最大值，为B最大= 2，04×10 14 g。详细讨论了单个BPS涡流的解决方案，并描述了与Ginzburg-Landau理论中临界耦合中Ginzburg-Landau理论中的磁性涡流的比较。