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2024 IEEE自定义集成电路会议（CICC）21
3:50 pm 11-6：70-通道频率频率的每通道冷冻-CMOS IC的7.4μW和860μm²，半导体Qubits的μs读取“ Quentin Schmidt先生（法国）1，Brian Martinez（France）1，Thomas Houriez（France）（France）1，France）1，Brian Martinez先生（France）。 （法国）1，Aloysius Jansen博士（法国）2，Xavier Jehl博士（法国）2，Tristan Meunier博士（法国）3，GaëlPillonnet博士（法国）1，GérardBilliot（法国）1，法国先生（法国）1，Adrien Morel（法国）4，France（France）（France）（France）5，France）5，5，France）5，5，5，France），5，5大学。Grenoble Alpes，CEA，Leti，F-38000 Grenoble，法国，2。大学。Grenoble Alpes，CEA，Pheliqs，F-38000 Grenoble，法国，3。Quobly，F-38000 Grenoble，法国；大学。Grenoble Alpes，CNRS，Institut Neel，F-38000 Grenoble，法国，4。Symme，Univ。Savoie Mont Blanc，法国Annecy，5。大学。Grenoble Alpes，CEA，List，F-38000 Grenoble，法国）
微电路器件可靠性数字详细...
信息以汇总格式呈现，而操作（现场经验、可靠性演示和设备检查）和寿命测试数据则以详细格式呈现。数字详细数据出版物的数据由可靠性分析中心从政府和行业报告中收集、提炼和缩减，以便提供客观信息以供一般使用。
IV模拟电路主题代码IV模拟电路主题代码
模块-1 BJT偏置：BJT放大器电路中的偏置：经典离散电路偏置（电压 - 分隔偏置），使用收集器偏置以基本反馈电阻。小信号操作和模型：收集器电流和跨导性，基本电流和输入电阻，发射极电流和输入电阻，电压增益，信号和直流数量分离，即混合π模型。MOSFET：MOS放大器电路中的偏置：固定V GS，固定V G，排干到门反馈电阻。小信号操作和建模小：直流偏置点，漏极中的信号电流，电压增益，小信号等效电路模型，跨导性。
2024 IEEE 定制集成电路会议 (CICC) 21
3:50pm 11-6：每通道 7.4μW 和 860μm² 的冷冻 CMOS IC，用于半导体量子位的 70 通道频率复用 μs 读出 » Quentin Schmidt 先生（法国）1 、Brian Martinez 先生（法国）1 、Thomas Houriez 先生（法国）1 、Baptiste Jadot 博士（法国）1 、Dr. Aloysius Jansen (法国) 2 , Xavier Jehl 博士 (法国) 2 , Tristan Meunier 博士 (法国) 3 , Gaël Pillonnet 博士 (法国) 1 , Gérard Billiot 先生 (法国) 1 , Adrien Morel 博士 (法国) 4 , Yvain Thonnart 博士 (法国) 5 , Franck Badets 博士（法国）1 (1.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，Leti，F-38000 格勒诺布尔，法国，2. 大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，PHELIQS，F-38000 格勒诺布尔，法国，3. Quobly，F-38000 格勒诺布尔，法国；大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CNRS，尼尔研究所，F-38000 格勒诺布尔，法国，4. SYMME，大学。萨瓦勃朗峰，安纳西，法国，5.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，List，F-38000 格勒诺布尔，法国）
具有投影测量的双单位量子电路中的确切动力学
了解量子多体系统的动力学仍然是一个至关重要的问题，其应用从凝结物理学到量子信息。在数值和分析上，计算动力学数量（例如相关函数和纠缠增长）是一个众所周知的困难问题。近年来，统一电路已经超越了量子计算模型，以最小模型，以研究由局部相互作用控制的一般大学动力学的研究[1-8]。一类特殊的此类电路，称为双统一电路，仍然可以通过精确的计算[9，10]。这些电路是通过基本的时空二元性来表达的，从而导致时间和空间中的单一动力学。这种二元性允许精确计算局部可观察物的相关函数动态[9，11-14]，超阶相关器[15，16]，纠缠[10，17]，量子混乱[18 - 21]的指标[18 - 21]，以及双重独立的电路和自然是活跃的理解的主题[22 - 38]和实验[22 - 38]和实验[39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39] [39]超越了封闭量子系统的纯统一动力学，电路模型还通过在时空中给定点引入投影测量值，为非自然动态提供了自然的游戏场。随着微调率的提高，此类系统可能会经历从体积法的过渡到稳态
超导电路中的量子信息和量子光学
超导量子电路是开发可扩展量子计算机最有前途的解决方案之一。超导电路采用超导制造技术和微波技术制造而成，尺寸从几微米到几十米不等，在低温下表现出叠加和纠缠等独特的量子特性。本书全面、完整地介绍了超导量子电路的世界以及它们在当前量子技术中的应用。作者首先描述它们的基本超导特性，然后探讨它们在量子系统中的应用，展示它们如何模拟单个光子和原子，并最终在高度连接的量子系统中表现为量子比特。特别关注这些超导电路在量子计算和量子模拟中的前沿应用。这本通俗易懂的教材是为研究生和初级研究人员编写的，包含大量家庭作业和例题。
2025 IEEE自定义集成电路会议（CICC）13
1:30 pm 10-1 ：（被邀请）类似基于变压器的语言模型（被邀请）类似类似的硬件加速器»Geoffrey W. Burr（美国）1，Hsinyu Tsai（美国）1，IEM Boybat（瑞士）博士（瑞士）2，William A. Simon（Switzerland） Vasilopoulos（瑞士）2，Pritish Narayanan博士（美国）1，Andrea Fasoli博士（美国）1，Kohji Hosokawa先生（日本）3（日本）3，Manuel Lealoo（瑞士）博士（瑞士）2国家）1，查尔斯·麦金（Charles Mackin）（美国）1，埃琳娜·费罗（Elena Ferro）（瑞士）2，Kaoutar El Maghraoui博士（美国）4，Hadjer Benmeziane博士（瑞士）2，Timothy Philicelli（美国）5，美国的Timothy Philicelli博士（瑞士） ，Shubham Jain博士（美国）4，Abu Sebastian博士（瑞士）2，Vijay Narayanan博士（美国）4（1。IBM研究-Almaden，2。IBM Research Europe，3。IBM东京研究实验室，4。 IBM T. J. Watson Research Center，5。 IBM Albany Nanotech）IBM东京研究实验室，4。IBM T. J. Watson Research Center，5。 IBM Albany Nanotech）IBM T. J. Watson Research Center，5。IBM Albany Nanotech）IBM Albany Nanotech）
最坏情况电路分析申请准则-DTIC
6.0 WORST CASE CIRCUIT ANALYSIS (WCCA) EXAMPLES .......................... 65 6.1 Digital Circuit Example .......................................................................................... 65 6.1.1 General Circuit Description ......................................................................... 65 6.1.2 Overview Of Theory Of Operation ............................................................ 68 6.1.3 Critical Timing参数................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... ........................................................................................... 77 6.2.2模拟零件数据库................................................................................................................................................................. ....................................................................... 79 6.2.4.2 Root-Sum-Squared Analysis ............................................................. 80 6.2.5 Monte Carlo Analysis ................................................................................... 85 6.2.6 Analog Circuit Conclusions ......................................................................... 87