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微电子电路
Multisim 和 National Instruments 是 National Instruments 的商标。Sedra/Smith 微电子电路第七版一书是牛津大学出版社的产品，而非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的产品，牛津大学出版社对 Sedra/Smith 一书及其内容负全部责任。牛津大学出版社、Sedra/Smith 一书以及牛津大学出版社提供的任何书籍和其他商品和服务均非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的官方出版物，它们与 National Instruments Corporation 或其任何附属公司无任何关联、认可或赞助。
量子电路
1 理论 3 1.1 预告视频 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.4.1 单量子比特操作 . ... 9 1.5.2 量子动力学的电路模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
论交错低深度量子电路和经典电路的功率
通过我们的会面和他的课程，Shalev 教授向我介绍了量子和经典复杂性的各种主题，并提出了一些很棒的问题。对于我们的第一个项目，我研究了函数的近似度——这在概念上和数学上对我来说都是全新的。他对我非常耐心，指导我完成这个项目——教我技术和研究技能。特别是，他教会了我在开始回答有意义的研究问题之前，批判性地、严格地定义它们的价值。我的第二个项目（构成了这篇论文的基础）始于他关于量子查询和通信复杂性的课程中的一个项目。尽管我现在正在着手一个完全不同的主题，但 Ben-David 教授热情地鼓励我追逐我的求知欲。
基于BPF的热传感器电路用于RF电路的芯片测试
摘要：一种新的传感器拓扑结构，旨在提取射频模拟整数电路（RF-IS）的功绩的形式。在标准的0.35 µM组合金属氧化物 - 氧化物 - 氧化型（CMOS）技术中实现，它包含两个块：一个单个金属氧化物 - 氧化物 - 轴导剂（MOS）晶体管，用作温度换能器，将其放置在电路附近的监控和一个活跃的带式填充器上放置。为了验证，将温度传感器与调谐的射频功率放大器（420 MHz）和可作为可控散射装置的MOS晶体管集成。首先，使用MOS耗散设备，表征了构成温度传感器的不同块的性能和局限性。第二，通过使用杂化技术（将两种色调应用于功率放大器（PA），并将传感器输出电压连接到低成本AC电压表，PA的输出功率及其中心频率被监视。结果，该拓扑结构导致了低成本方法，具有高线性和灵敏度，用于RF-IC测试和可变性监测。
微电子学、电路与系统（...
这是一系列年度会议。第 11 届 Micro2024 将在印度首都德里举办。我们接受优秀论文在本次会议中发表。论文应为未发表的原创研究论文，且应具有成果和新发现。一些优秀论文可作为会议任何主题的教程、调查论文等在本次会议上发表。本次会议诞生于高质量的出版物，每年我们都会在 Springer-Nature 的《微系统技术杂志》特刊上发表一些优秀的论文扩展版本，SCI 索引的影响因子为 2.1，排名为 Q2/Q3。此外，我们还发表了许多 LNEE（电气工程讲义）论文集，Springer-Nature，SCOPUS 索引，影响因子为 0.5，以及本次会议的其他一些论文。
EE5M02 微电子电路
该模块将使学生深入了解电路和系统的超大规模集成 (VLSI)。该模块的最终目标是让学生掌握足够的知识，能够将大型数字电路的功能描述（硬件描述语言 (HDL) 级别）转换为物理布局描述（通常使用 GDSII 格式），适合在代工厂进行制造（流片）。该模块的结构分为两部分。VLSI 电路组件每周分配两次讲座，涵盖设备物理特性，重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型、VLSI 电路复杂性的数学模型和产量估算。VLSI 系统组件每周分配一次讲座，涵盖用于实现电子设计自动化 (EDA) 流程的复杂软件工具链中使用的算法和数据格式。这两个实验室都基于 VLSI 系统讲座。
CMOS 电路的功耗
在本章中，我们将解释互补金属氧化物半导体 (CMOS) 电路中的两种功耗类型。一般而言，CMOS 电路在任何时候都会耗散功率 — 无论是活动状态还是非活动状态。电路在执行计算任务时消耗的功率称为动态功率。相反，在电路处于休眠状态期间由于漏电而损失的功率称为静态功率。通过精心设计电路，可以将漏电抑制到最低限度。因此，动态功耗通常明显高于静态功耗。可以采用的一些节省动态功耗的技术包括降低电源电压、时钟频率、时钟功率和动态有效电容。通过探究设计模块的活动因素，可以将这些技术应用于高功耗模块。